专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]信息处理装置和图像修改方法-CN201510570264.5有效
  • 高桥梓帆美;柴田智行;铃木薰;登内洋次郎;井本和范;三原功雄 - 株式会社东芝
  • 2015-09-09 - 2019-01-18 - G06K9/00
  • 计算部计算所述字符区域的预定属性的第一表值、所述字符背景区域的所述预定属性的第二表值、和所述背景区域的所述预定属性的第三表值。修改单元以基于第一表值和第三表值的第一差、基于第一表值和第二表值的第二差、以及基于第二表值和第三表值的第三差变大的方式,修改第一表值、第二表值和第三表值中的至少一个。输出单元通过以下获得修改后的图像:当所述第一表值被修改时,将所述字符区域的所述预定属性的值改变为修改后的第一表值,当所述第二表值被修改时,将所述字符背景区域的所述预定属性的值改变为修改后的第二表值,或者当所述第三表值被修改时,将所述背景区域的所述预定属性的值改变为修改后的第三表值。
  • 信息处理装置图像修改方法
  • [发明专利]第三半导体结构及其制造方法-CN202110774882.7在审
  • 陈正培;徐文凯 - 深圳镓芯半导体科技有限公司
  • 2021-07-08 - 2021-11-19 - H01L29/06
  • 本发明涉及半导体制造的技术领域,公开了一种第三半导体结构及其制造方法,所述第三半导体结构包括:衬底;设置于所述衬底上的缓冲层;设置于所述缓冲层上的集电极层;设置于所述集电极层上的基电极层;设置于所述基电极层上的异质外延层通过在基电极层和射电极层之间设置一层异质外延层,从而形成二维电子气层,获得较高的电子迁移率,从而提高第三半导体结构在作用于放大器时的放大功率比值,并且,通过调整异质外延层中的Al原子和Ga原子之间的浓度配比,在维持二维电子气层这个重要结构的同时,达到调整第三半导体结构的禁带电子能量的目的。
  • 第三代半导体结构及其制造方法
  • [发明专利]一种实现IMS业务的手机客户端系统及其方法-CN200710124048.3无效
  • 刘海军 - 中兴通讯股份有限公司
  • 2007-10-22 - 2008-03-26 - H04Q7/32
  • 本发明公开了一种实现IMS业务的手机客户端系统及其方法,该方法包括以下步骤:a.在手机中设置一第三IP多媒体子系统客户端软件模块;b.用户启用第三IP多媒体子系统业务,调用所述客户端软件模块发送业务功能请求信令;c.所述客户端软件模块根据请求信令参数,组织装配信令数据包发送到第三IP多媒体子系统网络,并接收网络响应信令数据包。本发明通过在手机中设置一第三IP多媒体子系统IMS客户端软件模块,在手机系统启动时,调用IMS客户端软件模块提供的启动函数启动IMS客户端软件模块,等待手机系统的业务请求命令,从而可以灵活快速地在手机上实现新业务功能
  • 一种实现ims业务手机客户端系统及其方法
  • [实用新型]一种基于第三半导体氮化镓材料的通讯用外接电源-CN202223121962.1有效
  • 谢自力;卞文静 - 南京南大光电工程研究院有限公司
  • 2022-11-24 - 2023-05-05 - H01R13/56
  • 本实用新型提供一种基于第三半导体氮化镓材料的通讯用外接电源,涉及电源领域。该基于第三半导体氮化镓材料的通讯用外接电源,包括充电头,所述充电头的右侧连接有电源线,所述充电头的右侧开设有螺纹槽,所述螺纹槽的内部螺纹连接有螺杆,所述螺杆的右端固定连接有固定杆,所述固定杆的右端固定连接有挡板该基于第三半导体氮化镓材料的通讯用外接电源,通过螺纹槽、螺杆、固定杆、活动环、挡板、限位杆、弹簧和卡罩之间的相互配合,达到将电源线与充电头连接处进行支撑,避免电源线容易断裂,解决了现有的基于第三半导体氮化镓材料的通讯用外接电源的充电头侧面电源线在不断弯折后容易产生断裂
  • 一种基于第三代半导体氮化材料通讯外接电源

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