[发明专利]硅酸镓镧晶体的坩埚下降法生长技术无效
| 申请号： | 02111567.2 | 申请日： | 2002-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN1389599A | 公开（公告）日： | 2003-01-08 |
| 发明（设计）人： | 周娟;徐家跃;华王祥;范世 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/34 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅酸 晶体 坩埚 下降 生长 技术 | ||
1.一种生长硅酸镓镧单晶的坩埚下降法生长技术，其特征在于：
(1)初始原料由3N以上的高纯La2O3、Ga2O3和SiO2按以下组成(at％)配比而成：
La2O3：29-30 Ga2O3：51-49 SiO2：19-21；
(2)混合粉料在1100～1400℃炉温下预烧，保温不少于12小时；
(3)将预烧后混合均匀的粉料和晶种置于经气焊密封的贵金属坩埚中；
(4)坩埚置于Bridgman单晶炉内，升温熔化原料和晶种顶部，炉温控制在1500～1650℃；
(5)生长界面温梯控制在20～60℃/cm，坩埚下降速度≤3mm/h。
2.按权利要求1所述的硅酸镓镧单晶的坩埚下降法生长技术，其特征在于所述的晶种取向为<010>、<201>、<100>、<001>或沿其它任意方向中一种。
3.按权利要求1所述的硅酸镓镧单晶的坩埚下降法生长技术，其特征在于所述置于贵金属坩埚的煅烧后混合均匀粉料成为10MPa压力下压成不同形状和不同厚度的料块。
4.按权利要求1所述的硅酸镓镧单晶的坩埚下降法生长技术，其特征在于所述的贵金属坩埚形状或为圆柱形、长方柱形或为其它任意多边形中一种；单晶炉内同时安放多只铂坩埚同时生长多根不同形状和尺寸的晶体。。
5.按权利要求1所述的硅酸镓镧单晶的坩埚下降法生长技术，其特征在于籽晶与生长的晶体的直径比不小于1∶15。
6.按权利要求4所述的硅酸镓镧单晶的坩埚下降法生长技术，其特征在于单晶炉内同时安放10只不同形状铂坩埚。
7.按权利要求1或4或6所述的硅酸镓镧单晶的坩埚下降法生长技术，其特征在于所述的贵金属坩埚或铂坩埚，或铱坩埚，或钯坩埚中一种；铂坩埚是常用的一种。
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