专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果750991个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种晶体生长用智能控制系统-CN202211358023.0在审
  • 罗毅;龚瑞 - 安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司
  • 2022-11-01 - 2023-01-17 - C30B15/20
  • 本发明公开了一种晶体生长用智能控制系统,涉及晶体生长技术领域,解决了现有技术无法对晶体生长过程进行精确控制,影响晶体生长质量和效率的技术问题;本发明中的中枢控制模块与数据采集模块和生长控制模块相连接;数据采集模块与若干类型数据传感器相连接,生长控制模块与晶体生长设备相连接;本发明获取晶体生长整个过程的视频数据,基于视频数据构建或者及时更新晶体生长模型;将晶体生长模型与构建的标准晶体模型进行比较,根据二者差异确定控制参数,通过生长控制模块对晶体生长设备进行控制;本发明通过晶体生长模型来实现监控,降低了成本和劳动强度;通过与标准晶体模型进行比较来确定晶体生长设备的调整幅度,实现高精度的自动化调节。
  • 一种晶体生长智能控制系统
  • [发明专利]一种晶体生长设备控制方法及系统-CN202310197639.2在审
  • 尚海波;周小勇;李强;臧洪波 - 扬州合晶科技有限公司
  • 2023-03-03 - 2023-06-02 - C30B15/20
  • 本申请涉及晶体制备设备技术领域,提供一种晶体生长设备控制方法及系统。通过根据晶体类型、晶体生长量、粉体配比,基于智能匹配分析模型进行热场参数匹配获得动态热场变化序列,进一步结合晶体类型、晶体生长量、粉体配比进行生长参数聚类,基于聚类结果划分晶体生长监控周期,根据晶体生长监控周期划分结果、动态热场变化序列结合各周期晶体生长实时状态,构建长晶参数优化空间,基于优化参数组合控制晶体生长设备。解决现有技术中存在对于晶体生长制备设备的控制精度不足,导致基于晶体生长设备生产所获晶体与实际制备需求不适配的技术问题,实现提高对于晶体生长制备设备的控制精度,提高生产所获晶体与实际制备需求的适配度的技术效果
  • 一种晶体生长设备控制方法系统
  • [发明专利]蛋白蛋白组在制备肝硬化诊断试剂中的应用-CN201110062803.6有效
  • 杜勇;杨靖 - 天津宝瑞生物技术有限公司
  • 2011-03-16 - 2011-09-14 - G01N33/68
  • 本发明涉及蛋白蛋白组在制备肝硬化诊断试剂中的应用,蛋白包括基膜聚糖蛋白(Lumican)、四连接素(Tetranectin)、亲血小板碱性蛋白(Pro-platelet basic protein,PBP)、色素上皮衍生因子(Pigment epithelium-derived factor,PEDF)、胰岛素样生长因子结合蛋白3(Insulin-like growth factor binding protein,IGFbp-3)、性激素结合球蛋白(Sex hormone-binding globulin,SHBG)、硫氧还蛋白(Thioredoxin)以及部分的组合在肝硬化诊断试剂中的应用。本发明采用蛋白组技术,大范围鉴定和评估与健康和疾病状态相关的多种蛋白,使用这些筛选鉴定肝炎肝纤维化的生物标志物来预测肝炎肝纤维化的程度,可用于制备诊断肝硬化及肝硬化级别的试剂盒,这些蛋白标记物鉴定肝纤维化及其程度的灵敏度,结合各蛋白标记物的最佳状况,灵敏度可达89%,特异性达90%以上,高于已知的任何检测方法。
  • 蛋白质制备肝硬化诊断试剂中的应用
  • [实用新型]一种用于水平定向结晶法的晶体生长坩埚-CN202121031883.4有效
  • 田野;顾跃;丁雨憧;李和新;刘军 - 中国电子科技集团公司第二十六研究所
  • 2021-05-14 - 2021-12-24 - C30B11/00
  • 本实用新型公开了一种用于水平定向结晶法的晶体生长坩埚,包括坩埚本体,在坩埚本体上设有晶体生长槽和籽晶槽,籽晶槽与晶体生长槽连通,坩埚本体呈长方体结构,晶体生长槽和籽晶槽与所述坩埚本体外壁的距离不小于10mm,晶体生长槽整体由光滑的弧面构成,籽晶槽为长方体槽;通过设计晶体生长坩埚坩埚壁的厚度,解决生长过程中坩埚容易出现漏点和裂纹导致晶体生长失败的风险,还能使坩埚可以进行反复利用;并且通过坩埚晶体生长槽的设计解决坩埚晶体生长槽的折角处曲率半径小,导致此处晶体界面曲折率较大,容易引起晶体缺陷,如气泡、开裂、云层等问题,使用本实用新型晶体生长坩埚制备出来的晶体更为优质。
  • 一种用于水平定向结晶晶体生长坩埚

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top