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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种含邻苯二胺衍生物合Cd(Ⅱ)的聚合配合物染料敏化剂及其制备方法-CN201610510212.3有效
发明人：钟超凡;陈天祺;刘晔;陈旭;夏畅;万婷 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种D‑A’‑π‑A型含邻苯二胺衍生物合Cd(Ⅱ)聚合配合物染料敏化剂PIDT‑NCd及其制备方法。Ⅱ)的辅助配体8‑羟基喹啉衍生物为π桥，氰基（‑CN）和羧基（‑COOH）为主电子受体（A）和锚定基团，通过yamamoto反应将引达省并二噻吩衍生物和Cd(Ⅱ)配合物聚合制备得到聚合配合物染料敏化剂PIDT‑NCd实验以PIDT‑NCd为染料敏化剂的染料敏化太阳能电池光伏性能测试表现出较好的效果光电转化效率（PCE）达到6.43%，染料热稳定性高，其热分解温度达到了338℃，能满足光伏材料的需求。
一种含邻苯二胺衍生物 cd 聚合配合染料敏化剂及其制备方法

[发明专利]一种具有可选控制模板的PIDT控制技术及其方法-CN201210242902.7在审
发明人：杜飞明;何亨贵 -专利权人：杜飞明;湖南工业职业技术学院
申请日： 2012-07-15 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： G05B11/42 文献下载
摘要：本发明公开一种具有可选控制模板的PIDT控制技术及其方法，它包含PID控制和模板控制，通过模板控制，提升系统的动态响应性能。PIDT控制技术的主要方法是：在控制系统启动（偏差相对较大）过程中，采用模板（T）独立控制或PID控制与模板（T）联合控制，模板控制量的大小由选用模板和模板控制强度系数确定；工作过程中，偏差较小时采用PID具有可选控制模板的PIDT控制器中，控制模板既有已建好的，也可以根据控制规律自建模板。
一种具有可选控制模板 pidt 技术及其方法

[发明专利]一种近红外发光二极管及其制备方法-CN202310722780.X在审
发明人：郭坤平;唐喆;仇瑞瑞;任龙宇;王晓;张麦丽;张方晖 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2023-06-17 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10K50/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种近红外发光二极管及其制备方法，其中近红外发光二极管包括：从下而上依次设置的阳极、空穴传输层、三元近红外发光层、电子传输层和阴极；阳极采用透明导电玻璃基片；空穴传输层采用有机半导体材料；三元近红外发光层采用F8BT：PIDT本申请提出的一种近红外发光二极管及其制备方法，通过调控F8BT：PIDT‑2TPD：BTT*的混合重量比例，从而最大化
一种红外发光二极管及其制备方法

[实用新型]一种智能型直流充电装置-CN201720542208.5有效
发明人：王建军;邵瑞影 -专利权人：青岛博瑞电气有限公司
申请日： 2017-05-16 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： H02J7/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种智能型直流充电装置，包括可编程控制器，所述可编程控制器输出端分别与交流接触器、PIDT调节模块和报警器的输入端连接，所述可编程控制器与显示装置双向连接，所述可编程控制器的输入端与第一熔丝保护模块输出端连接有益效果通过采用可编程控制器，对输入、输出的开关量、模拟量以及通讯数据进行了噪声过滤，保证了其抗干扰能力，而显示装置实时监视充电器的各种运行及故障状态，使现场操作和维护更为直观、方便和简单，另外PIDT
一种智能型直流充电装置

[发明专利]一种深红-近红外发光二极管及其制备方法-CN202310722404.0在审
发明人：郭坤平;丑幸幸;唐喆;周桐;闫夏星;薛涛;张方晖 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2023-06-17 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10K50/11 文献下载
摘要：近红外发光二极管包括：从下而上依次设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、深红‑近红外发光层、电子传输层和阴极；阳极采用透明导电玻璃基片；空穴注入层采用有机注入材料；空穴传输层采用TFB；深红‑近红外发光层采用F8BT：PIDT
一种深红红外发光二极管及其制备方法

[发明专利]一类含8-羟基喹啉衍生物合Cu(II)的聚合金属配合物染料敏化剂及其制备方法-CN201610581893.2有效
发明人：钟超凡;刘晔;陈天祺;廖艳龙;祝春晓;陈旭 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：IDT)或咔唑(CZ)两种物质的衍生物作电子给体(D)，8‑羟基喹啉衍生物合Cu(II)的配合物分别作为A′和π桥，以氰基丙烯酸为电子受体(A)和锚定基团，通过Yamamoto反应聚合得到了该类两种敏化剂PIDT‑QCu
一类羟基喹啉衍生物 cu ii 聚合金属配合染料敏化剂及其制备方法

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