[发明专利]通孔刻蚀方法

权利要求书

1.一种通孔刻蚀方法，包括：

在半导体衬底上形成通孔刻蚀基底；

执行一各向异性刻蚀制程，在所述通孔刻蚀基底上刻蚀通孔；

沉积牺牲层，所述牺牲层填充所述通孔；

刻蚀所述牺牲层，以暴露通孔开口；

执行一各向同性刻蚀制程，以使所述通孔开口具有圆角结构；

去除所述牺牲层。

2.根据权利要求1所述的通孔刻蚀方法，其特征在于：所述各向同性刻蚀为湿法刻蚀。

3.根据权利要求2所述的通孔刻蚀方法，其特征在于：所述刻蚀溶液为氢氟酸。

4.根据权利要求3所述的通孔刻蚀方法，其特征在于：所述刻蚀溶液百分比浓度小于或等于2％。

5.根据权利要求2所述的通孔刻蚀方法，其特征在于：所述牺牲层材料为ARC。

6.根据权利要求1所述的通孔刻蚀方法，其特征在于：所述各向同性刻蚀为干法刻蚀。

7.根据权利要求6所述的通孔刻蚀方法，其特征在于：所述牺牲层材料为光刻胶。

8.根据权利要求6所述的通孔刻蚀方法，其特征在于：所述刻蚀气体包括氟化碳、三氟化氢碳、八氟化三碳及/或八氟化四碳中的一种或其组合。

9.一种通孔结构，所述通孔贯穿层间介质层，所述通孔包含通孔开口及通孔侧壁，其特征在于：所述通孔开口具有圆角结构，且所述具有圆角结构的通孔开口与所述通孔侧壁平滑连接。