专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种变频器的IGBT驱动电源电路-CN201620314712.5有效
  • 王建中;张耀东;边军;朱芸 - 大连弘达冶金成套设备有限公司
  • 2016-04-15 - 2016-09-07 - H02M3/337
  • 包括多谐振荡器部分、整形放大部分和功率驱动及电源变换部分,所述多谐振荡器部分中包括电容C1、电阻R1和CD4047芯片,所述CD4047芯片管脚8、9、12连接电源地M,所述整形放大部分包括电阻R2、电阻R4、三极管V1、三极管V2、三极管V5、三极管V6,所述CD4047芯片管脚10、11连接电阻R2和电阻R4,所述功率驱动及电源变换部分包括电阻R3、电阻R5、IGBT模块V3、IGBT模块V7、变压器T1、变压器T2、二极管V4、二极管V8、二极管V9、二极管V10、二极管V11、二极管V12、二极管V13、二极管V14、二极管V15、二极管V16、二极管V17、二极管V18、二极管V19和二极管V20
  • 一种变频器igbt驱动电源电路
  • [发明专利]处理薄膜衬底的方法-CN200480011643.0有效
  • 汉斯·约兰·埃瓦尔德·马丁;克拉斯·安德斯·约尔特;米卡埃尔·彼得·埃里克·林德贝里 - 森谢尔公司
  • 2004-04-21 - 2006-05-31 - H05K3/18
  • 第一数量的真正纳米路径填充有具有良好电特性的第一材料(M1),用于形成第一数量的在此命名的第一通孔(V10、V30、V50),而第二数量的真正纳米路径填充有具有良好电特性的第二材料(M2),用于形成第二数量的在此命名的第二通孔(V20V40、V60)。选择所述第一和第二通孔(V10-V60)的第一材料(M1)和第二材料(M2)具有相互不同的热电特性。分布和/或调整表面施加到薄膜衬底和涂敷在薄膜衬底(10)的两侧(10a、10b)上的材料以便允许分配了第一材料(M1)的第一通孔与分配了第二材料(M2)的第二通孔电互连,并且使包含在串联连接中的第一通孔(V10)和包含在串联连接中的最后一个通孔(V60)串联配位以便形成热电偶(100)或其他电路装置。
  • 处理薄膜衬底方法

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