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- [发明专利]厚胶紫外光移动掩模光刻的三维光强分布模拟方法-CN201310419458.6有效
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余倩;周再发;张恒;黄庆安
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东南大学
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2013-09-13
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2013-12-25
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G03F7/20
- 本发明利用入射紫外光的旁轴近似技术来处理基于光学标量衍射理论的菲涅耳-基尔霍夫衍射积分方程,平移菲涅耳积分上下限,推出了适合DNQ胶紫外光移动掩模光刻工艺的三维光强计算模型;综合考虑了紫外光传播过程中在空气/DNQ胶界面的反射与折射效应和DNQ胶/衬底界面的反射效应,以及DNQ胶对紫外光的吸收因素,较高精度地模拟DNQ胶紫外光移动掩模光刻工艺的三维光强分布;在光刻胶中紫外光的三维光强计算模型中,将掩模板随时间移动的位置函数嵌入光强分布函数中获得随时间变化的光强分布以及整个曝光过程中光刻胶不同位置的曝光剂量解决了传统的基于标量衍射理论的光强分布模拟方法无法模拟DNQ胶紫外光移动掩模光刻工艺的三维光强分布的问题。
- 紫外光移动光刻三维分布模拟方法
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