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[发明专利]聚苯乙烯/聚偏氟乙烯季铵型阴离子交换合金膜制备方法-CN201310142477.9无效
发明人：雷引林;梅乐和;罗云杰;陈飞;陈文澜 -专利权人：浙江大学宁波理工学院
申请日： 2013-04-24 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： B01D71/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚苯乙烯/聚偏氟乙烯季铵型阴离子交换合金膜制备方法，先将聚偏氟乙烯溶解，再与苯乙烯、交联剂和引发剂组成的聚合单体溶液均匀混合，随后加热共聚，再经过挤出、固化、造粒、干燥、粉碎等步骤，得到聚苯乙烯/聚偏氟乙烯合金粉；对合金粉实施氯甲基化反应和胺化反应得到季铵型阴离子交换合金粉；最后用热压成型方法，加入辅料，经过密炼、开炼、拉片、热压、冷却，制得所述的聚苯乙烯/聚偏氟乙烯季铵型阴离子交换合金膜。用本发明制备的季铵型阴离子交换合金膜，具有高分子互穿网络结构，完全消除了传统异相阴离子交换膜中阴离子交换树脂粉与高分子粘结剂之间不相容的结构缺陷，膜电阻较低。
聚苯乙烯聚偏氟乙烯季铵型阴离子交换合金制备方法

[发明专利]一种测定聚偏氟乙烯树脂中金属元素含量的方法-CN202011046216.3在审
发明人：郑红梅;叶林;谭慧;钟军;张庆华;王濛琪 -专利权人：浙江巨化技术中心有限公司;衢州氟硅技术研究院
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： G01N21/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种测定聚偏氟乙烯树脂中金属元素含量的方法。聚偏氟乙烯树脂样品用有机溶剂加热溶解后，采用有机体系直接进样方式，用电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP‑OES)分析其金属元素含量。具体包括：(1)制备聚偏氟乙烯树脂样品溶液；(2)制备标准加入法标准溶液；(3)设置电感耦合等离子体发射光谱仪分析条件；(4)测定样品中金属元素含量。
一种测定聚偏氟乙烯树脂金属元素含量方法

[发明专利]一种纳米压电复合膜的制备方法-CN201711465492.1在审
发明人：冯章启;严珂;李通;袁旭;史传梅;夏一鹭 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： D04H1/728 文献下载
摘要：包括如下步骤：将氧化石墨分散在乙醇溶液中，超声一定时间使其分散均匀；利用静电纺丝装置对聚偏二氟乙烯‑三氟乙烯溶液进行纺丝，制备聚偏二氟乙烯‑三氟乙烯纳米纤维；将制得聚偏二氟乙烯‑三氟乙烯纳米纤维浸润在分散有氧化石墨烯的乙醇溶液中，以一定速度进行提拉，即得到氧化石墨烯/聚偏二氟乙烯‑三氟乙烯纳米复合膜。本发明的工艺简单，得到的复合膜保留了聚偏二氟乙烯‑三氟乙烯纳米纤维的压电效应，并改善了材料表面的亲水性，可用于细胞培养支架。
聚偏二氟乙烯三氟乙烯纳米纤维制备氧化石墨烯压电复合乙醇溶液静电纺丝装置细胞培养支架纳米复合膜分散均匀压电效应氧化石墨复合膜亲水性超声纺丝可用提拉浸润保留

[发明专利]一种免硅化胶塞的制备工艺-CN201711091670.9有效
发明人：董诗成;邓俊杰;王鹏 -专利权人：江阴市海华橡塑有限公司
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： C08J7/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种免硅化胶塞的制备工艺，包括混炼橡胶、橡胶出片、模压硫化成型、分切、清洗烘干和包装步骤，还包括在清洗烘干的胶塞表面依次涂布聚二甲基硅氧烷预聚体溶液和聚偏氟乙烯树脂分散液以及涂层烘干固化步骤；其中，聚二甲基硅氧烷预聚体溶液的主要组成按重量份数计包括封端聚二甲基硅氧烷预聚体1～5.5份、硅烷交联剂0.2～0.5份和有机溶剂A100份；聚偏氟乙烯树脂分散液的主要组成为固含量为5～15%的聚偏氟乙烯树脂乳液和硅橡胶催化剂
一种免硅化胶塞制备工艺

[发明专利]偏氟乙烯均聚物薄膜的形成方法-CN200580009081.0无效
发明人：荒木孝之;小谷哲浩 -专利权人：大金工业株式会社
申请日： 2005-03-09 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： B05D7/24 文献下载
摘要：本发明涉及偏氟乙烯均聚物薄膜的形成方法，该方法利用比较简单的方法(涂布条件、方法等)来提供可以适用于各种基材的I型结晶结构的末端为功能性官能团的偏氟乙烯均聚物的薄膜。本发明的方法是含有偏氟乙烯均聚物的薄膜的形成方法，在该形成方法中，将在一个末端或两个末端具有式(1)：－(R¹)_n－Y(1)(式中，R¹为2价有机基团，但是不含偏氟乙烯均聚物的结构单元，n为0或1，Y为功能性官能团)所示的部位且偏氟乙烯均聚物单元的数均聚合度为3～100的偏氟乙烯均聚物应用于基材，形成含有完全为I型结晶结构的偏氟乙烯均聚物或含有以I型结晶结构为主要成分的偏氟乙烯均聚物的薄膜的偏氟乙烯均聚物的薄膜。
乙烯均聚物薄膜形成方法

[发明专利]中空纤维膜以及其制备方法-CN200610130028.2无效
发明人：胡萍 -专利权人：胡萍
申请日： 2006-12-11 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： B01D69/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种聚偏氟乙烯中空纤维膜，其中外径为0.3～3mm，壁厚0.05～1mm，孔隙率50～90％，膜分离孔径0.01～1微米，纯水透水通量为200～2000L/m²·h@0.1MPa，25℃，聚偏氟乙烯为聚偏氟乙烯均聚物、聚偏氟乙烯共聚物或上述物质中的任意两种以上的聚合物的混合物，偏氟乙烯共聚物中偏氟乙烯链节单元含量在70％以上。
中空纤维及其制备方法

[发明专利]中空纤维膜以及其制备方法-CN200310106673.7无效
发明人：吕晓龙 -专利权人：天津膜天膜工程技术有限公司
申请日： 2003-10-17 - 公布日： 2005-04-27 - 主分类号： B01D69/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种聚偏氟乙烯中空纤维膜，其中外径为0.3～3mm，壁厚0.05～1mm，孔隙率50～90％，膜分离孔径0.01～1微米，纯水透水通量为600～10000L/m²·h＠0.1MPa，25℃，聚偏氟乙烯为聚偏氟乙烯均聚物、聚偏氟乙烯共聚物或上述物质中的任意两种以上的聚合物的混合物，偏氟乙烯共聚物中偏氟乙烯链节单元含量在70％以上。
中空纤维及其制备方法

[发明专利]聚偏二氟乙烯树脂制多孔膜及其制造方法-CN201980085483.0在审
发明人：西谷允一;长谷川泰彦;松山秀人 -专利权人：丸善石油化学株式会社;国立大学法人神户大学
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： B01D71/34 文献下载
摘要：本发明的技术问题是通过使用少量的乙烯基醚系共聚物，从而提供亲水性、透水性和抗结垢性优异、并且抑制了乙烯基醚系共聚物溶出的聚偏二氟乙烯树脂制多孔膜。作为解决手段，根据本发明的多孔膜含有作为基材的聚偏二氟乙烯树脂、和乙烯基醚系共聚物，所述乙烯基醚系共聚物是含有氧乙烯基的乙烯基醚单体与含有烃基的乙烯基醚单体的共聚物。
聚偏二氟乙烯树脂多孔及其制造方法

[发明专利]一种双向拉伸制备聚偏氟乙烯薄膜的方法-CN201310607578.9在审
发明人：张艳中;张昱喆;刘伟;常怀云;马培良 -专利权人：浙江蓝天环保高科技股份有限公司;中化蓝天集团有限公司
申请日： 2013-11-25 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： B29C55/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种双向拉伸聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，通过混合、铸片、纵向拉伸、横向拉伸等步骤得到聚偏氟乙烯薄膜。本发明提供的方法能够降低聚偏氟乙烯加工温度、改善了薄膜均匀性。制备的聚偏氟乙烯薄膜综合性能优异，可用于航天航空、电子电气等领域。
一种双向拉伸制备聚偏氟乙烯薄膜方法

[发明专利]一种聚偏氟乙烯复合压电薄膜及其制备方法和应用-CN202310572332.6在审
发明人：刘萍;彭磊;蒋兴旺;刘黎明;高庆国;易子川 -专利权人：电子科技大学中山学院
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10N30/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种聚偏氟乙烯复合压电薄膜及其制备方法和应用，属于复合压电薄膜技术领域。本发明提供了一种聚偏氟乙烯复合压电薄膜，包括聚偏氟乙烯薄膜和所述聚偏氟乙烯薄膜表面的铜网格。铜网格具有传输电子的能力，聚偏氟乙烯是绝缘体，同时也是压电高分子，在受到外力产生电压后，自身不能将电荷传输汇聚，外加了铜网格后可以将正负电荷汇聚到聚偏氟乙烯复合压电薄膜的两侧，从而使其在相同的压力下产生更大的电压
一种聚偏氟乙烯复合压电薄膜及其制备方法应用

[发明专利]聚偏氟乙烯膜的表面改性方法-CN200810137184.0有效
发明人：于水利;赵晴;李冠洋 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2008-09-24 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： B01D71/34 文献下载
摘要：聚偏氟乙烯膜的表面改性方法，它涉及一种膜的表面改性方法。它解决了现有聚偏氟乙烯膜亲水性差、易污染、产水量低及改性工艺复杂的问题。方法：a.将聚偏氟乙烯膜浸渍于氧化剂与强碱的混合溶液中，然后冲洗；b.将冲洗后的聚偏氟乙烯膜浸渍于纳米氧化物溶胶中，然后冲洗，即得表面改性的聚偏氟乙烯膜。本发明提高了聚偏氟乙烯膜的抗污染能力，将使用寿命延长了20％～35％，亲水性好，水通量提高了17％～40％，并且本发明工艺简单。
聚偏氟乙烯表面改性方法

[发明专利]具有β相网状拓扑结构的聚偏氟乙烯纳米薄膜的制备方法-CN202110653438.X有效
发明人：王冰花;陈静波;张彬;周子渊;张智培 -专利权人：郑州大学
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C08J7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有β相网状拓扑结构的聚偏氟乙烯纳米薄膜的制备方法。该方法利用旋涂法制备聚偏氟乙烯纳米薄膜，对其进行溶剂蒸气退火得到具有β相网状拓扑结构的聚偏氟乙烯纳米薄膜，通过改变薄膜厚度、退火时间和溶液温度可调控聚偏氟乙烯纳米薄膜中网状拓扑结构的网格密度和高度。本发明在纳米薄膜中实现了可靠性较高的聚偏氟乙烯网状拓扑结构，有望拓展聚偏氟乙烯在传感器与换能器等方面的应用，操作简单且成本较低，对工业生产具有很好的潜在经济效益。
具有网状拓扑结构聚偏氟乙烯纳米薄膜制备方法

[发明专利]一种聚偏氟乙烯塑料薄膜-CN201510440657.4在审
发明人：高志兵 -专利权人：南通慧源塑胶有限公司
申请日： 2015-07-24 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚偏氟乙烯塑料薄膜，包括以下重量份的组分：聚偏氟乙烯40-55份；纳米填料12-15份；流滴剂5-8份；高溶脂树脂粉料6-9份；水杨酸钠1-1.2份；分散剂1.5-2.5份；甘油0.5-本发明的有益效果是：以聚偏氟乙烯为原料，添加的纳米填料和其它组分，能对薄膜起到增塑增韧的作用，大大增加了薄膜的耐撕裂强度，提高了薄膜的稳定性，大大增强了薄膜的使用寿命。
一种聚偏氟乙烯塑料薄膜

[发明专利]一种黑色熔喷聚丙烯组合物及其制备方法和应用-CN202111442066.2有效
发明人：王爱东;陈平绪;叶南飚;杨霄云;陆湛泉;赵治国;李栋栋;尹朝清;姜向新;程文建 -专利权人：金发科技股份有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C08L23/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种黑色熔喷聚丙烯组合物，按重量份计，包括以下组分：熔喷级聚丙烯树脂100份；炭黑0.01‑1份；聚偏氟乙烯0.1‑2份；所述的炭黑的平均粒径为10‑20nm；所述的聚偏氟乙烯的熔体流动速率范围是本发明通过添加特定量特定熔体流动速率范围的聚偏氟乙烯，能够实现对炭黑的均匀分散，在熔喷期间不会堵塞滤网及喷丝板，得到的熔喷布也不会掉粉、熔喷丝粗细均匀。
一种黑色聚丙烯组合及其制备方法应用

[发明专利]聚氯乙烯/聚偏氟乙烯共混中空纤维膜及其制备方法-CN202310044333.3在审
发明人：徐向东;刘冠文;陈敏 -专利权人：江苏南通艾乐新材料科技有限公司
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： B01D71/30 文献下载
摘要：本发明涉及多孔膜制造领域，一种聚氯乙烯/聚偏氟乙烯共混中空纤维膜以及其制备方法。本发明在聚氯乙烯中加入聚偏氟乙烯进行共混，添加高分子成孔剂、亲水改性剂、溶剂等制成铸膜液，采用非溶剂致相分离法即干‑湿法纺丝工艺制备聚氯乙烯/聚偏氟乙烯共混中空纤维膜。聚偏氟乙烯的加入改善了聚氯乙烯的柔韧性，使聚氯乙烯/聚偏氟乙烯共混中空纤维膜具有较好的柔韧性；本发明的聚氯乙烯/聚偏氟乙烯共混中空纤维膜采用外压方式过滤、亲水性好、成本低，可应用于饮用水过滤、市政自来水
聚氯乙烯聚偏氟乙烯中空纤维及其制备方法