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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]基于压电陶瓷的可自动对焦FF-OCT皮下指纹采集系统及方法-CN202310835550.4在审
发明人：王海霞;陈郑元;钟典儒;张怡龙;陈朋;梁荣华 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： A61B5/1172 文献下载
摘要：使用PZT压电陶瓷进行对手指皮下指纹进行自动聚焦，调节PZT压电陶瓷使物镜缓慢下移，期间不断对图像质量进行评估，当指纹图像质量出现极大值时为最佳位置，并采集不同聚焦深度断层图。
基于压电陶瓷自动对焦 ff oct 皮下指纹采集系统方法

[发明专利]一种PZT-Pb(Sb1/2-CN202010825952.2有效
发明人：李玉臣;周志勇;梁瑞虹;董显林 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L41/39 文献下载
摘要：本发明涉及一种PZT‑Pb(Sb1/2Nb1/2)三元系压电陶瓷材料及其制备方法和应用，所述PZT‑Pb(Sb
一种 pzt pb sb base sub

[发明专利]一种高性能压电陶瓷的制备方法-CN202210933958.0有效
发明人：李茂洪 -专利权人：李茂洪
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： C04B35/493 文献下载
摘要：提供一种高性能压电陶瓷材料的制备方法，通过先合成Pb(Mg1/3Nb2/3)O3再加入PZT系统去实现高密度，制得的产品具有高密度、高功率、高效率、高品质因素的特点，本申请是一种改性的硬性PZT体系压电陶瓷，功率承受能力较高，综合性能高能够满足人们需求，极其适用于极高功率高驱动要求的功率型换能器
一种性能压电陶瓷制备方法

[发明专利]一次性热处理成膜制备锆钛酸铅厚膜的方法-CN00119749.5无效
发明人：蒲兴华;罗维根;丁爱丽;仇萍荪;何夕云 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2000-08-24 - 公布日： 2003-01-08 - 主分类号： C04B35/622 文献下载
摘要：本发明涉及一次性热处理成膜制备锆钛酸铅(PZT)厚膜的方法，属于锆钛酸铅系陶瓷领域。用此技术制备的PZT压电铁电厚膜性能良好。
一次性热处理制备锆钛酸铅厚膜方法

[实用新型]一种三维表面轮廓测量装置-CN201420712812.4有效
发明人：夏勇;周伟 -专利权人：镇江超纳仪器有限公司（中外合资）
申请日： 2014-11-24 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： G01B11/24 文献下载
摘要：该装置包括光源、同轴照明观察装置、干涉物镜、面阵CCD相机、PZT、载物台。照明光路出射光朝向分光棱镜，分光棱镜的反射光朝向干涉物镜；PZT与干涉物镜依次同轴设置在分光棱镜的反射光轴方向上；干涉物镜与成像镜头设置在分光棱镜的两侧，构成干涉成像光路；面阵CCD相机设置在同轴照明观察装置的上方
一种三维表面轮廓测量装置

[实用新型]一种复合超声换能器-CN201521103529.2有效
发明人：许小芳;周红生 -专利权人：中国科学院声学研究所东海研究站
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：其包括设置在背衬材料(4)上的超声波信号发射装置(3)，设置在超声波信号发射装置(3)上的超声波信号接收装置(2，2')，设置在超声波信号接收装置(2，2')上的匹配层(1)，其中，超声波信号发射装置(3)为压电陶瓷(PZT本实用新型的技术效果是通过压电陶瓷(PZT)和压电薄膜(PVDF)设置复合超声换能器中，有效地提高超声换能器的灵敏度和带宽。
一种复合超声换能器

[实用新型]用于微麦克风和扬声器的悬臂式振膜结构-CN00231331.6无效
发明人：任天令;张林涛;李志坚;刘理天 -专利权人：清华大学
申请日： 2000-03-31 - 公布日： 2000-12-27 - 主分类号： H04R7/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及用于微麦克风和扬声器的悬臂式振膜结构,该结构依次由硅衬底、氮化硅层、低温淀积的二氧化硅层、底层Pt/Ti电极、PZT铁电薄膜、顶层Pt/Ti电极相互排列而成,所述的氮化硅层、低温淀积的二氧化硅层、底层Pt/Ti电极、PZT铁电薄膜、顶层Pt/Ti电极排列而成的薄层,从硅衬底上伸出,形成悬臂结构。
用于麦克风扬声器悬臂膜结构

[实用新型]一种偏振光学调制器-CN200720007817.7无效
发明人：吴砺 -专利权人：福州高意通讯有限公司
申请日： 2007-08-03 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种偏振光学调制器，其包括一对偏振分束棱镜或walk－off晶体，在一对偏振分束棱镜或walk－off晶体之间设有1/2波片、一对光学楔角片和光学色散补偿平片，光学楔角片分别设在压电陶瓷片PZT上，其中光学楔角片与光学色散补偿平片分别设在偏振分束棱镜或walk－off晶体输出的分束平行光路上，采用以上结构，压电陶瓷片PZT驱动光学楔角片，引起光程变化，达到对光偏振方向或光强微量调制的目的产品的结构简单
一种偏振光学调制器

[发明专利]制备钛酸铅锆的稳定溶胶的方法和由该溶胶制膜的方法-CN02802957.7有效
发明人： P·贝勒维勒;P·博伊;Y·蒙托伊罗特 -专利权人：法国原子能委员会
申请日： 2002-09-19 - 公布日： 2004-03-31 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备钛酸铅锆即PZT溶胶的方法，钛酸铅锆的通式为PbZr_xTi_(1－x)O₃，其中0.45≤X≤0.7，相继包括下面的步骤本发明还涉及一种由所述的稳定溶胶制备PZT基膜的方法。还涉及该膜用于电子领域的用途。
制备钛酸铅锆稳定溶胶方法

[发明专利]附带铁电膜的硅基板-CN201480015888.4在审
发明人：土井利浩;桜井英章;曽山信幸 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2014-05-01 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：在基板主体(11)上通过溶胶‑凝胶法而形成的PZT系的铁电膜(12)中的残余应力为﹣14MPa～﹣31MPa，且铁电膜(12)结晶取向于(100)面。
附带铁电膜硅基板

[发明专利]BFRP模壳混凝土剥离损伤监测传感器布设结构及方法-CN201910034305.7在审
发明人：姜绍飞;王娟;杨文君;麻胜兰 -专利权人：福州大学
申请日： 2019-01-15 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： G01N29/04 文献下载
摘要：模壳混凝土剥离损伤监测传感器布设结构及方法，基于混凝土桥墩、设置在混凝土桥墩外围的BFRP膜壳、以及设置在混凝土桥墩和BFRP膜壳之间的不分散混凝土填充层，其特征在于，包括：不分散混凝土填充层内的智能骨料、BFRP膜壳外侧的PZT贴片、分别连接智能骨料和PZT贴片的信号激励和接收装置、以及连接信号激励和接收装置的上位机。
混凝土桥墩布设膜壳分散混凝土剥离损伤监测智能骨料填充层传感器模壳贴片混凝土安全施工保障作用工程安全健康监测连接信号信号激励主动监测上位机传感灵敏测量损伤外围

[发明专利]一种GT腔的VOA-CN201711140208.3在审
发明人：吴砺;胡豪成;陈立勋;李阳;肖鹏;林江铭 -专利权人：福州高意通讯有限公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： G02B6/26 文献下载
摘要：本发明公开一种GT腔的VOA，其包括光纤准直器和偏振分光器，沿偏振分光器的透射光路上设第一GT腔，沿偏振分光器的反射光路上设第二GT腔，第二GT腔内设有热光平片或PZT干涉组件。本发明通过加热片加热改变光学片的厚度或者采用PZT压电陶瓷在外加电信号的作用下发生伸缩，带动第二光学楔角块移动，使得第一光学楔角块和第二光学楔角块在光路上的有效厚度发生连续变化。
偏振分光器楔角光纤准直器干涉组件曲线斜边曲线中心有效厚度反射光光衰减光学片加热片块移动透射光伸缩移动平片腔长热光加热

[发明专利]一种柔性光学移相装置-CN200610127187.7有效
发明人：李强;朱振宇;兰一兵 -专利权人：中国航空工业第一集团公司北京长城计量测试技术研究所
申请日： 2006-09-12 - 公布日： 2007-02-14 - 主分类号： G01B9/02 文献下载
摘要：它由底座1，固定在底座1上的PZT元件3、位移传递机构5、位于PZT元件3和位移传递机构5之间的钢球4、与位移传递机构5连接的、由镜片座6和镜片套7组成的镜片夹持机构和固定在镜片夹持机构中的镜片8组成，
一种柔性光学装置

[发明专利]铁电场效应晶体管存储器件结构及制备方法-CN200710048216.5无效
发明人：蔡道林;李平;张树人 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2007-01-08 - 公布日： 2007-07-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明包括上电极、源区和漏区，从上到下各层依次为：PZT铁电薄膜、多晶硅、绝缘层、阱和Si基片，上电极位于PZT铁电薄膜上。
电场效应晶体管存储器件结构制备方法

[发明专利]频率调制单频光纤激光器-CN201310255204.5无效
发明人：徐善辉;杨中民;李灿;冯洲明;张勤远;姜中宏 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2013-06-25 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： H01S3/067 文献下载
摘要：本发明提供了一种频率调制单频光纤激光器，所述激光器包括新型稀土掺杂磷酸盐玻璃光纤、窄带布拉格光纤光栅、二色镜或宽带布拉格光纤光栅、单模半导体泵浦光源、波分复用器、光纤隔离器以及PZT压电陶瓷，本发明的激光短腔结构，采用PZT压电陶瓷来调制短磷酸盐玻璃光纤激光谐振腔的单纵模频率，可以实现同时具备良好单频性能的频率调制光纤激光输出，其频率调制范围高达1GHz。
频率调制光纤激光器

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