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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]碳纳米管结构的制备方法-CN200910250642.6有效
发明人：刘亮;冯辰 -专利权人：北京富纳特创新科技有限公司
申请日： 2009-12-11 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： C01B32/162 文献下载
摘要：一种碳纳米管结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一筒状碳纳米管阵列；采用一拉伸工具与该筒状碳纳米管阵列接触，从该筒状碳纳米管阵列中选定一碳纳米管片段；以及沿该筒状碳纳米管阵列的径向方向移动该拉伸工具远离该筒状碳纳米管阵列，拉取该选定的碳纳米管片段，从而形成一碳纳米管结构，该碳纳米管结构一端连接该拉伸工具，另一端连接该筒状碳纳米管阵列，在拉伸过程中，在所述碳纳米管结构与该筒状碳纳米管阵列的连接处，该筒状碳纳米管阵列的切面与该碳纳米管结构成一角度
纳米结构制备方法

[发明专利]碳纳米管结构的制备方法-CN201610586368.X有效
发明人：刘亮;冯辰 -专利权人：北京富纳特创新科技有限公司
申请日： 2009-12-11 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： C01B32/162 文献下载
摘要：一种碳纳米管结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一筒状碳纳米管阵列；采用一拉伸工具与该筒状碳纳米管阵列接触，从该筒状碳纳米管阵列中选定一碳纳米管片段；以及沿该筒状碳纳米管阵列的径向方向移动该拉伸工具远离该筒状碳纳米管阵列，拉取该选定的碳纳米管片段，从而形成一碳纳米管结构，该碳纳米管结构一端连接该拉伸工具，另一端连接该筒状碳纳米管阵列，在拉伸过程中，在所述碳纳米管结构与该筒状碳纳米管阵列的连接处，该筒状碳纳米管阵列的切面与该碳纳米管结构成一角度
纳米结构制备方法

[发明专利]场发射装置-CN201210135961.4有效
发明人：柳鹏;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-05-04 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：本发明提供一种场发射装置，其包括：一碳纳米管结构以及两个电极分别与该碳纳米管结构电连接，该碳纳米管结构进一步包括：一碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列包括多个平行设置的第二碳纳米管；一碳纳米管层设置于该碳纳米管阵列的一侧，该碳纳米管层包括多个第一碳纳米管，该碳纳米管层与所述碳纳米管阵列中多个第二碳纳米管的一端接触；以及多个第三碳纳米管至少缠绕设置于所述碳纳米管层与碳纳米管阵列之间；两个电极分别与该碳纳米管结构电连接。
发射装置

[发明专利]碳纳米管结构的制备方法-CN201410124617.4有效
发明人：魏洋;魏浩明;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： C01B32/16 文献下载
摘要：本发明提供一种碳纳米管结构的制备方法，包括以下步骤提供一代替基底及一生长基底，该生长基底表面具有碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列的形态能够使得一碳纳米管结构得以从该碳纳米管阵列中连续地拉出；将该碳纳米管阵列从该生长基底转移至该代替基底，并保持该碳纳米管阵列的形态仍能够使该碳纳米管结构得以从该碳纳米管阵列中连续地拉出；以及从该代替基底上的碳纳米管阵列拉取该碳纳米管结构。
纳米结构制备方法

[发明专利]碳纳米管阵列及用碳纳米管阵列制备碳纳米管结构的方法-CN200910239663.8有效
发明人：姜开利;刘亮;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2009-12-31 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列表面具有一分割线，该分割线将所述碳纳米管阵列分割成至少一个连续的碳纳米管带状结构。该碳纳米管带状结构的最大长度大于所述碳纳米管阵列的最大宽度，所述碳纳米管阵列的最大宽度为碳纳米管阵列中距离最大的两个点之间的距离。本发明还涉及一种利用所述碳纳米管阵列制备碳纳米管结构的方法。
纳米阵列制备结构方法

[发明专利]碳纳米管阵列-CN201310061543.X有效
发明人：姜开利;刘亮;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2009-12-31 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列表面具有一分割线，该分割线将所述碳纳米管阵列分割成至少一个连续的碳纳米管带状结构。该碳纳米管带状结构的最大长度大于所述碳纳米管阵列的最大宽度，所述碳纳米管阵列的最大宽度为碳纳米管阵列中距离最大的两个点之间的距离。本发明还涉及一种利用所述碳纳米管阵列制备碳纳米管结构的方法。
纳米阵列

[发明专利]碳纳米管结构及其制备方法-CN201210135962.9有效
发明人：柳鹏;姜开利;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-05-04 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明提供一种碳纳米管结构，其包括：一碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列包括多个平行设置的第二碳纳米管；一碳纳米管层设置于该碳纳米管阵列的一侧，该碳纳米管层包括多个第一碳纳米管，该碳纳米管层与所述碳纳米管阵列中多个第二碳纳米管的一端接触；以及多个第三碳纳米管至少缠绕设置于所述碳纳米管层与碳纳米管阵列之间。本发明进一步提供一种上述碳纳米管结构的制备方法。
纳米结构及其制备方法

[发明专利]碳纳米管纱的制备方法-CN200810216308.4有效
发明人：廖运鑫;姜开利;范守善;姚湲;张长生;白先声 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
申请日： 2008-09-19 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： D01F9/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳纳米管纱的制备方法，包括以下步骤：提供多个碳纳米管阵列；从一碳纳米管阵列中拉取获得一第一碳纳米管结构；从另一碳纳米管阵列中拉取获得一第二碳纳米管结构；沿拉伸方向将第二碳纳米管结构的一端与第一碳纳米管结构靠近碳纳米管阵列的一端相接触，得到一长度延长的碳纳米管结构；重复上述延长步骤，使碳纳米管结构的长度进一步延长；以及通过使用有机溶剂处理上述碳纳米管结构得到一碳纳米管纱。
纳米管纱制备方法

[发明专利]碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法-CN201410147435.9有效
发明人：魏洋;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2014-04-14 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： C01B32/16 文献下载
摘要：本发明提供一种碳纳米管阵列的转移方法，首先提供一代替基底及一生长基底，该生长基底表面具有碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列的形态能够使得一碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出，该碳纳米管结构包括多个首尾相连的碳纳米管，该代替基底的表面具有多个微结构；将该碳纳米管阵列从该生长基底转移至该代替基底，并保持该碳纳米管阵列的形态仍能够使该碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出，包括将该代替基底的表面接触该碳纳米管阵列远离该生长基底的表面；以及通过移动该代替基底与该生长基底中的至少一方，使该代替基底与该生长基底相远离，从而使该碳纳米管阵列与该生长基底分离，并转移至该代替基底。
纳米阵列转移方法结构制备

[发明专利]图案化碳纳米管阵列的制备方法及碳纳米管器件-CN201410274924.0有效
发明人：魏洋;魏浩明;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2014-06-19 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种图案化碳纳米管阵列的制备方法，包括以下步骤提供一转移至代替基底表面的碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列靠近该代替基底的表面为第二表面，远离该代替基底的表面为第一表面，该碳纳米管阵列的形态能够使得一碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出，该碳纳米管结构包括多个首尾相连的碳纳米管；通过在碳纳米管阵列的该第一表面进行激光刻蚀，将该碳纳米管阵列划分为两部分，分别为保留区域和去除区域；以及通过从该去除区域拉取碳纳米管结构的方式去除该去除区域中的碳纳米管，并保留该保留区域的碳纳米管。本发明还提供一种碳纳米管器件。
图案纳米阵列制备方法器件

[发明专利]碳纳米管膜的制备方法-CN201410269296.7有效
发明人：姜开利;柳鹏;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2014-06-17 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： C01B32/16 文献下载
摘要：一种碳纳米管膜的制备方法，包括以下步骤提供多个碳纳米管阵列间隔排列在同一直线上；将所述多个碳纳米管阵列处理成多个图形化碳纳米管阵列；从多个图形化碳纳米管阵列中拉取一碳纳米管膜，并将该碳纳米管膜搭接在前一图形化碳纳米管阵列上；从最前面的图形化碳纳米管阵列持续拉伸获得一碳纳米管膜碳纳米管膜。本发明还提供了一种碳纳米管结构预制体。
纳米制备方法

[发明专利]碳纳米管膜的制备方法-CN201410269129.2有效
发明人：姜开利;柳鹏;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2014-06-17 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种碳纳米管膜的制备方法，包括以下步骤提供多个碳纳米管阵列间隔排列在同一直线上；将所述多个碳纳米管阵列处理成多个图形化碳纳米管阵列；从多个图形化碳纳米管阵列中拉取一碳纳米管膜，并将该碳纳米管膜搭接在前一图形化碳纳米管阵列上；从最前面的图形化碳纳米管阵列持续拉伸获得一碳纳米管膜碳纳米管膜。本发明还提供了一种碳纳米管结构预制体。
纳米制备方法

[发明专利]一种氮化钼/氮化钛纳米管阵列复合材料及其制备方法和应用-CN201610042189.X有效
发明人：谢一兵;田芳 -专利权人：东南大学
申请日： 2016-01-21 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01G11/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化钼/氮化钛纳米管阵列复合材料及其制备方法和应用，所述材料包括氮化钼纳米膜、氮化钛纳米管阵列和氮化钛纳米膜；所述氮化钼纳米膜作为表面层，氮化钛纳米管阵列作为中间层，氮化钛纳米膜作为基底层，氮化钼纳米膜完全覆盖在氮化钛纳米管阵列的表面，氮化钛纳米管阵列垂直生长在氮化钛纳米膜的表面，形成一体化结构的氮化钼/氮化钛纳米管阵列复合材料；所述氮化钼纳米膜具有微孔膜结构，氮化钛纳米管阵列具有管壁相连的长纳米管或者管壁独立的短纳米管结构，氮化钛纳米膜具有凹坑膜结构。
一种氮化纳米阵列复合材料及其制备方法应用

[发明专利]碳纳米管阵列的转移方法及碳纳米管结构的制备方法-CN201410147542.1有效
发明人：魏洋;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2014-04-14 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： C01B32/168 文献下载
摘要：本发明提供一种碳纳米管阵列的转移方法，首先提供一代替基底、一生长基底及一间隔装置，该生长基底表面具有碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列的形态能够使得一碳纳米管结构可以从该碳纳米管阵列中连续地拉出；将该碳纳米管阵列从该生长基底转移至该代替基底，并保持该碳纳米管阵列的形态仍能够使该碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出，包括将该代替基底的表面接触该碳纳米管阵列远离该生长基底的表面，并通过该间隔装置间隔该代替基底与该生长基底；以及通过移动该代替基底与该生长基底中的至少一方，使该代替基底与该生长基底相远离，从而使该碳纳米管阵列与该生长基底分离，并转移至该代替基底。
纳米阵列转移方法结构制备

[发明专利]一种碳纳米管阵列电容器的制备方法-CN201710535977.7在审
发明人：徐仙峰 -专利权人：合肥择浚电气设备有限公司
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01G11/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳纳米管阵列电容器的制备方法，所述制备方法包括如下步骤（1）超顺排碳纳米管阵列的制备；（2）碳纳米管薄膜的制备；（3）碳纳米管薄膜结构的形成；（4）碳纳米管阵列电容器的制备。本发明的碳纳米管阵列电容器制备方法简单易行，碳纳米管具有良好的导电性能且本身的比表面积大，制得的超级碳纳米管阵列电容器具有较高的比电容量和电导率；碳纳米管薄膜结构包括多个首尾相连且定向排列的碳纳米管，相邻的碳纳米管之间存在多个微孔结构，使得碳纳米管薄膜结构中形成大量的均匀且规则分布的微孔结构，这有利于形成导电性良好的电荷通路。
一种纳米阵列电容器制备方法

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