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- [发明专利]存储单元具有磁阻存储效应的集成存储器-CN01122146.1无效
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P·佩赫米勒
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因芬尼昂技术股份公司
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2001-07-03
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2002-02-27
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G11C11/15
- 一种集成存储器,它具有一些有磁阻存储效应的存储单元(MC),所述的存储单元分别被连接在列线(BL0~BLn)与行线(WL0~WLm)之间。所述的行线(WL2)可以与选择信号(GND)的端子相连,以便通过与存储单元(MC3)相连的列线(BL2)读取存储单元之一(MC3)的数据信号(DA),或向存储单元之一(MC3)写入数据信号(DA)。如此地控制不与存储单元(MC3)相连的一个或多个列线(BL0,BL1,BLn),使得其在读放大器(3)内被电隔离开,以便读取或写入数据信号(DA)。由此,在存在故障存储单元(MC2)的情况下,可以实现有序地读取或写入所述存储单元(MC3)的数据信号(DA)。
- 存储单元具有磁阻效应集成存储器
- [发明专利]晶闸管存储器单元集成电路-CN201480042157.9无效
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G.W.泰勒
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欧培拉太阳能公司;康涅狄格大学
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2014-07-18
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2016-05-11
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G11C11/39
- 一种半导体存储器器件包括在基底上形成的存储器单元(MC)的阵列,所述存储器单元(MC)每个从负载元件和晶闸管实现,负载元件和晶闸管定义可切换电流路径,所述可切换电流路径的状态表示由MC存储的易失性位值。对应于所述阵列的各个行的至少一个字线在所述基底上形成,并耦接到针对对应行的MC电流路径。对应于所述阵列的各个列的位线在所述基底上形成,并可以耦接到针对对应列的MC晶闸管的调制掺杂QW界面。电路被配置成对(多个)字线施加电信号以便生成电流,所述电流根据MC的电流路径的状态将所述MC负载元件的相变材料编程为高或低电阻状态中的一个,以用于非易失性备份和恢复目的。
- 晶闸管存储器单元集成电路
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