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- [发明专利]半导体激光装置-CN01118678.X无效
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福永敏明
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富士胶片株式会社
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2001-06-07
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2002-12-11
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H01S5/20
- 在n-GaAs基板11上形成以下积层,即n-AlzlGal-zlAs下部金属包层12、n或i-In0.49Ga0.51P下部光导波层13、Inx3Gal-x3Asl-y3Py3量子井活性层14、P或i-In0.49Ga0.51P上部第一光导波层15、GaAs盖层16、SiO2膜17。从劈开面内侧上去除20μm宽的SiO2膜17。将该SiO2膜17作为掩蔽层,去除端面附近的GaAs盖层,P或i-In0.49Ga0.51P上部第一光导波层。接着去除SiO2膜17,去除端面附近的Inx3Gal-x3Asl-y3Py3量子井活性层14和残留的GaAs盖层16。
- 半导体激光装置
- [发明专利]电光装置用基板、电光装置以及电子设备-CN200810005603.5无效
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石井达也
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精工爱普生株式会社
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2008-02-05
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2008-08-13
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G02F1/1362
- 本发明的电光装置用基板具备:沿着Y方向相互错开1个像素量地配置的元件部130a以及130b;分别覆盖数据线侧LDD区域1b-1以及1b-2的部分Py1以及Py3;分别覆盖像素电极侧LDD区域1c-1以及1c-2的部分Py2以及Py4;分别覆盖数据线侧LDD区域1b-3以及1b-4的部分Py5以及Py7;分别覆盖像素电极侧LDD区域1c-3以及1c-4的部分Py6以及Py8。进而,像素电极9a1以及9a2分别配置在形成有部分Py1以及Py3且沿着X方向相互相邻的像素中,像素电极9a3以及9a4分别配置在形成有部分Py5以及Py7且沿着X方向相互相邻的像素中。
- 电光装置用基板以及电子设备
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