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[发明专利]等离子体沉积设备-CN200880024918.2无效
发明人：斯蒂芬·理查德·库尔森;查尔斯·埃德蒙·金 -专利权人： P2I有限公司
申请日： 2008-07-17 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： B05D7/24 文献下载
摘要：一种通过等离子体沉积来使物品(14)的表面涂覆有薄膜聚合物层的设备(10)，该设备包括：多个处理室(12a，12b，12c，...12n)，一个或多个物品能被放进该多个处理室中的每一个处理室内；用于对所述处理室提供活性物质以便在所述室中形成等离子体的装置(18，19，20，21，22)；多个感应装置(24)，其与相应的处理室相关联，每一个感应装置可操作以在关联的处理室内感生电场，以便在所述活性物质被提供到该处理室时形成等离子体，使得所述物品表面能通过等离子体沉积而被涂覆有薄膜聚合物层
等离子体沉积设备

[发明专利]等离子体雾化沉积方法及设备-CN202210860169.9在审
发明人：谷旭;熊孝经;孟宪钊;王磊;余立滨;陈国超;农晓东;毕云杰 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： B22F9/14 文献下载
摘要：本申请公开了一种等离子体雾化沉积方法及设备，所述等离子体雾化沉积设备包括雾化沉积舱、沉积器和至少一个等离子体源，其中，所述等离子体源的喷嘴设置于所述雾化沉积舱内，所述等离子体源用于向金属源喷射等离子体，以使得金属源在等离子体的作用下，雾化形成金属熔滴；所述沉积器设置于所述雾化沉积舱内，位于所述等离子体源的下方，用于接收雾化形成的所述金属熔滴，形成沉积坯锭。本申请解决了现有技术喷射沉积制备的坯锭的孔隙率较高的技术问题。
等离子体雾化沉积方法设备

[实用新型]微波等离子体辅助原子层沉积设备-CN202221851674.9有效
发明人：王东君;陈宇林;郭敏 -专利权人：英作纳米科技（北京）有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种微波等离子体辅助原子层沉积设备，包括：微波等离子体发生器、等离子体扩散腔、真空反应室和反应源接口。微波等离子体发生器含有等离子体快速发生装置。微波等离子体发生器通过等离子体扩散腔与真空反应室相连通。等离子体扩散腔与真空反应室通过开合装置连接，通过该开合装置，可以方便样品取放样。本实用新型的微波等离子体辅助原子层沉积设备，能够提供微波辐照，提高等离子体的能量和密度，为原子层沉积的提供合适的能量，降低反应温度。本实用新型的微波等离子体辅助原子层沉积设备含有等离子体快速发生装置以及等离子体反应气体特殊脉冲进入模式，可以实现毫秒级的等离子体脉冲，大大缩短反应时间。
微波等离子体辅助原子沉积设备

[发明专利]薄膜沉积设备和利用其沉积薄膜的方法-CN201310274602.1在审
发明人：李侑钟 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2013-07-02 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜沉积设备及利用薄膜沉积设备沉积薄膜的方法。薄膜沉积设备包括等离子体产生单元、溅射单元和包含反应空间的处理室。等离子体产生单元在反应空间中产生等离子体。溅射单元独立于等离子体产生单元进行驱动，以在反应空间中形成电场并利用等离子体对靶材执行溅射工艺。
薄膜沉积设备利用方法

[发明专利]用于制造一种由至少两种组分组成的功能层的方法和设备-CN200480038309.4无效
发明人：马丁·迪南·比杰克;马里纳斯·弗朗西斯库斯·约翰尼斯·埃弗斯;弗朗西斯库斯·科尼利厄斯·丁斯 -专利权人： OTB集团有限公司
申请日： 2004-12-16 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：一种用于制造功能层的方法，其中将基底引入处理室中，由至少一个等离子体源例如等离子体级联源(3)产生至少一个等离子体，将至少一种沉积材料在等离子体(P)的影响下沉积到基底(1)上，同时将至少一种第二材料(6)借助于第二沉积工序涂覆到基底上。本发明进一步提供一种设备，其设置有至少一个等离子体源，例如等离子体级联源，以产生至少一个等离子体，其中所述设备包括用于将沉积材料引导进入每个等离子体中的装置，其中所述设备设置有第二沉积源(6)，第二沉积源被设置为与等离子体源同时地将至少一种第二沉积材料沉积到基底上
用于制造一种至少组分组成功能方法设备

[发明专利]具有抗腐蚀涂层的金属丝以及用于涂覆金属丝的设备和方法-CN201980047148.1在审
发明人： F·费拉约洛 -专利权人：奥菲奇内·马卡费里股份公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：一种用于通过等离子体沉积连续地涂覆丝的设备，包括至少一个等离子体沉积室(14)，所述至少一个等离子体沉积室具有气密的入口(16)和气密的出口(18)，所述气密的入口和气密的出口能够在丝(12)穿过它们时在等离子体沉积室(14)内维持减压，所述丝行进通过等离子体沉积室(14)。在等离子体沉积室(14)中设置等离子体射线(32)的至少一个发生器(30)，用于在丝(12)的处于气密的入口(16)与气密的出口(18)之间的部分中将目标材料(34)沉积在所述丝的外表面上。在所述设备中设置传输系统(40)，以便逐步地将丝(12)拉动通过等离子体沉积室(14)。
具有腐蚀涂层金属丝以及用于设备方法

[发明专利]等离子体沉积方法和等离子体沉积设备-CN201910552879.3在审
发明人：山本薰;金昌炫;宋伣在;申建旭;申铉振;安星柱;李章熙;李昌锡;全基荣;郑根吾 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了一种等离子体沉积方法和等离子体沉积设备，在所述等离子体沉积方法中，将基底装载到腔室内的基底台上。在与基底隔开第一距离的第一等离子体区域处产生第一等离子体。将第一工艺气体供应到第一等离子体区域以对基底执行预处理工艺。在与基底隔开与第一距离不同的第二距离的第二等离子体区域处产生第二等离子体。将第二工艺气体供应到第二等离子体区域以对基底执行沉积工艺。
等离子体沉积方法设备

[实用新型]等离子体源增强沉积设备-CN03211548.2无效
发明人：李国卿;关秉羽;李剑锋;牟宗信 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2003-02-20 - 公布日： 2004-08-11 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：等离子体源增强沉积设备属于等离子体表面物理气相沉积技术领域。等离子体源增强沉积设备由真空系统、加热系统、偏压电源、供气系统、工件传动系统以及等离子体源与真空弧、磁控溅射组成，由等离子体源提供气体离化的等离子体，在偏压作用下，载能离子清洗、活化和强化材料表面，并与真空弧、磁控溅射产生的金属离子合成薄膜，实现等离子体源强化－镀膜一体化技术。本实用新型设备设计适合工业应用的等离子体源，利于产业化技术。应用于机械，信息，建筑装璜等领域。尤其适用于深层强化和表面处理的工模具。
等离子体增强沉积设备

[实用新型]等离子体均布装置及沉积设备-CN201821920325.1有效
发明人：陈君 -专利权人：宁波涂冠镀膜科技有限公司
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种等离子体均布装置及沉积设备，该等离子体均布装置应用于沉积设备，沉积设备包括真空腔体和设置在真空腔体内的样品台，等离子体均布装置设置在真空腔体内，等离子体均布装置包括至少两个电磁线圈：第一电磁线圈和第二电磁线圈该沉积设备包括上述的等离子体均布装置、样品台、真空腔体以及等离子源。本实用新型的等离子体均布装置及沉积设备能使样品台的周围空间区域的等离子体分布趋于均匀，进而使所沉积的薄膜更为均匀，薄膜质量获得提升，并且其结构简单、易于制造。
等离子体均布装置沉积设备电磁线圈样品台真空腔体本实用新型真空腔薄膜体内等离子体分布等离子源周围空间沉积内壁外围包围应用制造

[发明专利]化学气相沉积设备的清洁方法-CN200610077347.1有效
发明人：赖建兴;王俊宜 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-04-29 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：一种沉积设备的清洁方法，首先将一含氟的清洁气体导入该沉积设备中，使该含氟的清洁气体在该沉积设备中维持在一第一压力状态下。提供一RF功率，点燃该沉积设备中的该含氟的清洁气体，产生一等离子体气体。形成该等离子体气体后，使该等离子体气体在该沉积设备中维持一预定时间，并达到一第一温度状态，进行该沉积设备的第一阶段的内部清洁。关掉该RF功率，以停止产生该等离子体气体，然后，将一含有氟自由基的远端等离子体气体，自一远端等离子体供应设备，导入处于该第一温度下的该沉积设备中，进行第二阶段的内部清洁。
化学沉积设备清洁方法

[发明专利]溅射沉积设备及方法-CN202080091044.3在审
发明人： M.伦达尔;R.格鲁尔 -专利权人：戴森技术有限公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本文描述的某些示例涉及一种溅射沉积设备，其包括用于在传送方向上引导基底的引导构件；用于产生等离子体的等离子体元；以及磁体装置。磁体装置配置成在设备内将等离子体限制到预处理区，在该预处理区内，基底在使用中暴露于等离子体。磁体装置还配置成在设备内将等离子体限制到溅射沉积区，以在使用中提供靶材料到基底的溅射沉积，该溅射沉积区在传送方向上位于预处理区之后。预处理区和溅射沉积区围绕引导构件设置。
溅射沉积设备方法

[发明专利]溅射沉积设备及方法-CN202111119888.7在审
发明人： S.高特 -专利权人：戴森技术有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种溅射沉积设备，用于将溅射材料从溅射靶溅射到基底上。该溅射沉积设备包括包含多个螺旋等离子体源的螺旋等离子体源阵列。每个螺旋等离子体源包括射频(RF)天线，其布置为由电流驱动，以便产生在发射方向上远离天线传播的螺旋波，并由此在等离子体产生区域中产生等离子体。
溅射沉积设备方法

[发明专利]用于构件的增材制造的设备和方法-CN202110819439.7在审
发明人：托马斯·诺伊贝特;迈克尔·托马斯;蒂姆·敬民·亚伯拉罕;克里斯蒂娜·拉赫曼 -专利权人：弗劳恩霍夫应用研究促进协会
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： B29C64/118 文献下载
摘要：本发明涉及用于构件的增材制造的设备。该设备包括具有挤出喷嘴的增材制造头和围绕挤出喷嘴设置的或集成到挤出喷嘴中的用于产生等离子体的等离子体源。本发明还涉及用于构件的增材制造的方法。在该方法中，借助围绕增材制造头的挤出喷嘴设置的或集成到挤出喷嘴中的等离子体源产生等离子体。此外，将材料熔融、挤压通过挤出喷嘴并使其层状沉积。此外，用等离子体进行处理，其中在沉积之前用等离子体处理材料层状沉积在其上的表面，并且/或者在沉积之前、期间和/或之后用等离子体处理材料。
用于构件制造设备方法

[实用新型]等离子体增强原子层沉积设备-CN201320165837.2有效
发明人：王东君 -专利权人：王东君
申请日： 2013-04-03 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种等离子体增强原子层沉积设备，包括：相互贯通的等离子体产生腔体、扩散腔体、反应腔体以及抽气腔体，其中：所述等离子体产生腔体具有等离子体产生气体进气口以及使来自所述等离子体产生气体进气口的等离子体产生气体产生等离子体的等离子发生装置；所述等离子体产生腔体和所述扩散腔体之间设置有反应物进气口，来自所述反应物进气口的反应物与产生的等离子体在所述扩散腔体的内部均匀混合；所述反应腔体的内部设置有用于放置与所述反应物发生反应的待沉积样品的样品台该设备实现了高质量原子层薄膜的沉积。
等离子体增强原子沉积设备

[发明专利]一种等离子体腔室及用于物理气相沉积的预清洗设备-CN201710464284.3有效
发明人：张彦召;陈鹏 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体腔室和用于物理气相沉积的预清洗设备。本发明公开的等离子体腔室包括腔体、等离子体发生器、以及设置于腔体内用于支撑被加工工件的基座；还包括等离子体调节装置，等离子体调节装置设置在基座上方；且当工艺时，等离子体调节装置的表面形成有鞘层，等离子体中的离子密度大的区域中的部分离子被鞘层中的电子中和为中性粒子，从而使到达被加工工件表面的等离子体中的离子密度趋于均匀。本发明公开的用于物理气相沉积的预清洗设备包括本发明的等离子体腔室。本发明的等离子体腔室及预清洗设备内的等离子体的密度分布均匀，对被加工工件的加工质量高。
一种等离子体腔用于物理沉积清洗设备

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