“方承丽”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种真空离心式闪烁晶体阵列制作方法-CN202110197080.4有效
发明人：董鸿林;王强;王璐;丁雨憧;方承丽 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G01T1/202 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空离心式闪烁晶体阵列制作方法，采用装夹夹具对多根闪烁晶条进行装夹定位，然后向固化容器的初步固化槽内倒入混合胶液，多根阵列分布的闪烁晶条下端与槽内的混合胶液接触，然后与固化容器一同进行真空干燥，将固化容器、装夹夹具与多根阵列分布的闪烁晶条相互分离，得到底部具有胶层的初步闪烁晶体阵列；完全固化槽内倒满混合胶液，将离心容器与初步闪烁晶体阵列一同真空混料设备中真空离心，将真空离心后的离心容器与初步闪烁晶体阵列一同进行真空干燥，将离心容器与初步闪烁晶体阵列分离，得到闪烁晶体阵列。本发明能够提高闪烁晶体阵列中反射层的尺寸一致性，并排除反射层内的空气，提高闪烁晶体阵列的反射性能。
一种真空离心闪烁晶体阵列制作方法

[实用新型]一种基于Ce：GAGG闪烁晶体的闪烁屏结构-CN202020395658.8有效
发明人：王璐;丁雨憧;王强;董鸿林;方承丽 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： G21K4/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于Ce：GAGG闪烁晶体的闪烁屏结构，包括基板、反射层、Ce：GAGG闪烁晶体层，基板采用不透光材料制作，其中，反射层设置在基板及Ce：GAGG闪烁晶体层之间；基板表面设有与反射层及Ce：GAGG闪烁晶体层形状相匹配的安装槽，反射层及Ce：GAGG闪烁晶体层设置在安装槽内。与现有技术相比，Ce：GAGG闪烁晶体不潮解，闪烁屏结构更加简单；Ce：GAGG闪烁晶体与CsI（Tl）闪烁晶体相比，光输出接近、衰减时间短、密度更大、能量分辨率更好、性价比更高；密度和有效原子序数更大，使其具有更高的探测效率；Ce：GAGG闪烁晶体屏与CsI（Tl）闪烁晶体屏相比，Ce：GAGG闪烁晶体屏容易加工，闪烁屏制作无需专用设备，投入成本少。
一种基于 ce gagg 闪烁晶体结构