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[发明专利]一种NiSe2过渡金属硫属化物纳米片、其制备方法及用途-CN201610888406.7在审
发明人：向斌;刘萍 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2016-10-11 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种NiSe2过渡金属硫属化物纳米片，所述纳米片的长度为1～2μm，厚度为30～80nm。本发明提供的过渡金属硫属化物为纳米片，具有更大的比表面积，作为水分解电催化剂，具有更高的催化效率。本发明还提供了上述NiSe2过渡金属硫属化物纳米片的制备方法，以镍源化合物和氨水为原料，在衬底保温生长Ni(OH)2纳米片，然后Se置换，得到NiSe2过渡金属硫属化物纳米片。上述方法过程简单，且成功制备得到了片状形貌的NiSe2过渡金属硫属化物。
一种 nise2 过渡金属硫属化物纳米制备方法用途

[发明专利]一种两相NiSe2/碳纳米管复合物的制备方法-CN202011519464.5有效
发明人：申士杰;张欢欢;钟文武;林志萍;王宗鹏 -专利权人：台州学院
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C01B32/168 文献下载
摘要：本发明公开一种两相NiSe2/碳纳米管复合物的制备方法，所述方法包括制备前驱体，水热反应等步骤。制备的复合物具备优异的电催化析氢性能。
一种两相 nise2 纳米复合物制备方法

[发明专利]一种BiVO4/NiSe2/Bi复合物的制备方法-CN202010889977.9有效
发明人：申士杰;钟文武;张欢欢;林志萍;王宗鹏;赵钰燚 -专利权人：台州学院
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： B01J27/057 文献下载
摘要：本发明公开一种BiVO4/NiSe2/Bi复合物的制备方法，所述方法包括制备前驱体，水热反应等步骤。制备的复合物具备优异的光催化降解有机物的性能。
一种 bivo4 nise2 bi 复合物制备方法

[发明专利]一种NiSe2/Ni3Se4/碳纳米管复合物的制备方法-CN202110193975.0有效
发明人：申士杰;张欢欢;钟文武;刘彦平;林志萍;王德花 -专利权人：台州学院
申请日： 2021-02-21 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C25B1/04 文献下载
摘要：本发明公开一种NiSe2/Ni3Se4/碳纳米管复合物的制备方法，所述方法包括制备前驱体，水热反应等步骤。制备的复合物具备优异的电催化析氢性能。
一种 nise2 ni3se4 纳米复合物制备方法

[发明专利]一种锂/钠离子电池负极材料及其制备方法-CN202110546168.2有效
发明人：李明玉;于占军;霍海波;杨梦婕;陈冬霞;付林杰;麻华丽;王献立;曾凡光 -专利权人：郑州航空工业管理学院
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂/钠离子电池负极材料及其制备方法，该负极材料由以下重量份的原料制备所得：CMK‑8 20～30份、NiSe2八面体微晶3～7份、类石墨烯二硫化钼10～20份、碳纳米管3～6份、半胱氨酸本发明以CMK‑8为模板，在其表面附着由类石墨烯二硫化钼、NiSe2八面体微晶、碳纳米管构成的立体结构，内载丰富的通道，易于锂/钠离子在通道中迁移穿梭，嵌入与脱出，大大提高锂/钠离子的充放电比容量，同时其内部大量的空间可以有效的避免负极材料的体积膨胀
一种钠离子电池负极材料及其制备方法

[发明专利]一种在多元醇基溶液中合成二硒化镍纳米晶的方法-CN201310390038.X无效
发明人：靳正国;刘彤;李佳 -专利权人：天津大学
申请日： 2013-08-30 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：0.25mmol六水合硝酸镍，溶解于10ml三乙二醇中，得到镍先质阳离子源溶液；另在三口圆底烧瓶中加入40ml三乙二醇，添加硒粉，再添加0.1g聚乙烯基吡咯烷酮，得到阴离子源溶液；其中Ni/Se摩尔比分别为1:2、1:1.9、1:1.8、1:1.7；（2）缓慢加热阴离子溶液至210～270℃时快速注入阳离子源溶液，回流反应合成NiSe2纳米晶溶液。
一种多元溶液合成二硒化镍纳米方法

[发明专利]一种自支撑多孔片状磷硒化镍电极的制备方法及应用-CN202210569434.8在审
发明人：张丽;段志昊;姜佳慧;胡启迪 -专利权人：新疆大学
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：此材料制备方法包括：（1）先将剪裁好的泡沫镍在盐酸、乙醇、水中分别超声若干时间去除表面氧化物，随后将处理好的泡沫镍真空干燥；（2）在氮气气氛下，以红磷为磷源，硒粉为硒源，将硒粉、红磷和处理好的泡沫镍分别放在管式炉的上中下游进行煅烧NiPSe/NF优异的电化学活性主要归功于多孔片状自支撑电极的构筑，NiPx‑NiSe2之间的协同作用。
一种支撑多孔片状磷硒化镍电极制备方法应用

[发明专利]核壳结构NiSe₂@SiO₂复合热电材料及制备方法-CN201410244778.7有效
发明人：张波萍;张代兵;郑丽君;程冬冬 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2014-06-04 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：一种核壳结构NiSe₂@SiO₂热电材料及制备方法。本发明通过机械合金化法制备了颗粒尺寸为0.1~1µm的NiSe₂前驱粉体，通过溶胶凝胶法在NiSe₂粉体表面包覆厚度在5~500nm范围内可控的无定形SiO₂，制备出以SiO₂为壳、NiSe₂为核的核壳结构NiSe₂@SiO₂复合粉体。所得复合粉体经放电等离子烧结后，核壳结构保存于块体中，制备出核壳结构的NiSe₂@SiO₂复合块体热电材料。NiSe₂@SiO₂复合块体热电材料较单相NiSe₂热电材料具备更高的塞贝克系数、功率因子，同时降低了热导率。
结构 nise sub sio 复合热电材料制备方法

[发明专利]一种NiSe2-CN202210408967.8在审
发明人：任慢慢;王贺;卢龙泉;刘伟良;杨铭志 -专利权人：齐鲁工业大学
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明属于锂硫电池电极材料的制备技术领域，尤其涉及一种NiSe2‑CNT/S复合锂硫电池正极材料及其制备方法。本发明所述正极材料以碳纳米管作为碳基材料，NiSe2纳米颗粒均匀复合在所述碳纳米管上形成NiSe2‑CNT复合材料，单质硫负载在所述NiSe2‑CNT复合材料上。本发明采用溶剂热的方法合成了NiSe2‑CNT的复合材料，载硫后用于锂硫电池正极。本发明制备的电极材料是以碳纳米管作为碳基材料，复合NiSe2纳米颗粒，相比于传统电极材料拥有了更加优异的吸附性，具有较高电子和离子传输性，循环稳定性以及电化学性能得到了较大的提升
一种 nise base sub

[发明专利]MoS2-CN202210652194.8在审
发明人：张胜利;郭婷婷;魏鹏飞;屈恒泽;剪宇轩;张静雯;宋秀峰 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种MoS2/Ta2NiSe5异质结光电探测器及其制备方法。所述的MoS2/Ta2NiSe5异质结光电探测器包含衬底、MoS2薄片、Ta2NiSe5薄片和金属源漏电极，MoS2薄片位于Ta2NiSe5薄片上方且与Ta2NiSe5<本发明的MoS2/Ta2NiSe5异质结光电探测器不仅在小偏压下提高了MoS
mos base sub

[发明专利]一种NiP2-CN202310067781.5在审
发明人：黄剑锋;陈倩;曹丽云;何自攀;李晓艺;李锦涵;刘瑞;刘振婷 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2023-01-15 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种NiP2‑NiSe/g‑C3N4光催化剂及其制备方法和应用，改还准备方法包括，采用马弗炉和管式炉通过两步煅烧得到g‑C3N4，再制备NiP2和NiSe，并将NiP2的引入使其与NiSe结合构建异质结构的助催化剂，最后通过超声法将到g‑C3N4和NiP2‑NiSe复合，得到具有优异催化性能NiP2‑NiSe/g‑C3N4光催化剂，本发明采用了固相烧结法制得NiP2‑NiSe，并通过超声与g‑C
一种 nip base sub

[发明专利]NiSe/Ni3-CN202010396925.8有效
发明人：孙剑辉;铁璐娜;刘艳美;申淑洁;禹崇菲 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C25B1/04 文献下载
摘要：本发明属于电极制作技术领域，具体涉及一种NiSe/Ni3S2复合物、制备方法及其制得的自支撑电极，包括以下步骤：（1）NiSe/NF的合成：将Se粉末放入甘油和乙醇的混合溶液中，再在溶液中缓慢加入NaBH4，搅拌10‑30分钟，然后将一片经过处理的NF和上述溶液一起装入高压釜中，并在150‑250°C下反应12小时，自然冷却后，将所得产物（NiSe）用去离子水和乙醇交替洗涤数次，（2）NiSe/Ni3S2的合成：向乙二醇和乙醇混合溶液中加入硫代乙酰胺和尿素后，继而加入步骤（1）的NiSe/NF，并在高压釜内于100‑200°C下反应2‑8h，冷却、洗涤后得NiSe/Ni3S2。
nise ni base sub

[发明专利]一种类花状结构NiSe2-CN201911141418.3有效
发明人：齐殿鹏;田宫伟;刘妍;徐洪波;钟正祥 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G01N27/30 文献下载
摘要：一种类花状结构NiSe2的制备方法及其应用，属于葡萄糖传感器的技术领域。本发明要解决现有检测血糖浓度存在不稳定的技术问题。本发明经一步简单的水热反应制备了多活性位点和优异导电性的类花状NiSe2，类花状NiSe2具有优异的导电性能和大量的氧化还原活性位点，在玻碳电极上面构筑了仿生结构NiSe2；能用于高灵敏度的无酶葡萄糖电化学传感。本发明制备的类花状结构NiSe2生物传感器灵敏度高，稳定性好，线性范围宽，广泛应用于糖尿病人的血糖和尿糖的监测。
种类结构 nise base sub

[发明专利]一种NiSe2/Ti3C2Tx高性能超级电容器纳米复合材料的制备方法-CN201811023801.4有效
发明人：张莉梅;董立春;江寒梅;谭陆西;秦莉晓 -专利权人：重庆大学
申请日： 2018-08-27 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01G11/30 文献下载
摘要：一种NiSe2/Ti3C2Tx高性能超级电容器纳米复合材料的制备方法本发明以NiSe2与Ti3C2Tx>C2Tx，再将Se粉与NiCl2按一定摩尔比混合，在螯合剂的作用下进行反应，生成NiSe22Tx纳米片与NiSe2颗粒复合，获得NiSe2/Ti3C2Tx纳米复合材料，使材料拥有更好的电荷转移和更多可用的活性位点，而且提高了NiSe2/Ti
一种 nise2 ti3c2tx 性能超级电容器纳米复合材料制备方法

[发明专利]CoSe2-CN202010842901.0在审
发明人：杜记民;燕中飞;景晓华;魏贵明;王乐 -专利权人：安阳师范学院
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： B01J27/057 文献下载
摘要：本发明公开了一种CoSe2/NiSe2–CC复合材料及其制备方法。>2O3‑CC的制备；步骤三、CoSe2/NiSe2‑本发合成了高密度且均匀分布的CoSe2/NiSe2–CC复合材料，不同掺杂比例的CoSe2/NiSe2–CC复合材料，在Co:Ni（摩尔比）=7:3时样品的电催化活性最好。在相同的过电位下，CoSe2/NiSe2‑CC‑73拥有更好的电催化活性，能够更有效的发生电解水析氢，在相同的电极体系下产氢效率最高
cose base sub

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