[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其修复方法有效
申请号: | 200710040206.7 | 申请日: | 2007-04-28 |
公开(公告)号: | CN101051642A | 公开(公告)日: | 2007-10-10 |
发明(设计)人: | 张锋 | 申请(专利权)人: | 上海广电光电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人: | 白璧华 |
地址: | 200233上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 及其 修复 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种阵列基板及其修复方法,特别是涉及一种可修复数据线断路或短路的液晶显示用的薄膜晶体管阵列基板及其修复方法。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示(TFT-LCD)面板是利用薄膜晶体管(TFT)控制液晶分子的取向从而控制透光的强弱来显示图像的。一块完整的TFTLCD面板通常包括背光模组、偏光片、TFT阵列下基板、CF(彩膜)上基板、夹在上下基板之间的液晶分子层以及驱动电路。TFT阵列基板上的显示区域包含多个子像素区域,每个子像素区域一般为两条栅极扫描线与两条数据线交叉所形成的矩形或者其他形状区域,其内设置有薄膜晶体管以及像素电极,薄膜晶体管充当开关元件。
栅极扫描线与数据线主要用来提供影像信号以驱动像素电极,但是由于制作时候成膜、微影、刻蚀等制造工艺的影响,栅极扫描线与数据线容易发生断路或短路,导致线缺陷。另外,由于长宽比的原因,数据线一般比栅极扫描线设计得更窄一些,更容易发生断路的情况。因此,为避免LCD面板生产由于线缺陷而导致的良率下降,需要对线缺陷特别是最容易发生的数据线断路和短路缺陷进行修复。
为此,美国专利US20050285989公开了一种对数据线断路进行修复的液晶显示基板的结构及其修复方法,该TFT阵列基板的结构如图1所示,TFT基板11包括在一个方向上延伸的栅极扫描线2和在与栅极扫描线2基本上垂直的方向上延伸的数据线6;栅极扫描线2和数据线6交叉形成像素区域,其内设置有TFT5和透明像素电极9,像素电极9通过接触孔9a和TFT5的源电极连接,其中数据线6含有至少两个与遮光线2a重叠的突起6a;遮光线2a和2a-2位于数据线6的两侧;其中栅极扫描线2、遮光线2a和2a-2形成在第一金属层上,数据线6形成在第二金属层上,第一金属层直接沉积在玻璃基板上,然后上面依次沉积第一保护层,非晶硅层,第二金属层,第二保护层以及ITO像素电极层。如果数据线断路发生在图1中的12处,就可以利用遮光线2a对数据线6断路的情况进行修复,修复时只需要在突起6a和遮光线2a的重叠部分(激光照射部分10)进行两次激光焊接就可以对数据线断路进行修复。但是采用以上技术存在其缺点,该技术只能修复像素区间数据线的断路,如果断路发生在数据线和栅极扫描线的交界处或是数据线上发生短路,则不能修复。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种可修复数据线断路或短路的薄膜晶体管阵列基板及其修复方法。
本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板,包括多条沿第一方向延伸的栅极扫描线;多条沿第二方向延伸的数据线,栅极扫描线和数据线交叉形成像素区域;设置在像素区域内的薄膜晶体管和像素电极;形成在与栅极扫描线同一金属层上的内侧遮光线和外侧遮光线,并分布在数据线的两侧;其中所述外侧遮光线或数据线的一端至少有一第一突起,所述第一突起使数据线与外侧遮光线交叠,外侧遮光线的另一端与横跨栅极扫描线的修复线的一端交叠,修复线的另一端与数据线交叠的第一修复衬垫交叠。
本发明提供一种修复薄膜晶体管阵列基板的方法,包括形成在第一金属层上并沿第一方向延伸的多条栅极扫描线;形成在第二金属层上并沿第二方向延伸的多条数据线,栅极扫描线和数据线交叉形成像素区域;设置在像素区域内的薄膜晶体管和像素电极;形成在与栅极扫描线同一金属层上的内侧遮光线和外侧遮光线,并分布在数据线的两侧;其中所述外侧遮光线或数据线的一端至少有一第一突起,所述第一突起使数据线与外侧遮光线交叠,外侧遮光线的另一端与横跨栅极扫描线的修复线的一端交叠,修复线的另一端与数据线交叠的第一修复衬垫交叠;当数据线发生断路时,在上述四个交叠处用激光进行照射连接,使数据线通过外侧遮光线、修复线以及第一修复衬垫进行连接,形成绕开断路部分的路径。
本发明还提供一种修复薄膜晶体管阵列基板的方法,包括形成在第一金属层上并沿第一方向延伸的多条栅极扫描线;形成在第二金属层上并沿第二方向延伸的多条数据线,栅极扫描线和数据线交叉形成像素区域;设置在像素区域内的薄膜晶体管和像素电极;形成在与栅极扫描线同一金属层上的内侧遮光线和外侧遮光线,并分布在数据线的两侧;其中所述外侧遮光线或数据线的一端至少有一第一突起,所述第一突起必须保证数据线与外侧遮光线交叠,外侧遮光线的另一端与横跨栅极扫描线的修复线的一端交叠,修复线的另一端与数据线交叠的第一修复衬垫交叠;当数据线发生短路时,首先在其短路处的两侧进行激光切割,然后在上述四个交叠处用激光进行照射连接,使数据线通过外侧遮光线、修复线以及第一修复衬垫进行连接,形成绕开短路部分的路径。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的