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- [发明专利]一类聚噻吩及其制备方法与应用-CN202111585175.X在审
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段春晖;袁熙越;曹镛
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华南理工大学
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2021-12-22
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2022-04-12
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C08G61/12
- 本发明属于有机光电技术领域，具体涉及一类聚噻吩及其制备方法与应用。本发明所提供的聚噻吩的结构式如式I所示。本发明通过将吸电子官能团氰基引入到聚噻吩的共轭主链中，从而促进了分子间的π‑π堆积，并且增强了聚合物的结晶性。本发明提供的聚噻吩，具有良好的结晶性和光电性质，以及优良的光吸收和载流子传输性能，在有机太阳电池中可实现较高的能量转换效率。更重要的是，本发明提供的聚噻吩，具有合成简单、结构易于修饰、便于衍生化合物制备等优点。基于以上优势，本发明提供的聚噻吩有望成为一类重要的有机半导体材料，用于构筑低成本、高性能、新功能的有机光伏器件。
- 类聚噻吩及其制备方法应用
- [发明专利]一种石墨烯/聚噻吩类/硫复合正极材料的制备方法-CN201610089704.X在审
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钟玲珑;肖丽芳
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钟玲珑
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2016-02-18
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2016-06-01
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H01M4/36
- 本发明提供一种石墨烯/聚噻吩类/硫复合正极材料的制备方法，包括：（1）硫化钠和单质硫按比例在玛瑙研钵中研磨，然后将混合物溶解于蒸馏水中，得到橙色溶液,将Triton X-100加入上述溶液，加入浓盐酸，）将氧化石墨加入蒸馏水中超声，得到氧化石墨烯溶液，加入黄色悬浮液，得到硫氧化石墨烯复合材料；（3）将得到的硫氧化石墨烯复合材料加入碘化钾溶液，加入烯盐酸，得到硫石墨烯复合材料；（4）加入水中搅拌，加入噻吩或其衍生物单体，然后加入引发剂，获得石墨烯/聚噻吩类/硫复合材料。石墨烯/聚噻吩类/硫复合材料中硫被具有柔韧性的石墨烯和聚噻吩类包覆着，能抑制放电产物多硫化物的溶解以及缓解体积膨胀。
- 一种石墨噻吩复合正极材料制备方法
- [发明专利]聚噻吩类衍生物薄膜及其制备方法和应用-CN202310038658.0在审
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章晨;方龙;王勇
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深圳职业技术学院
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2023-01-12
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2023-06-13
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H10K71/12
- 本发明提供了一种聚噻吩类衍生物薄膜的制备方法，包括如下步骤：(S1)将可溶性聚噻吩衍生物溶液和PMMA溶液共混后；(S2)再用溶液注入的方式在(S1)所得溶液中加入掺杂剂配置成共混溶液，再将共混液震荡至溶解；(S3)再将(S2)中的共混溶液在硅片上成膜得到共混膜；(S4)通过叠层法或共混相分离的方法得到聚噻吩类衍生物薄膜。通过调控共混体系中的垂直相分离直接获得平整、连续的聚噻吩衍生物薄膜。通过加入掺杂剂的方式提高载流子迁移率，随着聚噻吩衍生物浓度的降低，薄膜厚度减小，分布也越均匀，形成的二维超薄膜材料使载流子迁移率得到大幅提升，且在拉伸之后仍具有较高的载流子迁移率保留率。
- 噻吩衍生物薄膜及其制备方法应用
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