[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其修复方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括

多条沿第一方向延伸的栅极扫描线(20)；

多条沿第二方向延伸的数据线(30)，栅极扫描线(20)和数据线(30)交叉形成像素区域；

设置在像素区域内的薄膜晶体管(31)和像素电极(40)；

形成在与栅极扫描线(20)同一金属层上的内侧遮光线(21)和外侧遮光线(22)，并分布在数据线(30)的两侧；

其中所述外侧遮光线(22)或数据线(30)的一端至少有一第一突起(22a)，所述第一突起(22a)使外侧遮光线(22)与数据线(30)交叠，外侧遮光线(22)的另一端与横跨栅极扫描线(20)的修复线(32)的一端交叠，修复线(32)的另一端与数据线(30)交叠的第一修复衬垫(23)交叠。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于所述的第一突起(22a)由外侧遮光线(22)朝向数据线(30)延伸形成，或由数据线(30)朝向外侧遮光线(22)延伸形成。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于所述的外侧遮光线(22)的上端向外形成有第二突起(22b)，所述修复线(32)和第二突起(22b)重叠交叉，且所述第一修复衬垫(23)与栅极扫描线(20)形成在同一金属层上，所述修复线(32)与数据线(30)形成在同一金属层上。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于所述的修复线(32)和数据线(30)之间的距离大于等于6微米。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于所述的第一修复衬垫(23)与栅极扫描线(20)形成在同一金属层上，所述修复线(32)形成在像素电极层上，所述修复线(32)和第一修复衬垫(23)及外侧遮光线(22)的重叠交叉中间层还分别设置有与数据线(30)形成在同一金属层上的第二修复衬垫(33a)和第三修复衬垫(33b)。

6.一种修复薄膜晶体管阵列基板的方法，包括

形成在第一金属层上并沿第一方向延伸的多条栅极扫描线(20)；

形成在第二金属层上并沿第二方向延伸的多条数据线(30)，栅极扫描线(20)和数据线(30)交叉形成像素区域；

设置在像素区域内的薄膜晶体管(31)和像素电极(40)；

形成在与栅极扫描线(20)同一金属层上的内侧遮光线(21)和外侧遮光线(22)，并分布在数据线(30)的两侧；

其中所述外侧遮光线(22)或数据线(30)的一端至少有一第一突起(22a)，所述第一突起(22a)使外侧遮光线(22)与数据线(30)交叠，外侧遮光线(22)的另一端与横跨栅极扫描线(20)的修复线(32)的一端交叠，修复线(32)的另一端与数据线(30)交叠的第一修复衬垫(23)交叠；

当数据线(30)发生断路时，在上述四个交叠处用激光进行照射连接，使数据线(30)通过外侧遮光线(22)、修复线(32)以及第一修复衬垫(23)进行连接，形成绕开断路部分的路径。

7.一种修复薄膜晶体管阵列基板的方法，包括

形成在第一金属层上并沿第一方向延伸的多条栅极扫描线(20)；

形成在第二金属层上并沿第二方向延伸的多条数据线(30)，栅极扫描线(20)和数据线(30)交叉形成像素区域；

设置在像素区域内的薄膜晶体管(31)和像素电极(40)；

形成在与栅极扫描线(20)同一金属层上的内侧遮光线(21)和外侧遮光线(22)，并分布在数据线(30)的两侧；

其中所述外侧遮光线(22)或数据线(30)的一端至少有一第一突起(22a)，所述第一突起(22a)使外侧遮光线(22)与数据线(30)交叠，外侧遮光线(22)的另一端与横跨栅极扫描线(20)的修复线(32)的一端交叠，修复线(32)的另一端与数据线(30)交叠的第一修复衬垫(23)交叠；

当数据线(30)发生短路时，首先在其短路处的两侧进行激光切割，然后在上述四个交叠处用激光进行照射连接，使数据线(30)通过外侧遮光线(22)、修复线(32)以及第一修复衬垫(23)进行连接，形成绕开短路部分的路径。