专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种仿真波形中异常信号的溯源系统-CN202310184651.X在审
  • 霍潇 - 上海合见工业软件集团有限公司
  • 2023-03-01 - 2023-03-28 - G06V10/75
  • 特别是涉及一种仿真波形中异常信号的溯源系统,该系统包括数据库、处理器和存储有计算机程序的存储器,其中数据库包括N种总线协议分别对应的子模板数据库TL,计算机程序被处理器执行时通过获取当前波形窗口中仿真波形WV的第一初始图像WPi的子模板数据库TLi;将TLi中的M个波形图像模板分别沿着第一初始图像中时间轴增加的方向遍历WP,进行模板匹配得到WP中Q个首次出现错误时序的位置序列,获取LC中的最小值,最小值对应的目标位置为异常信号的根源,解决了现有技术中通过人眼观察每个出错的结果并沿着时间轴向前查找错误根源导致容易出错且效率低的问题
  • 一种仿真波形异常信号溯源系统
  • [发明专利]一种三维Co掺杂WP2-CN202010380225.X有效
  • 刘勇平;刘威;吕慧丹;耿鹏;李时庆;王子良 - 桂林理工大学
  • 2020-05-08 - 2023-04-07 - C25B1/04
  • 本发明提供了一种三维Co掺杂WP2纳米片阵列电催化剂制备方法,包括以下步骤:(1)将导电基质材料置于有乙醇、草酸、六氯化钨和氯化钴混合溶液的聚四氟乙烯反应釜中,:Sub>纳米片阵列;(2)以次亚磷酸钠为磷源,在双温控真空气氛管式炉中使用原位磷化还原的方法,在氩气环境下,将导电基质材料上的钴掺杂三氧化钨纳米片阵列磷化还原为钴掺杂二磷化钨纳米片阵列,得到Co掺杂WP本发明方法制得的三维Co掺杂WP2纳米片阵列电极材料具有较大暴露的比表面积,较高的电催化析氢活性和稳定性。
  • 一种三维co掺杂wpbasesub
  • [发明专利]一种自支撑Ni掺杂WP2-CN202010380226.4有效
  • 刘勇平;刘威;吕慧丹;耿鹏;庄杨;肖智中 - 桂林理工大学
  • 2020-05-08 - 2023-04-07 - B01J27/188
  • 本发明提供了一种自支撑Ni掺杂WP2纳米片阵列电催化剂制备方法,包括以下步骤:(1)将导电基底材料置于有乙醇、草酸、六氯化钨和氯化镍混合溶液的聚四氟乙烯反应釜中:Sub>纳米片阵列;(2)以次亚磷酸钠为磷源,在双温控真空气氛管式炉中使用原位磷化还原的方法,在氩气环境下,将导电基底材料上的镍掺杂三氧化钨纳米片阵列磷化还原为镍掺杂二磷化钨纳米片阵列,得到Ni掺杂WP本发明方法制得到的自支撑Ni掺杂WP2纳米片阵列电催化析氢电极材料具有较高的电催化析氢活性和稳定性。
  • 一种支撑ni掺杂wpbasesub
  • [发明专利]一种S掺杂WP2-CN202010380228.3有效
  • 刘勇平;刘威;吕慧丹;耿鹏;陈丹杨;班如静 - 桂林理工大学
  • 2020-05-08 - 2023-04-07 - C25B11/091
  • 本发明提供了一种S掺杂WP2纳米片阵列电催化剂制备方法,包括以下步骤:(1)将导电基底材料置于有乙醇、草酸和六氯化钨混合溶液的聚四氟乙烯反应釜中,在100‑220以次亚磷酸钠和硫粉作为磷源和掺杂硫源,在双温控真空气氛管式炉中使用原位磷化还原的方法,在氩气环境下,将导电基底材料上的三氧化钨纳米片阵列磷化还原为二磷化钨纳米片阵列,并在此过程中将硫掺杂到二磷化钨纳米片中,得到S掺杂WP本发明方法制得到的S掺杂WP2纳米片阵列电催化析氢电极材料具有较高的电催化析氢活性和稳定性。
  • 一种掺杂wpbasesub
  • [发明专利]超薄板玻璃基板的制造方法-CN201080035053.7有效
  • 黑岩裕;大原盛辉 - 旭硝子株式会社
  • 2010-07-23 - 2012-05-23 - C03B23/037
  • 及使在该加热工序中软化了的预成形坯延伸而形成为超薄板玻璃基板的延伸工序,所述超薄板玻璃基板的制造方法的特征在于,所述预成形坯是卷绕在辊直径100mm~1500mm的圆筒状的第一卷绕辊上的、厚度Tp=20μm~250μm、宽度Wp通过所述延伸工序而制造的超薄板玻璃基板是厚度Tg=2μm~50μm、宽度Wg=0.3mm~500mm、长度=5m~500000m的基板,设由所述延伸工序引起的所述预成形坯的厚度方向的缩小率为Tg/Tp、宽度方向的缩小率为Wg/Wp时,Tg/Tp=1/125~1/2,Wg/Wp=1/125~1。
  • 薄板玻璃制造方法

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