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[发明专利]一种耐磨防腐蚀铝基材及其制备方法-CN202010925603.8在审
发明人：唐宇航 -专利权人：昆山加轲金属科技有限公司
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： C22C1/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐磨防腐蚀铝基材及其制备方法，所述铝基材的制备原料包括稀土氧化物、铝粉以及合金元素粉末，所述稀土氧化物的质量份数为2‑6份，所述铝粉的质量份数为89‑92份，所述合金元素粉末的质量份数为2‑5份，制备方法更加简单，生产效率更高，更节能，更好的提升了铝基板表面的耐腐蚀、高导热以及绝缘性能，制得的铝基材强度高，抗拉伸性能好，耐磨性极佳。
一种耐磨腐蚀基材及其制备方法

[发明专利]一种耐磨防腐蚀铝基材及其制备方法-CN202111036698.9在审
发明人：段振涛 -专利权人：昆山加轲金属科技有限公司
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： C22C1/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐磨防腐蚀铝基材及其制备方法，所述铝基材的制备原料包括稀土氧化物、铝粉以及合金元素粉末，所述稀土氧化物的质量份数为2‑6份，所述铝粉的质量份数为89‑92份，所述合金元素粉末的质量份数为2‑5份，制备方法更加简单，生产效率更高，更节能，更好的提升了铝基板表面的耐腐蚀、高导热以及绝缘性能，制得的铝基材强度高，抗拉伸性能好，耐磨性极佳。
一种耐磨腐蚀基材及其制备方法

[发明专利]一种高强度瓷绝缘子的制备方法-CN202310725699.7在审
发明人：谢锡辉;王帮;刘敏;陈启文;谢煜程;李春萍;王瑀;谢锡祥 -专利权人：萍乡市锦宏瓷业有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种高强度瓷绝缘子的制备方法，包含如下步骤：(1)制备改性粉体；(2)制备Si‑Zr复合氧化物；(3)制备碳附氧化铝粉末；(4)将所述改性粉体、Si‑Zr复合氧化物、碳附氧化铝粉末、氧化镁粉末环境下烘干40h以上，然后以10℃/min升温至450～500℃煅烧1～2h，然后以5℃/min升温至1250～1280℃烧结3～4h，然后以5℃/min降温至300℃，再空冷至常温，获得所述高强度瓷绝缘子本发明所述方法制备的瓷绝缘子材料具有良好的机械强度和绝缘性。
一种强度绝缘子制备方法

[发明专利]一种具有耐热性橡胶制品的生产方法-CN201410684924.8在审
发明人：张国盛;孙学平 -专利权人：青岛欧美亚橡胶工业有限公司
申请日： 2014-11-25 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： C08J3/24 文献下载
摘要：本发明公开提供了一种具有耐热性橡胶制品的生产方法，其特征在于以下几个步骤：（1）将45重量份的硫粉末、2重量份粘土、2重量份增强剂、2重量份助剂45重量份的水一起碾磨，成悬浮液；（2）将（1）步骤中的悬浮液通过涂布机喷涂到过氧化物上，得到过氧化物的橡胶制品，加热180度左右，通过足够量的氧气，强制固化5-8分钟；所述的过氧化物为过氧化二叔丁基；所述的增强剂为炭黑；所述的助剂为氧化锌；所述（1）步骤中粘土为膨润土。本发明的优点是：用过氧化物具有好的耐热性、电绝缘性。
一种具有耐热性橡胶制品生产方法

[发明专利]负极和电池-CN200810170246.8有效
发明人：藤井敬之;川濑贤一;中井秀树;井本理佳子;山本健介 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2008-10-14 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： H01M4/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种负极和电池，该电池可获得优异的循环特性及安全性。该电池包括正极、负极和电解液。电解液浸渍设置在正极和负极之间的隔膜。该负极在设置在负极集电体上的负极活性物质层上具有绝缘涂层。该涂层包括诸如金属氢氧化物和金属氧化物的绝缘材料。涂层为板状，且被分割为多个部分。该涂层的绝缘性能避免了内部短路的发生。该涂层的多个部分避免了负极活性物质层的脱落和电解液的分解。
负极电池

[发明专利]各向异性导电膜、连接方法及接合体-CN201380046037.1有效
发明人：深谷达朗;伊藤将太 -专利权人：迪睿合电子材料有限公司
申请日： 2013-09-13 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01R11/01 文献下载
摘要：一种各向异性导电膜，其为使第一电子部件的端子和第二电子部件的端子进行各向异性导电连接的各向异性导电膜，且具有含有导电性粒子、填充剂及阳离子类固化剂的含导电性粒子层和含有阳离子类固化剂、不含有填充剂的绝缘性粘接层，所述导电性粒子为金属粒子及金属被覆树脂粒子中的至少任一种，所述填充剂为金属氢氧化物及金属氧化物中的至少任一种。
各向异性导电连接方法接合

[发明专利]装有熔丝存储器的半导体装置-CN200710128307.X有效
发明人：秋元健吾 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-07-06 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：通过利用由氧化物或氮化物构成的第一层、以及通过氮化或氧化实现高电阻化的第二层，来制造第一层和第二层彼此接触的熔丝元件。例如，通过使用铟锡氧化物作为第一层并且使用铝作为第二层，来制造熔丝元件。通过对第一层和第二层施加电压来发生焦耳热，在铟锡氧化物中的氧侵入铝中，铝变化为氧化铝，来显现绝缘性。可以通过利用与TFT形成工序同样的工序，来制造该熔丝元件。
装有存储器半导体装置

[发明专利]用于超高压水切割的刀具-CN201510479366.6在审
发明人：吉李磊 -专利权人：江苏塞维斯数控科技有限公司
申请日： 2015-08-07 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： C04B26/10 文献下载
摘要：本发明公开一种用于超高压水切割的刀具，所述用于超高压水切割的刀具通过非氧化物陶瓷材料、糠醛树脂和铬钢组合而成，所述非氧化物陶瓷材料为碳氮化钛，所述的非氧化物陶瓷材料占用于超高压水切割的刀具总体分量的61%本发明提供一种用于超高压水切割的刀具，具有耐高温、耐化学药品性和电绝缘性优良的优点。
用于超高压切割刀具

[发明专利]一种用于太阳能电池组件的背板材料-CN200810120835.5有效
发明人：林建华;周光大;任凤钢;杨楚峰 -专利权人：杭州福斯特热熔胶膜有限公司
申请日： 2008-09-18 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于太阳能电池组件的背板材料，所述背板材料为多层膜材料经黏合剂粘结叠层得到的复合膜，所述复合膜主要包括两层耐候性膜和位于两层耐候性膜之间的中间层阻湿膜；所述中间层阻湿膜由基膜和无机氧化物薄层组成，所述基膜包括薄基膜和厚基膜两层基膜，所述中间层阻湿膜依次由厚基膜、薄基膜和无机氧化物薄层组成。本发明背板材料具有优异的阻湿性能和耐久性，并且具有很好的绝缘性，能防止漏电，是一种优秀的绝缘体。
一种用于太阳能电池组件背板材料

[发明专利]一种无机氧化物包覆铁硅铝软磁粉芯的制备方法-CN201710695793.7有效
发明人：苏海林;韩仕杰;张政;孟庆珅;周苗苗 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2017-08-15 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种无机氧化物包覆铁硅铝软磁粉芯的制备方法，在不影响铁硅铝磁粉本身磁性能的基础上利用物理方法在其表面包覆绝缘层。本发明针对铁硅铝软磁粉末采用表面改性包覆方法，在铁硅铝粉末表面包覆具有电绝缘性质的氧化物层从而进行绝缘。包括如下步骤：对铁硅铝粉末和无机氧化物进行预处理；对铁硅铝粉末进行绝缘包覆；压制成型；热处理；4个步骤。本发明具有的有益技术效果包括：除保留铁硅铝粉末原有磁性能外，还具有绝缘层厚度均匀可控、无有机物残留、制作工艺简单易控制、成本低、无环境污染以及直流偏置性能高等优点。
一种无机氧化物包覆铁硅铝软磁粉芯制备方法

[发明专利]一种以硅橡胶为热界面的高导热弹性复合填料及制备方法-CN201410086059.7无效
发明人：张燕萍;赵志国;贺祖章;栾华诚;刘念平 -专利权人：上海利物盛企业集团有限公司
申请日： 2014-03-10 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：一种以硅橡胶为热界面的高导热弹性复合填料，为金属氧化物与纳米碳的复合材料；金属氧化物为氧化铝、氧化镁、氧化锌或氧化铍中的一种，或含有两种或两种以上的混合物；纳米碳为碳纳米管、石墨烯中的一种，或两种的混合物制备方法：先采用球磨法将金属氧化物与纳米碳固体混合；然后加入到配置好的前驱体溶液中，将得到的混合前驱体溶液放到单模微波合成系统中，采用微波加热沉积法将复合材料沉积；最后将所得悬浊液进行过滤干燥，即得所需复合材料本发明提供的以金属氧化物与纳米碳复合材料作为填料，可提高以硅橡胶为基体的导热弹性垫片的散热性能，使其具有高导热系数、绝缘性、柔软性、耐老化等优势，以确保产品的使用寿命和质量可靠性。
一种硅橡胶界面导热弹性复合料及制备方法

[发明专利]半导体装置-CN201180017087.8有效
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：所公开的发明的一个目的是使包括氧化物半导体的半导体装置具有稳定的电特性以增加其可靠性。该半导体装置包括：绝缘膜；在绝缘膜上与该绝缘膜接触的第一金属氧化物膜；其一部分与第一金属氧化物膜接触的氧化物半导体膜；与氧化物半导体膜电连接的源电极及漏电极；其一部分与氧化物半导体膜接触的第二金属氧化物膜；在第二金属氧化物膜上与该第二金属氧化物膜接触的栅极绝缘膜；以及栅极绝缘膜上的栅电极。
半导体装置

[发明专利]可热固化的硅橡胶组合物及其固化体-CN200780010796.7有效
发明人：长谷川知一郎;马场胜也 -专利权人：陶氏康宁东丽株式会社
申请日： 2007-03-28 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：一种可热固化的硅橡胶组合物，其包含特征如下的固化剂：具有不超过1.0mg KOH/g的总酸值并含有二有机基聚硅氧烷与双(4-甲基苯甲酰)过氧化物的混合物，所述双(4-甲基苯甲酰)过氧化物由99.7％或更高纯度的前述硅橡胶组合物可以提供具有有利电绝缘性并且不含表面缺陷例如空隙和呈白色斑点形式的聚集颗粒的硅橡胶制品。
固化硅橡胶组合及其

[发明专利]半导体装置-CN201611144591.5有效
发明人：本田达也;津吹将志;野中裕介;岛津贵志;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-10-05 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：降低包含在栅极绝缘膜附近的氧化物半导体膜中的杂质元素的浓度。另外，提高栅极绝缘膜附近的氧化物半导体膜的结晶性。一种半导体装置包括：在基底绝缘膜上的氧化物半导体膜；在氧化物半导体膜上的源电极及漏电极；形成在氧化物半导体膜上的包含硅氧化物的栅极绝缘膜；以及栅极绝缘膜上的栅电极。氧化物半导体膜包括硅浓度为1.0at.％以下的区域，并且，至少在区域内包括结晶部。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201280050475.0有效
发明人：本田达也;津吹将志;野中裕介;岛津贵志;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-10-05 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：降低包含在栅极绝缘膜附近的氧化物半导体膜中的杂质元素的浓度。另外，提高栅极绝缘膜附近的氧化物半导体膜的结晶性。一种半导体装置包括：在基底绝缘膜上的氧化物半导体膜；在氧化物半导体膜上的源电极及漏电极；形成在氧化物半导体膜上的包含硅氧化物的栅极绝缘膜；以及栅极绝缘膜上的栅电极。氧化物半导体膜包括硅浓度为1.0at.％以下的区域，并且，至少在区域内包括结晶部。
半导体装置

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