专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]聚丙烯纺粘纤维-CN200880114113.7有效
  • W·M·费里;G·C·理查森 - 埃克森美孚化学专利公司
  • 2008-09-05 - 2010-10-13 - D01F6/06
  • 本文公开了具有3.5-7.0的Mw/Mn、大于2.0的Mz/Mw和50-100dg/min的熔体流动速率(230/2.16)的减粘裂化聚丙烯的纺粘纤维。还公开了纺粘纤维的制备方法,包括将具有10-30dg/min的熔体流动速率(230/2.16)的聚丙烯与过氧化物减粘裂化试剂熔体共混使得该减粘裂化聚丙烯的所得的熔体流动速率为50-100dg/min;将该减粘裂化聚丙烯经过模块熔体挤出使得该减粘裂化聚丙烯的正在产生的长丝暴露于
  • 聚丙烯纤维
  • [发明专利]半导体装置的制造方法和半导体装置-CN201710726739.4有效
  • 三原竜善 - 瑞萨电子株式会社
  • 2017-08-23 - 2023-05-26 - H01L21/28
  • 形成虚设控制栅电极(DG)和存储器栅电极(MG),以覆盖它们的方式形成层间绝缘膜(IL1)后,研磨层间绝缘膜(IL1)使虚设控制栅电极(DG)和存储器栅电极(MG)露出。之后,通过蚀刻去除虚设控制栅电极(DG)后,在作为去除了虚设控制栅电极(DG)的区域的槽内形成控制栅电极。虚设控制栅电极(DG)由非掺杂或n型的硅膜构成,存储器栅电极(MG)由p型的硅膜构成。在去除虚设控制栅电极(DG)的工序中,在虚设控制栅电极(DG)和存储器栅电极(MG)露出的状态下,在存储器栅电极(MG)比虚设控制栅电极(DG)不易被蚀刻的条件下进行蚀刻,去除虚设控制栅电极(DG)。
  • 半导体装置制造方法
  • [发明专利]半导体摄像元件-CN200780017004.9无效
  • 广津总吉;广津寿一 - 广津总吉
  • 2007-05-08 - 2009-05-27 - H04N5/335
  • 在各像素电路(10)的第1节点(N1),储存与入射光量相对应的信号电荷。储存电荷排放电路(20)具有属于同一像素群的多个像素电路(10)的各第1节点(N1)和通过作为可变电阻元件起作用的电荷排放门(DG)连接的第2节点(N2)。第2节点(N2)在控制开关(24)的接通期间作为浮动泄放点起作用,而在按1帧期间的中间时刻设定的控制开关(24)的切断期间,利用电容(22)储存从各像素电路(10)流出的信号电荷。对像素群的入射光强时,各电荷排放门(DG)的电阻值随电容(22)中储存的信号电荷的增加而减小,从而能在中间时刻暂时排放各像素电路(10)的储存信号电荷。
  • 半导体摄像元件

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