专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种减小功率VDMOSFET导通电阻的方法-CN201110331186.5无效
  • 林康生;陈品霞 - 博嘉圣(福州)微电子科技有限公司
  • 2011-10-27 - 2012-02-22 - H01L21/336
  • 本发明涉及一种减小功率VDMOSFET导通电阻的方法,包括窗口扩散区长度Lw和多晶硅栅长度Lp的确定,其特征在于:首先,取得下式中Lw的较大值作为窗口扩散区长度,Lw=a+26+2c,Lw=a+6+1.6xjp,式中,a为光刻最小光刻线宽,b为套刻精度,c为多晶硅与引线孔最小间距,xjp为P一区结深;其次,根据确定的窗口扩散区长度Lw,在VDM0SFET的特征电阻尺随多晶硅栅长度大小的变化曲线上确认Lp的最佳值通过本发明方法确定的窗口扩散区长度Lw和多晶硅栅长度Lp设计场效应管器件,能有效减小导通电阻,大大减小了产品的功率损耗,提高了产品的可靠性。
  • 一种减小功率vdmosfet通电方法
  • [发明专利]荧光观察装置-CN201580005986.4有效
  • 森下弘靖 - 奥林巴斯株式会社
  • 2015-01-09 - 2018-01-02 - A61B1/00
  • 提供荧光观察装置(100),其具有光源部(3),其对被摄体(X)同时照射照明光(Lw)和具有该照明光的波段中的一部分波段的激励光(Lex);单一的摄像元件(52),其同时拍摄照明光(Lw)的来自被摄体(X)的反射光(Lw’)和通过照射激励光(Lex)而在被摄体(X)中产生的荧光(Lf);滤光器(53),其向摄像元件(52)透射除了激励光(Lex)以外的光(Lw’、Lf);以及调光部(64),其相互独立地调整来自光源部(3)的照明光(Lw)的输出强度和激励光(Lex)的输出强度。
  • 荧光观察装置

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