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[实用新型]芯片电阻器基材层和电阻层的强化结合结构-CN202221051298.5有效
发明人：洪志谋;陈淳学;周东毅 -专利权人：信昌电子陶瓷股份有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01C7/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种芯片电阻器基材层和电阻层的强化结合结构，其是在一基材层的顶面形成一对顶面导电金属层，而在基材层的底面形成一对背面导电金属层。一电阻层形成在该基材层上且位于该对顶面导电金属层之间，并分别电连通于该对顶面导电金属层。该电阻层和该基材层的顶面之间还包括一强化结合层，由该强化结合层增强该电阻层和该基材层的顶面之间的界面接合强度，使该电阻层在烧结过程中不从该基材层的顶面剥离。
芯片电阻器基材电阻强化结合结构

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110674533.8在审
发明人：蔡巧明;马丽莎 -专利权人：中芯北方集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供半导体衬底，包括电阻区，电阻区的半导体衬底上形成有电阻结构材料层；在电阻区中，在电阻结构材料层中形成一个或多个平行的沟槽，沟槽贯穿部分厚度的电阻结构材料层；在形成沟槽后，图形化电阻结构材料层，去除沟槽外侧的部分电阻结构材料层，保留包含有沟槽的部分电阻结构材料层作为电阻结构；在电阻结构侧部的半导体衬底上形成介质层，介质层还填充于沟槽中，且介质层露出电阻结构的顶部；沿电阻结构的延伸方向，去除电阻结构和介质层交界处的部分电阻结构，形成由介质层和剩余的电阻结构围成的开口；在开口中形成电极。电阻结构顶部形成有沟槽，降低了电阻结构顶面出现凹陷缺陷的概率。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]电阻结构及其形成方法-CN202111172784.2在审
发明人：王胜;陈建;王彦 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种电阻结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底表面形成第一电阻层；在第一电阻层表面形成初始第二电阻层，且初始第二电阻层的电阻率高于第一电阻层的电阻率；在初始第二电阻层表面形成第m介质层，第m介质层内具有暴露出所述初始第二电阻层表面的通孔；对通孔暴露出的初始第二电阻层进行改性处理，在通孔底部形成接触层，接触层位于所述第一电阻层表面，被第m介质层覆盖的初始第二电阻层形成第二电阻层，所述接触层侧壁与所述第二电阻层侧壁相接触，接触层的电阻率小于第二电阻层的电阻率；在接触层上形成填充满通孔的导电结构。所形成的电阻结构可靠性高、电学性能好。
电阻结构及其形成方法

[发明专利]具有导热层结构的晶片电阻-CN200810169798.7无效
发明人：程凌天;徐松宏;曾耀震;甄文均;尤嘉传 -专利权人：信昌电子陶瓷股份有限公司
申请日： 2008-10-28 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01C7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有导热层结构的晶片电阻，特指一种通过绝缘基板及其上、下方设置的导热层、导电层，且由二端电极包覆连接该绝缘基板、导热层及导电层的晶片电阻，该以铜箔、金属薄膜或合金箔为材料的导热层设有一刻蚀的隔离槽缝，另，该以合金为材料的导电层具特定宽度以符合所需的阻抗大小值。本发明的晶片电阻内部结构元件精简，工艺简单成本耗费较低；导电层专职导电，有效增进电路效能的整体表现；导热层设计，提升散热率，增加电阻性能与寿命。
具有导热结构晶片电阻

[发明专利]薄膜电阻结构及其形成方法、半导体结构及其形成方法-CN202310075975.X在审
发明人：何鹏;潘林;袁海旭;杨磊 -专利权人：常州承芯半导体有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：一种薄膜电阻结构及其形成方法、半导体结构及其形成方法，其中薄膜电阻结构包括：薄膜电阻层；位于所述薄膜电阻层上的第一介质层，所述第一介质层暴露出所述薄膜电阻层的部分表面；金属板，所述金属板与暴露出的所述薄膜电阻层接触，且部分所述金属板位于所述第一介质层上。所述薄膜电阻结构由所述薄膜电阻层、所述第一介质层和所述金属板堆叠形成，因此有效减少了所述薄膜电阻结构占用的器件空间。另外，所述薄膜电阻层无需通过电极条串接，且所述金属板直接与暴露出的所述薄膜电阻层接触，因此有效降低了所述薄膜电阻结构的制作成本。
薄膜电阻结构及其形成方法半导体

[发明专利]包括电阻结构的半导体器件-CN201810077733.3有效
发明人：申洪湜;金度亨;李斗荣;罗炫旭;李书范;李元赫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明提供了包括满足电阻器件的期望目标电阻值的电阻结构且具有增强的特性的半导体器件。一种半导体器件包括：下层间绝缘层，设置在包括电阻区域的基板上；电阻结构，包括顺序地堆叠在电阻区域的下层间绝缘层上的电阻层和蚀刻停止图案；上层间绝缘层，配置为覆盖电阻结构并设置在下层间绝缘层上；电阻接触结构，配置为穿过上层间绝缘层和蚀刻停止图案并接触电阻层；以及电阻接触间隔物，设置在上层间绝缘层和蚀刻停止图案与电阻接触结构之间。
包括电阻结构半导体器件

[实用新型]一种薄膜电阻器结构-CN202020338177.3有效
发明人：徐建卫;徐艳;汪鹏;叶宇诚 -专利权人：上海矽安光电科技有限公司
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01C7/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种薄膜电阻器结构，该薄膜电阻器结构包括：绝缘衬底，电阻层，其分布在绝缘衬底的表面；绝缘层，其覆盖在电阻层上且预留通孔；以及金属电极层，其分布在绝缘层上并通过通孔与电阻层连接。本申请薄膜电阻器结构具有小尺寸、高阻值，其中的电阻层有绝缘层覆盖，使电阻层与外部环境隔离，提高了薄膜电阻器结构的可靠性。
一种薄膜电阻器结构

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110079174.1在审
发明人：蔡巧明;张云香 -专利权人：中芯北方集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括电阻区；在基底中形成隔离结构；在电阻区的隔离结构之间的基底中形成绝缘层，绝缘层通过对基底进行氧化处理的方式形成；在绝缘层上形成电阻结构；在电阻结构侧部的基底上形成层间介质层，层间介质层露出电阻结构的顶部；沿电阻结构的延伸方向，去除电阻结构和层间介质层交界处的部分电阻结构，形成由层间介质层和剩余的电阻结构围成的开口；在开口中形成电极；在电极顶部形成电连接电极的导电插塞。隔离结构之间的区域为有源区，在形成隔离结构时进行平坦化的过程中，对有源区造成过研磨的概率较低，则在有源区形成绝缘层，有效降低了绝缘层出现凹陷缺陷的概率。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]互连结构及其形成方法-CN202310969273.6在审
发明人：吴旭升 -专利权人：北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/74 文献下载
摘要：本申请提供一种互连结构及其形成方法，该形成方法包括：提供前层结构和位于前层结构上的堆叠结构，该堆叠结构包括依次堆叠的第一导电阻挡材料层、导电连线材料层、第二导电阻挡材料层、通孔连线材料层以及第三导电阻挡材料层；在第三导电阻挡材料层上形成第二掩膜层；刻蚀堆叠结构至暴露前层结构，其中，与第二掩膜层和第三掩膜层位置对应的第一导电阻挡材料层、导电连线材料层和第二导电阻挡材料层被保留并分别形成第一导电阻挡层、导电连线和第二导电阻挡层；与第三掩膜层位置对应的第三导电阻挡材料层和通孔连线材料层被保留并分别形成通孔连线和第三导电阻挡层。本申请的互连结构及其形成方法可以提高互连结构的良率。
互连结构及其形成方法

[发明专利]流体喷射装置及其制造方法-CN200710127538.9无效
发明人：洪益智;钟震桂 -专利权人：明基电通股份有限公司
申请日： 2007-06-28 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： B41J2/05 文献下载
摘要：一种流体喷射装置及制造方法，该流体喷射装置包括基板、电阻层以及结构层。电阻层形成于基板上，其中电阻层包含钽(Ta)、硅(Si)以及氮(N)。结构层设置在基板上方，结构层与基板之间形成容置流体的流体腔，结构层具有连接流体腔的喷孔。当电阻层通以电流时，电阻层加热流体而形成气泡，气泡推挤流体使得流体经由喷孔射出。根据本发明的流体喷射装置的制造方法，包括：提供基板；溅镀电阻层于基板上，电阻层包含钽(Ta)、硅(Si)以及氮(N)；图案化电阻层；以及设置结构层于基板上，结构层与基板之间形成容置流体的流体腔，结构层具有连接流体腔的喷孔
流体喷射装置及其制造方法

[发明专利]半导体结构的制造方法-CN201610527879.4有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-07-06 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体结构的制造方法，包括：提供包括器件区域和电阻区域的衬底，器件区域的衬底具有分立的鳍部；在衬底上形成隔离结构；在器件区域形成横跨鳍部表面并覆盖鳍部部分顶部和侧壁表面的伪栅结构；在形成伪栅结构的过程中，在电阻区域的隔离结构上形成电阻结构；在隔离结构上形成露出伪栅结构和电阻结构的层间介质层；在器件区域的层间介质层上形成图形层，图形层露出电阻结构；以图形层为掩膜，对电阻结构进行掺杂工艺以调整阻值；在掺杂工艺后，在电阻结构上形成保护层；形成保护层后，去除伪栅结构；在伪栅结构原位置处形成金属栅极结构。相比形成伪栅结构和电阻结构后，对电阻结构进行掺杂工艺的方案，本实施例可以降低电阻结构的制造成本。
半导体结构制造方法

[发明专利]一种薄膜电阻器结构及制备方法-CN202010187840.9在审
发明人：徐建卫;徐艳;汪鹏;叶宇诚 -专利权人：上海矽安光电科技有限公司
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01C7/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种薄膜电阻器结构及制备方法，该薄膜电阻器结构包括：绝缘衬底，电阻层，其分布在绝缘衬底的表面；绝缘层，其覆盖在电阻层上且预留通孔；以及金属电极层，其分布在绝缘层上并通过通孔与电阻层连接。该制备方法，包括：采用光刻和等离子刻蚀的工艺，在绝缘衬底上形成电阻层；采用溅射工艺，在电阻层上溅射绝缘层；利用光刻和二氧化硅湿法腐蚀工艺，在绝缘层上开至少两个通孔；通过光刻和金属层剥离的工艺，在绝缘层及通孔内覆盖金属电极层，通过通孔使得金属电极层与电阻层连接。本申请薄膜电阻器结构具有小尺寸、高阻值，其中的电阻层有绝缘层覆盖，使电阻层与外部环境隔离，提高了薄膜电阻器结构的可靠性。
一种薄膜电阻器结构制备方法

[发明专利]电阻结构及其制作方法-CN202210887588.1有效
发明人：江显伟 -专利权人：钧崴电子科技股份有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01C10/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种电阻结构及其制作方法，该电阻结构包括：基底；设置在所述基底上的金属层，所述金属层上设有电极区、非电极区以及隔离区；所述非电极区上设置有阻值调节层，用以调节电阻结构的电阻率；所述电极区内设置有电极层；所述隔离区内设有第一绝缘层；所述阻值调节层上设有第二绝缘层。在本发明中，通过在金属层上设置阻值调节层对电阻接口的整体电阻率进行调节，从而调节电阻结构的电阻值，实现了在电阻尺寸确定的情况下，调节后电阻的阻值满足使用需求。
电阻结构及其制作方法

[发明专利]包括可变电阻层的半导体存储器件-CN201911410986.9在审
发明人：李炅奂;金容锡;金森宏治 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L27/11565 文献下载
摘要：本发明构思涉及一种包括可变电阻层的半导体存储器件。该半导体存储器件包括堆叠结构，该堆叠结构包括交替且重复堆叠的多个绝缘层和多个互连层。柱结构设置在堆叠结构的侧表面上。柱结构包括绝缘柱和可变电阻层，可变电阻层设置在绝缘柱上并位于绝缘柱和堆叠结构之间。沟道层设置在可变电阻层上并位于可变电阻层和堆叠结构之间。栅电介质层设置在沟道层上并位于所述多个互连层和沟道层之间。沟道层设置在可变电阻层和栅电介质层之间。
包括可变电阻半导体存储器件

[发明专利]半导体结构、集成芯片及其制造方法-CN202010513477.5在审
发明人：郭俊聪;卢玠甫 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本公开的各种实施例涉及一种包括电阻器结构的集成芯片。电阻层上覆在衬底之上。电阻器结构上覆在衬底之上。电阻器结构包括电阻层的电阻器区段及上覆在电阻器区段之上的导通孔结构。环结构封闭电阻器结构。环结构从导电结构上方的第一点连续延伸到电阻层的底表面下方的第二点。
半导体结构集成芯片及其制造方法

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