专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果1839668个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]应用于终端的解锁方法、系统、终端和存储介质-CN201710552100.9在审
  • 杨辰 - 深圳天珑无线科技有限公司;深圳市天珑移动技术有限公司
  • 2017-07-07 - 2017-12-05 - G06F3/0488
  • 一种应用于终端的解锁方法、系统、终端和存储介质,所述方法包括在触摸屏上获取用于解锁终端的触摸指令序列,触摸指令序列中的每个触摸指令包括位置信息和辅助检测信息;根据预设的至少两个检测范围,按照各个触摸指令的辅助检测信息所属的检测范围,将各个触摸指令划分为至少两个触摸指令子序列;获取预设的解锁图案集合,所述解锁图案集合包括预设的至少两个检测范围对应的至少两个分层解锁图案,每个分层解锁图案包括预设的位置信息;对于每个触摸指令子序列,根据所述触摸指令子序列中触摸指令的位置信息,与所述触摸指令子序列对应的分层解锁图案中的位置信息进行匹配;若所有触摸指令子序列均匹配成功,解锁终端。
  • 应用于终端解锁方法系统存储介质
  • [发明专利]一种减小栅极多晶硅头对头关键尺寸的方法-CN201710761501.5在审
  • 陆连;陈伏宏;李全波 - 上海华力微电子有限公司
  • 2017-08-30 - 2018-01-12 - H01L21/3213
  • 本发明提供一种减小栅极多晶硅头对头关键尺寸的方法,包括于Si‑ARC层的上表面涂设一具有预设光刻图案的光刻胶层;以光刻胶层为掩膜对Si‑ARC层进行刻蚀以将预设光刻图案装转移至Si‑ARC层;去除光刻胶层,以Si‑ARC层为掩膜对SOC材料层进行刻蚀以将预设光刻图案装转移至SOC材料层,Si‑ARC层、SOC材料层以及介质层构成一凹槽;沉积一预定厚度的碳氢集合物层;去除位于Si‑ARC层的上表面以及凹槽的底面的碳氢集合物层;去除Si‑ARC层,以SOC材料层为掩膜对介质层进行刻蚀以将预设光刻图案转移至介质层;去除SOC材料层,以介质层为掩膜对多晶硅层进行刻蚀以将预设光刻图案转移至多晶硅层。
  • 一种减小栅极多晶对头关键尺寸方法
  • [发明专利]一种智能现场检测纺织产品质量的方法-CN201710658567.1有效
  • 胡侠 - 胡侠
  • 2017-08-04 - 2018-04-10 - G06T7/00
  • 本发明涉及一种智能现场检测纺织产品质量的方法,该方法包括1)提供一种被罩图案智能现场检测平台;以及2)运行所述检测平台进行检测。检测平台包括MMC存储卡、被罩识别设备、图案识别设备和图案匹配设备,所述被罩识别设备用于识别待处理的对象是否为被罩,所述图案识别设备与所述被罩识别设备连接,用于在待处理的对象为被罩时,识别被罩上的现场图案,所述图案匹配设备与所述图案识别设备连接,用于将所述现场图案预设基准图案进行比较;其中,所述MMC存储卡用于预先存储预设基准图案
  • 一种智能现场检测纺织产品质量方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top