[发明专利]发光二极管结构无效

专利信息
申请号: 200810068114.4 申请日: 2008-06-25
公开(公告)号: CN101615643A 公开(公告)日: 2009-12-30
发明(设计)人: 张家寿 申请(专利权)人: 富准精密工业(深圳)有限公司;鸿准精密工业股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L23/36;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/488
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 结构
【权利要求书】:

1.一种发光二极管结构,包括一散热器、安装于散热器上的至少一发光二极管芯片及保护该至少一发光二极管芯片的封装体,其特征在于:该散热器包括相对设置的第一散热体及第二散热体,所述第一散热体及第二散热体分别包括一基座及从基座向外凸伸的若干散热片,发光二极管芯片与第一散热体及第二散热体热性连接,且发光二极管芯片的两个电极分别与第一散热体及第二散热体电性连接,所述第一散热体与第二散热体之间电性绝缘。

2.如权利要求1所述的发光二极管结构,其特征在于:所述基座呈半圆柱体状,所述散热片分别从基座的外表面垂直基座向外延伸。

3.如权利要求2所述的发光二极管结构,其特征在于:所述散热片沿基座的轴向相互间隔设置,每一散热片呈半圆形的平板状。

4.如权利要求2所述的发光二极管结构,其特征在于:所述散热片包括位于基座顶端的一第一散热片及位于该第一散热片下方的若干第二散热片,第一散热片的半径和厚度分别大于每一第二散热片的半径和厚度。

5.如权利要求4所述的发光二极管结构,其特征在于:每一第二散热片包括与基座的平面共面的内侧面及绕设于基座外围的外侧面,所述第二散热片的外侧面位于一假想的半圆柱面上。

6.如权利要求4所述的发光二极管结构,其特征在于:所述第一散热片上设有与发光二极管芯片的电极电性连接的导电组件,所述第一散热体的第一散热片与第二散热体的第一散热片共同形成一圆盘状的基板,发光二极管芯片设于该基板上,所述第一散热体的基座与第二散热体的基座之间设置有导热性能较好且电性绝缘的热界面材料。

7.如权利要求1所述的发光二极管结构,其特征在于:该基座的材料为内部形成有大量孔隙的多孔性结构。

8.如权利要求1所述的发光二极管结构,其特征在于:该第一散热体与该第二散热体相对于散热器的中心呈对称设置且结构相同。

9.如权利要求1所述的发光二极管结构,其特征在于:该散热器整体呈圆柱体状。

10.如权利要求1所述的发光二极管结构,其特征在于:还包括一罩设于封装体上方的一透光体,该透光体具有一与该封装体结合的下表面及一相对的上表面,该上表面为弧形凸面。

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