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- [发明专利]半导体存储装置-CN202110947764.1在审
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前嶋洋
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铠侠股份有限公司
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2021-08-18
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2022-09-27
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H01L27/11529
- 实施方式的半导体存储装置具备:第1及第2存储单元(MT),设置在衬底上方;位线(BL0),在Y方向上延伸,与第1存储单元电连接;第1贴合焊垫(BP1、BP2),与位线(BL0)电连接;感测放大器(SA0),与第1贴合焊垫电连接,对位线(BL0)的电压进行感测;位线(BL1),与位线(BL0)相邻地在Y方向上延伸,与第2存储单元电连接;第2贴合焊垫(BP1、BP2),与位线(BL1)电连接;以及感测放大器(SA1),与第2贴合焊垫电连接,对位线(BL1)的电压进行感测。
- 半导体存储装置
- [发明专利]静态随机存取存储器的位线负载和预充电结构-CN98802041.6无效
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萨罗杰·帕塔克;詹姆斯·E·佩恩
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爱特梅尔股份有限公司
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1998-01-06
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2000-02-09
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G11C11/00
- 一种SRAM(图6和图7)监视其WRITE(写入)/READ(读取)管脚(77),并且当SRAM处在读取方式时,启动第一预充电方案,在该方案中,每一互补位线对(BL1,BL#1;BL2,BL#2;BL3,BL#3;BLn,BL#n)通过不管存储器单元是否处在读取方式都永久处在开启状态的第一pmos晶体管(Ld1,Ld1#;Ld2,Ld2#;Ld3,Ld#3;Ldn,Ldn#)而直接与Vcc耦合。
- 静态随机存取存储器负载充电结构
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