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- [发明专利]形成薄膜的方法-CN99805632.4无效
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上野智雄
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东京农工大学
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1999-03-23
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2001-06-13
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H01L21/316
- 在向衬底上沉积气态分子(每种气体分子由多个原子组成)的薄膜形成方法中,或者使所述气态分子与所述衬底的组成元素反应在所述衬底上形成化合物薄膜的薄膜形成方法中,产生含有其能量高于把所述气态分子离解成其原子态分子所需能量的准稳能级的激发的惰性气态分子和所述气态分子,然后,所述气态分子在沉积到所述衬底上之前离解成其原子态的元素。因此,不要求所述气态分子在所述衬底上的离解,导致了所述薄膜形成方法的温度降低。
- 形成薄膜方法
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