[发明专利]声表面波装置及其制造方法

说明书

本发明涉及一种其压电基片上具有几种类型的IDT的声表面波装置，以及这种声表面波装置的制造方法。

近年来，为了增加移动通信装置的效用，已对具有至少两个通信系统的多波段呼应便携式电话进行了研究。另外，对于便携式电话，越来越多地使用更高的传输频率。

相应地，对于可以使用800MHz波段蜂窝电话和至少1.5GHz波段蜂窝电话的通信系统的终端，必须对这两个不同频率各自提供一RF带通滤波器。

为了减小尺寸和重量，对这种终端所需的元件数量的减小有一个限制。相应地，具有两个滤波功能的一个部件是理想的。

为此，已经提出，将几个滤波功能设置在一个压电基片上。已经研制了一种声表面波装置，它在一个压电基片上形成有具有不同薄膜厚度的，诸如IDT之类的两种类型的电极或其它适当的电极，从而装置可以以两种不同的频率工作。

例如，第10-190390号日本未审查专利公告中已经提出了这种声表面波装置的制造方法。下面，参照图6A到6E，描述声表面波装置的制造方法。

首先，在压电基片101上形成具有预定薄膜厚度的导电薄膜104a。在具有导电薄膜104a的压电基片101上设置保护层。接着，使用对应于第一声表面波元件的IDT部分具有屏蔽部分的掩模使保护层暴露，然后使保护层显现。相应地，去掉保护层所暴露的部分。结果，保留了对应于第一声表面波元件的IDT图案的保护层的未暴露部分102a。

通过蚀刻，去掉导电薄膜104a除对应于保护层102a的部分。相应地，如图6B所示，产生第一声表面波元件110的IDT111。

接着，在具有第一声表面波元件的IDT111的压电基片101上设置保护层，并使用具有对应于第二声表面波元件的IDT的开口部分的掩模使其暴露，然后，使保护层显现，由此，去掉保护层的暴露部分。结果，如图6C所示，产生具有对应于第二声表面波元件的开口部分的保护层102b。

接着，如图6D所示，将薄膜厚度小于第一声表面波元件110的IDT111的导电薄膜104b设置在具有保护层104b的压电基片101上。

最后，同时去掉保护层102b以及设置在保护层102b上的导电薄膜104b。如图6E所示，产生厚度小于第一声表面波元件110的IDT111的第二声表面波元件120的IDT121。

根据上述制造方法，在同一压电基片上制造具有不同频率特性的声表面波元件。

上述声表面波装置具有与其制造方法有关的问题。具体地说，每当IDT的薄膜厚度和/或电极指宽度从它们预定的范围偏离时，从而在构成第二声表面波元件的IDT之后无法得到理想的频率特性时，即使已经得到前面已经产生的第一声表面波元件的频率特性，声表面波装置仍然是不合格的。

即，在同一压电基片上形成第一和第二声表面波元件，以确定一个复合装置。相应地，如果声表面波元件中只有一个具有偏离理想值的频率特性，则装置也是不合格的。由此，和将第一和第二声表面波元件形成在不同压电基片上的声表面波装置相比，所产生的不合格率高出许多。

另外，当将保护层图案用于制造IDT时，保护层图案通常被加热，以增强其对于压电基片的黏着，以及等离子阻抗。当将这种处理提供给包含多个具有不同频率特性的声表面波元件的声表面波装置的制造方法时，产生一个问题。

更具体地说，当在形成第一声表面波元件后，将用于制造第二声表面波元件的IDT的保护层图案加热时，由于压电基片的热电性质，在第一声表面波元件中的IDT的电极指之间产生电位差。电位差可能放电，并且可能热电损坏。即使放电还不足以产生热电损坏，但是，放电能够破坏或扭曲保护层图案，导致在第二声表面波元件的IDT构成过程中，使第一声表面波元件的IDT短路。

为了克服上述问题，本发明的较佳实施例独立提供了一种声表面波装置，其中将具有不同频率特性的声表面波元件设置在一个压电基片上，它具有大大减小的废品率和大大增加的可靠性，本发明还提供了这种声表面波装置制造方法。

本发明的一个较佳实施例独立的声表面波装置包含压电基片，包含至少一个设置在压电基片上的叉指式换能器的第一声表面波元件，包含至少一个设置在压电基片上的叉指式换能器的第二声表面波元件，所述叉指式换能器的厚度不同于第一声表面波元件的叉指式换能器。第二声表面波元件的频率特性不同于第一声表面波元件。在第一和第二声表面波元件上设置绝缘薄膜，并且第一声表面波元件区域中的绝缘薄膜的厚度不同于第二声表面波元件的区域中的绝缘薄膜的厚度。