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[发明专利]铜铟镓硒硫五元靶材的制作方法-CN201010542692.4无效
发明人：钟润文 -专利权人：慧濠光电科技股份有限公司
申请日： 2010-11-05 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： B22F3/16 文献下载
摘要：一种铜铟镓硒硫五元靶材的制作方法，包含铜铟镓硒硫化合物制作步骤、铜铟镓硒粉末制作步骤、靶材初胚制作步骤、烧结步骤以及整型步骤，主要是依照原子比例，将铜、铟、镓、硒、硫的元素粉末以合成溶剂混合，再反应合成为铜铟镓硒硫化合物，再制作为铜铟镓硒靶材，或将作为五元靶材先驱物混合步骤的三元或四元化合物粉末混合，经过高压烧结而完成，以本发明铜铟镓硒靶硫五元材制作铜铟镓硒薄膜，可省略硒化、硫化步骤，以确保制程安全性，且该靶材的导电度适用直流溅镀及射频溅镀，能提升溅镀效率、形成无污染、成分均匀的铜铟镓硒硫薄膜。
铜铟镓硒硫五元靶材制作方法

[发明专利]一种表面富硫的铜铟镓硒硫薄膜光吸收层的制备方法-CN201410598173.8在审
发明人：徐东;任昌义 -专利权人：徐东
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于适用于光伏材料技术领域，提供了一种表面富硫的铜铟镓硒硫薄膜光吸收层的制备方法，首先以铜、铟、镓的硝酸盐和硒粉为原料在油胺中，220-300°C之间反应生成铜铟镓硒纳米颗粒，然后把制得的铜铟镓硒纳米颗粒分散在笨或己硫醇等溶剂中形成稳定的胶体溶液，再通过物理方法把铜铟镓硒纳米颗粒胶体溶液涂敷在镀Mo的钙钠玻璃基体上形成前驱体预制膜，最后对铜铟镓硒前驱体预制膜先进行退火处理，再进行后硫化处理，最终形成表面富硫的太阳能电池铜铟镓硒硫光吸收层，这一制备方法改变了铜铟镓硒硫薄膜表面的组成及其能带结构，提高了铜铟镓硒硫薄膜对光的吸收及利用，且其制备工艺简单、设备投入少、成本低、效率高及对环境友好。
一种表面铜铟镓硒硫薄膜光吸收制备方法

[发明专利]一种用于太阳能电池的基于纳米粒子铜铟硫硒薄膜的制备方法-CN201310733812.2有效
发明人：王月;王春杰;李超;张研研;陆晓东;张凤霞 -专利权人：渤海大学
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种用于太阳能电池的基于纳米粒子铜铟硫硒薄膜的制备方法，采用磁控溅射法，在衬底的一侧沉积钼金属层作为背电极，在钼金属层背电极上制备铜铟硫吸收层，将铜铟硫吸收层衬底在硒化炉中进行硒化处理，制得铜铟硫硒吸收层；在铜铟硫硒吸收层上依次制备CdS缓冲层、本征氧化锌高阻层、氧化铟锡薄膜低阻抗层，制得用于太阳能电池的铜铟硫硒薄膜。
一种用于太阳能电池基于纳米粒子铜铟硫硒薄膜制备方法

[发明专利]非真空制作铜铟镓硒浆料的调配方法-CN201010111478.3无效
发明人：林群福;陈文仁;杨益郎 -专利权人：昆山正富机械工业有限公司
申请日： 2010-02-11 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明是有关于一种非真空制作铜铟镓硒浆料的调配方法，其主要是在调配铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)浆料时，使用含IB、IIIA族的二元或三元硒化物薄片状材料，其中以不超过50％的薄片状材料，再搭配溶剂或相关添加剂搅拌均匀，以配成含铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)的浆料，并在快速退火热处理(Rapid thermal annealing，RTA)过程中添加VIA族粉末，使该粉末在高温下挥发，帮助补充铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)前驱层高温下的硫或硒挥发的损失本发明由于不使用高温还原法和硒化法，节省了设备成本并避免了使用危险的硒化氢，同时由于使用不同形状的颗粒，提高所生成膜的致密性。
真空制作铜铟镓硒浆料调配方法

[发明专利]非真空形成铜铟镓硫硒吸收层及硫化镉缓冲层的方法及系统-CN201010000654.6无效
发明人：庄泉龙 -专利权人：正峰新能源股份有限公司
申请日： 2010-01-14 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种非真空形成铜铟镓硫硒吸收层及硫化镉缓冲层的方法及系统，是在非真空下针对具有背面电极层的基板，在背面电极层上以混合浆料形成涂布层，经初步烘干后，藉实密化装置使涂布层实密化，接着进行初级硫硒反应处理，用以形成初级铜铟镓硫硒层，再进行热处理，以改善初级铜铟镓硫硒层的晶格匹配，接着利用氰化钾或溴化物进行杂相清除处理，用以去除杂相的硒化亚铜及硫化铜，再进行后级硫硒反应处理，产生所需的后级铜铟镓硫硒吸收层，最后利用化学槽水浴法，在铜铟镓硫硒吸收层上形成硫化镉缓冲层。
真空形成铜铟镓硫硒吸收硫化缓冲方法系统

[发明专利]以非真空工艺制作铜铟镓硒(硫)光吸收层的方法-CN201010111484.9无效
发明人：杨益郎;陈文仁;林群福 -专利权人：昆山正富机械工业有限公司
申请日： 2010-02-11 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明是有关于一种以非真空工艺制作铜铟镓硒(硫)光吸收层的方法，其主要包括以下步骤：首先依据配方比例，调配不同平均粒径含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末以形成含铜铟镓硒(硫)混合粉末，其中小尺寸颗粒平均粒径为大尺寸颗平均粒径的30％以下；其次在含铜铟镓硒(硫)混合粉末加入溶剂；接着将含铜铟镓硒(硫)浆料以非真空涂布法涂布在含下电极的基板上；再经过软烤形成含铜铟镓硒(硫)的光吸收前驱层，并将其置于含VIA族元素粉末的高温RTA炉中长晶，完成铜铟镓硒(硫)光吸收层的制作。本发明改善涂布后膜的致密性，且不使用硒化法，避免使用危险的硒化氢。
真空工艺制作铜铟镓硒光吸收方法

[发明专利]一种铜铟镓硫硒薄膜材料的制备方法-CN201510420561.1有效
发明人：刘芳洋;高春晖;蒋良兴;赵联波;曾芳琴 -专利权人：中南大学
申请日： 2015-07-16 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了本发明涉及一种铜铟镓硫硒薄膜材料的制备方法，属于新能源材料技术领域。本发明在太阳能电池基底上通过反应溅射的方法制备预制层铜铟镓硫，在一定条件下进行硒化退火，得到铜铟镓硫硒薄膜材料。该方法通过反应溅射制备铜铟镓硫预制层，可以有效控制薄膜成分和生长情况，再通过硒化退火实现硒的并入，制得铜铟镓硫硒薄膜。这种反应溅射预制层后硒化的方法制备出的铜铟镓硫硒薄膜材料能够精确控制薄膜中各元素的化学计量比、膜的厚度和成分的分布，薄膜的致密度高，体积膨胀小，可有效地解决现有方法制备铜铟镓硫硒半导体薄膜材料过程中存在的成分不易控制
一种铜铟镓硫硒薄膜材料制备方法

[发明专利]一种铜铟镓硒/硫太阳电池吸收层的制备方法-CN201110155988.5无效
发明人：彭寿;王芸;任志艳;马给民;石玉英;曹欣;曹志强 -专利权人：蚌埠玻璃工业设计研究院;中国建材国际工程集团有限公司
申请日： 2011-06-11 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜铟镓硒/硫太阳电池吸收层的制备方法，其特征在于：首先在衬底上沉积底层导电膜，然后在底层导电膜上制备铜铟镓硒/硫薄膜，铜铟镓硒/硫薄膜沉积形成后，被置入热处理室进行热处理，所述的在底层导电膜上制备铜铟镓硒/硫薄膜是以氩气为溅射气体，以铜铟镓硒/硫合金靶为靶材，通过直流脉冲磁控溅射的方法来沉积形成的。本发明的有益效果是：①制备过程均在真空状态下完成，衬底没有暴露在大气，为制备出优质的薄膜提供了良好的环境基础；②避免了使用硒化氢/硫等有毒气体，提高了镀膜的安全性；③采用直流脉冲磁控溅射的方法制备铜铟镓硒/硫可以获得高致密性和高均匀度的薄膜，且容易实现连续生产。
一种铜铟镓硒太阳电池吸收制备方法

[发明专利]铜铟镓硫硒敏化半导体阳极太阳电池及其制备方法-CN201310613803.X有效
发明人：黄富强;王耀明;朱小龙;张雷;李爱民;秦明升;刘战强;谢宜桉 -专利权人：上海富际新能源科技有限公司
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L31/0749 文献下载
摘要：本发明涉及铜铟镓硫硒敏化半导体阳极太阳电池及其制备方法，所述太阳电池包括依次形成于玻璃基片上的N型透明导电膜、和N型宽带隙半导体微粒多孔膜；在所述N型宽带隙半导体微粒多孔膜的孔隙内和表面原位生成从而与其复合的铜铟镓硫硒敏化层；以及形成于所述铜铟镓硫硒敏化层上的背电极；其中，所述全固态铜铟镓硫硒敏化半导体阳极太阳电池不含有机染料和液态电解质。本发明中，铜铟镓硫硒在多孔半导体阳极的孔隙内和表面原位生成，因此铜铟镓硫硒与多孔半导体阳极之间可实现紧密的化学结合，实现光生载流子在界面上有效传输。
铜铟镓硫硒敏化半导体阳极太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种表面富硫的铜铟镓硒薄膜的制备方法-CN201310229780.2无效
发明人：徐东;徐永清;杨杰 -专利权人：深圳市亚太兴实业有限公司
申请日： 2013-06-09 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明适用于光伏新能源材料技术领域，提供了一种表面富硫的铜铟镓硒薄膜的制备方法。该方法包括以下步骤：制备铜铟镓硒纳米颗粒；制备铜铟镓硒纳米晶墨水；制备铜铟镓硒薄膜；铜铟镓硒薄膜硫化处理。本发明工艺简单，操作方便，成本低廉，便于太阳能薄膜电池的规模化生产，优化了铜铟镓硒硫薄膜的能带结构，使之能充分利用太阳光谱的能量，进而促进了电池界面性能的提高。
一种表面铜铟镓硒薄膜制备方法

[发明专利]一种铜铟镓硒表面硫化的工艺方法-CN201510151213.9在审
发明人：侯惟仁;陈梓斌;李升翰;郭峻江 -专利权人：新能光电科技股份有限公司
申请日： 2015-04-01 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L31/0749 文献下载
摘要：本发明提供了一种铜铟镓硒表面硫化的工艺方法。该方法包含：利用沉积技术，在铜铟镓硒层上沉积硫单质层；以及进行退火程序，在所述铜铟镓硒层表面上形成硫化处理层。利用沉积技术，较容易控制硫单质层的膜厚，也较容易控制硫单质层的均匀性，而且不需要现有技术工艺中气体的混合及均匀化过程，故工艺的稳定性也相对较高。使用硫单质作为制造材料，提高了工艺的安全性。该工艺方法使铜铟镓硒层的表面转化为铜铟镓硫硒(CIGS_xSe_1-x)，以提升铜铟镓硒薄膜太阳能电池的发电效率与性能。
一种铜铟镓硒表面硫化工艺方法

[发明专利]一种非真空制作铜铟镓硒浆料的方法-CN201010111479.8无效
发明人：杨益郎;陈文仁;林群福 -专利权人：昆山正富机械工业有限公司
申请日： 2010-02-11 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明是有关于一种非真空制作铜铟镓硒浆料的方法，其主要是在调配铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)浆料时，使用含IB、IIIA族的二元或三元硒化物的薄片状材料，其中薄片状材料不超过50％，再搭配溶剂或相关添加剂搅拌均匀，以配成含铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)的浆料，用以涂布在一钼层上，其中涂布完后的前驱层的孔隙率可以小于25％。
一种真空制作铜铟镓硒浆料方法

[发明专利]以非真空工艺制作铜铟镓硒(硫)光吸收层的方法-CN201010111509.5无效
发明人：林群福;陈文仁;杨益郎 -专利权人：昆山正富机械工业有限公司
申请日： 2010-02-11 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： C30B1/00 文献下载
摘要：本发明是有关于一种以非真空工艺制作铜铟镓硒(硫)光吸收层的方法，其包括以下步骤：首先依据配方比例，调配球状和非球状含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末以形成含铜铟镓硒(硫)混合粉末，其中粉末颗粒平均粒径小于500纳米；其次在含铜铟镓硒(硫)混合粉末加入溶剂、NaI和界面活性剂搅拌形成含铜铟镓硒(硫)浆料，接着将该浆料以非真空涂布法涂布在含钼电极的基板上，再经过软烤以形成含铜铟镓硒(硫)的光吸收前驱层，最后将其置于含VIA族元素粉末的高温RTA炉中长晶，完成铜铟镓硒(硫)光吸收层的制作。本发明混合包含球状纳米颗粒和至少一种非球状纳米颗粒，以降低在成膜时的孔隙问题，且不使用硒化法，避免使用危险的硒化氢。
真空工艺制作铜铟镓硒光吸收方法

[发明专利]一种铜铟镓基光电探测器-CN201710948681.8有效
发明人：黄晓敏 -专利权人：宝应电工厂
申请日： 2017-10-12 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明提供了一种新颖的基于铜铟镓硒和铜铟镓硫的光电探测器，形成一层复合功能层，所述复合功能层包括铜铟镓硒和铜铟镓硫相接触的部分转变为铜铟镓硒硫，并且成分在横向方向上渐变，对功能层进行了改性，并调整其电学性能
一种铜铟镓基光电探测器

[发明专利]非真空制作铜铟镓硒吸收层的方法-CN201010120009.8无效
发明人：陈文仁;杨益郎 -专利权人：昆山正富机械工业有限公司
申请日： 2010-02-12 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明是有关一种非真空制作铜铟镓硒吸收层的方法，用以在非真空下一钼层上形成均匀光吸收层，包括以下步骤：首先，依据配方比例，混合含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末以形成含铜铟镓硒(硫)的原始混合粉末；其次，在该混合粉末中添加额外的VIA族元素粉末，使形成含铜铟镓硒或含铜铟镓硒硫的最后混合粉末；再添加溶剂、界面活性剂和接着剂至该最后混合粉末中并进行搅拌形成铜铟镓硒浆料；接着，将该铜铟镓硒浆料涂布在钼层上，软烤使溶剂挥发形成光吸收前驱层；以及最后，再将含该光吸收前驱层的基板置于含VIA族元素粉末的RTA炉中，高温形成VIA族蒸气气氛下退火长晶，以形成含铜铟镓硒或含铜铟镓硒硫的的光吸收层。
真空制作铜铟镓硒吸收方法

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