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[发明专利]外部导体端子与电线的连接结构-CN201380023376.8无效
发明人：加藤元;远峰和洋;宫岛贵晃 -专利权人：矢崎总业株式会社
申请日： 2013-05-02 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： H01R4/20 文献下载
摘要：一种用于将电线连接到外部导体的外部导体端子，电线包括：内导体；绝缘覆盖物，该绝缘覆盖物覆盖内导体的外周；外部导体，该外部导体具有绞合线以包绕绝缘覆盖物的外周；和保护覆盖物，该保护覆盖物覆盖外部导体的外周，外部导体包括：端子部，该端子部形成在平板的一个端部处；筒状部，该筒状部通过弯曲平板的另一端部而形成在平板的另一端部处，并且该筒状部覆盖绝缘覆盖物的与外部导体的通过剥落保护覆盖物而露出的露出部邻接的外周的一部分或保护覆盖物的与露出部邻接的外周的一部分
外部导体端子电线连接结构

[发明专利]绝缘镶板和制造绝缘镶板的方法-CN202180008592.X在审
发明人：艾迪·阿尔贝里克·伯克;桑德尔·戈登·茨维德 -专利权人： I4F许可有限责任公司
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： B32B3/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种绝缘镶板，特别是墙壁镶板或屋顶镶板，其包括发泡芯层和固定至发泡芯层的覆盖层。本发明还涉及一种绝缘覆盖物，特别是墙壁覆盖物或地板覆盖物，其包括多个所述绝缘镶板。
绝缘镶板制造方法

[发明专利]葡萄糖传感器-CN201180014073.0有效
发明人：凯瑟琳·T·沃尔夫;阿梅亚·S·坎塔克;埃里克·艾伦·拉松;丹尼尔·E·佩桑特兹;席冬娟;赵嘉宏;拉吉夫·什哈 -专利权人：美敦力迷你迈德公司
申请日： 2011-03-15 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： G01N27/403 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供具有优化的元件和/或元件结构的分析物传感器以及制造和使用该传感器的方法。本发明典型的实施方式包括用于监控糖尿病的葡萄糖传感器，所述葡萄糖传感器包括：具有第一末端和第二末端且分别沿基本相同的方向排列的多条传感器布线（301，302，303，304），所述多条传感器布线具有导电性并且包括：基本由第一电绝缘覆盖物（310）覆盖的第一传感器布线（303，304），其中，所述第一电绝缘覆盖物中的孔界定工作电极区域（313，314）；基本由第二电绝缘的覆盖物（310）覆盖的第二传感器布线（301），其中，所述第二电绝缘覆盖物中的孔界定参比电极区域（311）；以及基本由第三电绝缘的绝缘覆盖物（310）覆盖的第三传感器布线（302），其中，第三电绝缘覆盖物中的孔界定对电极区域（312）。
葡萄糖传感器

[发明专利]制造被绝缘的电气高压DC终端或接头中的方法-CN201380072055.7有效
发明人： C-O.奥斯森;M.萨特泽;A.林德格伦 -专利权人： ABBHV电缆瑞士有限责任公司
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：一种制造被绝缘的电气高压DC终端或接头中的方法包括以下步骤：提供（12）被绝缘的电气高压DC电缆（20），其包括：内导体（21）；基于聚合物的绝缘系统（22‑24），该基于聚合物的绝缘系统包括绝缘层（23）和半导体层（24）；和外接地层（25）；在高压DC电缆的至少一个末端部分（27）中去除（13）接地层和半导体层，由此使高压DC电缆的至少一个末端部分中的绝缘层暴露；由覆盖物覆盖（14）高压DC电缆的至少一个末端部分中的基于聚合物的绝缘系统的绝缘层，该覆盖物对采用非均匀分布在高压DC电缆的至少一个末端部分中的基于聚合物的绝缘系统的绝缘层中存在的至少一个物质是不可渗透的；使高压DC电缆的至少一个末端部分中的基于聚合物的绝缘系统的绝缘层经受（15）热处理过程，同时被覆盖物覆盖，由此使在高压DC电缆的至少一个末端部分中的基于聚合物的绝缘系统的绝缘层中至少一个物质的浓度均衡；以及去除（16）覆盖物。代替使用临时覆盖物（其稍后被去除）作为不可渗透的屏障，可使用在制造高压DC终端或接头期间安装在DC电缆末端处的场分级适配器或接头主体。
制造绝缘电气高压 dc 终端接头中的方法

[发明专利]绝缘物覆盖软磁性粉末及其制造方法-CN202310244683.4在审
发明人：中村敦 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本发明涉及绝缘物覆盖软磁性粉末及其制造方法，提供具有来自陶瓷粉末的绝缘性良好且比表面积小的绝缘覆膜，并能够制造磁特性高的磁性元件的绝缘物覆盖软磁性粉末、以及含有该绝缘物覆盖软磁性粉末的压粉磁芯、磁性元件一种绝缘物覆盖软磁性粉末的制造方法，其特征在于，包括：将软磁性粉末及陶瓷粉末混合，得到混合物的混合工序；对所述混合物施加机械能，由此粉碎所述陶瓷粉末的第一压接工序；以及在所述第一压接工序之后，对所述混合物施加比所述第一压接工序大的机械能，由此使已粉碎的所述陶瓷粉末熔接于上述软磁性粉末的粒子表面，得到绝缘物覆盖软磁性粉末的第二压接工序。
绝缘覆盖磁性粉末及其制造方法

[发明专利]集成电路器件及制造其的方法-CN201810921240.3在审
发明人：朴硕汉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：在此描述了一种集成电路器件，其包括：导电线结构，其包括位线和绝缘盖图案；以及绝缘间隔物，其覆盖导电线结构的侧壁，绝缘间隔物包括内间隔物和烧焦物间隔物。为了形成绝缘间隔物，聚合物刷图案可以化学结合到内间隔物以覆盖位线的侧壁；覆盖内间隔物和聚合物刷图案的第一绝缘间隔物膜可以被形成；以及通过在无氧情况下热解聚合物刷图案，烧焦物间隔物可以从聚合物刷图案形成。
间隔物绝缘间隔物集成电路器件聚合物刷图案导电线结构烧焦物侧壁位线覆盖热解聚合物发明构思化学结合图案形成绝缘盖无氧制造

[发明专利]绝缘电线和使用其的线圈以及绝缘电线的制造方法-CN201580011394.3有效
发明人：驹村昇平;宫泽贤治;柳原正宏;宫原正平;羽生胜夫 -专利权人：东京特殊电线株式会社
申请日： 2015-11-17 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： H01B7/00 文献下载
摘要：本发明提供可用于电源变压器用线圈、开关电源用线圈等的、可实现线圈小型化、占空系数提高的绝缘电线和使用其的线圈以及绝缘电线的制造方法。本发明通过绝缘电线(10)而解决上述课题，该绝缘电线(10)为用于密接并卷绕而制成线圈的绝缘电线(10)，其具有由线材(1)的构成金属(1)和与该金属(1)形成络合物的化合物形成的化合物覆膜(2)所覆盖的化合物覆膜覆盖线材(3)；和覆盖在使化合物覆膜覆盖线材(3)多根绞合而成的绞线(4)的外周的绝缘层(5)。该化合物覆膜(2)优选为与构成金属形成络合物的咪唑化合物覆膜，化合物覆膜(2)和绝缘层(5)优选为由在焊接温度下分解的材料构成。另外，通过使用了该绝缘电线(10)而成的线圈(20)来解决上述课题。
绝缘电线使用线圈以及制造方法

[发明专利]半导体结构-CN201710040781.0在审
发明人：陈俊吉;郑凯文;蔡正原;吴国铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：半导体结构包括第一磁性层、绝缘氧化物层、氧俘获层和覆盖层。绝缘氧化物层位于第一磁性层上方。氧俘获层位于绝缘氧化物层上方。氧俘获层的氧浓度低于绝缘氧化物层的氧浓度。覆盖层位于氧俘获层上方。
半导体结构

[发明专利]整合扇出型封装体-CN201610719176.1在审
发明人：廖思豪;郭宏瑞;胡毓祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种整合扇出型封装体，包括晶粒、绝缘密封体、填充物以及重布线路结构。绝缘密封体密封晶粒的侧壁，且绝缘密封体包括位于其上表面的凹陷。填充物覆盖绝缘密封体的上表面且至少部分填入凹陷内。重布线路结构覆盖晶粒的有源表面以及填充物，且与晶粒电性连接。重布线路结构包括覆盖晶粒以及填充物的介电层。
整合扇出型封装

[发明专利]包括埋入式栅极的半导体器件、组件和系统及制造方法-CN201310203798.5有效
发明人：张太洙 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2013-05-28 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：该半导体器件包括：凹陷部，其形成于有源区中；栅极，其埋入于所述凹陷部的下部中；第一覆盖绝缘膜，其形成于所述栅极上；第二覆盖绝缘膜，其形成于所述第一覆盖绝缘膜上；以及第三覆盖绝缘膜，其形成于所述第二覆盖绝缘膜上在包括埋入式栅极的半导体器件中，可以通过减小形成于埋入式栅极上的覆盖绝缘膜中的氮化物膜体积来减小氮化物膜所引起的机械应力，并且调整了氮化物膜的硅对氮的比例，从而减小机械应力，进而改善了半导体器件的操作特性
包括埋入栅极半导体器件组件系统制造方法

[发明专利]绝缘软管布置-CN202080021175.4在审
发明人： D·古特曼 -专利权人：斯瓦戈洛克公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： F16L11/08 文献下载
摘要：一种软管总成包括：软管，所述软管界定内部流体通路和外表面；末端连接件，所述末端连接件附接到所述软管的第一末端；绝缘材料，所述绝缘材料包裹到所述软管的所述外表面上；覆盖物，所述覆盖物安装在所述绝缘材料上方；以及弹性体套管，所述弹性体套管在所述末端连接件和所述覆盖物的至少一部分上方延伸并且与所述末端连接件和所述覆盖物的至少一部分压缩接合。所述绝缘材料、所述覆盖物和所述弹性体套管各自被分级成在至少约135℃的温度下连续使用。
绝缘软管布置

[发明专利]厚导体内置印刷电路板及其制造方法-CN201780082819.9有效
发明人：伊藤彰;齐藤英一郎;福家直仁 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：厚导体内置印刷电路板具备：印刷电路板、绝缘树脂层、绝缘基材层和导体层。印刷电路板具有；包含第一树脂组合物的固化物的绝缘层、及设置于绝缘层的单面或两面且包含厚度为105μm以上且630μm以下的多个导体布线的电路。绝缘树脂层覆盖印刷电路板的设置有电路的面、并包含第二树脂组合物的固化物且不含纤维基材。绝缘基材层覆盖绝缘树脂层且包含第三树脂组合物的固化物及纤维基材。导体层覆盖绝缘基材层。
导体内置印刷电路板及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管及像素结构-CN201410249739.6有效
发明人：陈信学;陈培铭 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2014-06-06 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H01L29/768 文献下载
摘要：薄膜晶体管包括栅极、绝缘层、金属氧化物半导体层、蚀刻阻挡层、源极、漏极、有机绝缘层以及金属氧化物阻障层。绝缘层覆盖栅极。金属氧化物半导体层位于栅极上方的绝缘层上。蚀刻阻挡层覆盖金属氧化物半导体层，且蚀刻阻挡层具有第一接触窗以及第二接触窗。源极以及漏极分别相对设置于蚀刻阻挡层上。源极以及漏极分别通过第一接触窗及第二接触窗与金属氧化物半导体层电连接。有机绝缘层覆盖蚀刻阻挡层、源极以及漏极。金属氧化物阻障层覆盖有机绝缘层。
薄膜晶体管像素结构

[发明专利]一种非晶氧化物薄膜晶体管光学感应器及电子设备-CN202110570756.X在审
发明人：罗志猛;李源;谢雄才 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种非晶氧化物薄膜晶体管光学感应器及电子设备，非晶氧化物薄膜晶体管光学感应器包括：基板；底栅至少部分覆盖基板；第一顶栅绝缘层至少部分覆盖基板和底栅；有源层至少部分覆盖第一顶栅绝缘层；欧姆接触层至少部分覆盖第一顶栅绝缘层；源漏极层至少部分覆盖第一顶栅绝缘层和欧姆接触层；第二顶栅绝缘层至少部分覆盖有源层；顶栅层覆盖第二顶栅绝缘层；钝化层至少部分覆盖顶栅层和源漏极层，钝化层对应顶栅层处设有通孔；光伏部件至少部分覆盖钝化层。本发明使用刻蚀阻挡型非晶氧化物与光伏器件叠层结构制作光学感应器，规避了背沟道非晶氧化物稳定性及均匀性差的问题，同时保证光学感应器具有较大的像素填充率。
一种氧化物薄膜晶体管光学感应器电子设备

[发明专利]黑色无卤树脂组合物、使用其制备的覆盖膜及其制作方法-CN201010231614.2无效
发明人：刘生鹏;茹敬宏;伍宏奎 -专利权人：广东生益科技股份有限公司
申请日： 2010-07-16 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： C08L67/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种黑色无卤树脂组合物、使用其制备的覆盖膜及其制作方法，该黑色无卤树脂组合物包括：柔性饱和聚酯、硬质饱和聚酯、封闭型异氰酸酯固化剂、炭黑粉、含磷阻燃剂、无机填料、消泡剂、分散剂及有机溶剂。使用该组合物制备的覆盖膜包括绝缘基膜、涂覆于绝缘基膜一侧上的黑色无卤树脂组合物涂层、以及涂覆于绝缘基膜另一侧上或黑色无卤树脂组合物涂层上的胶粘剂层。该覆盖膜的制作方法包括步骤：步骤1、提供绝缘基膜，并制备黑色无卤树脂组合物；步骤2、将上述制得的黑色无卤树脂组合物涂覆于绝缘基膜一侧上，经烘烤干燥后，在绝缘基膜上形成黑色无卤树脂组合物涂层；步骤3、在绝缘基膜另一侧或黑色无卤树脂组合物涂层上涂覆胶粘剂层，烘烤干燥后，制得覆盖膜。
黑色树脂组合使用制备覆盖及其制作方法

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