专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果14289802个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]用于测量动态扬声器驱动器的力因子的测量设备-CN201910869851.2有效
  • R·弗里德里希 - 奥音科技(北京)有限公司
  • 2019-09-16 - 2021-03-19 - H04R29/00
  • 一种用于测量动态扬声器驱动器的力因子的测量设备包括:第一端子和第二端子;放大器;电压测量装置;位移测量装置;以及电气/电子装置。该测量设备用于在第一操作模式下操作放大器以产生电压并且在第一操作模式期间操作电气/电子装置以具有低阻抗,使得该电压存在于第一端子处以使振膜相对于磁体移位;并在第二操作模式期间操作电气/电子装置以具有高阻抗,使得连接到测量设备的动态扬声器移动其移位的振膜,从而导致由动态扬声器驱动器产生并存在于第一端子处的感应电压。该测量设备包括评估装置,其被配置为响应于在第二操作模式期间所测量的振膜的位移以及由电压测量装置测量的感应电压来确定连接到测量设备的动态扬声器驱动器的力因子。
  • 用于测量动态扬声器驱动器因子设备
  • [发明专利]多路复用的电池包测压装置-CN201110373126.X有效
  • 张伟峰;程亚兵 - 浙江高泰昊能科技有限公司
  • 2011-11-22 - 2012-06-13 - G01R31/36
  • 本发明公开了一种多路复用的电池包测压装置,包括ADC模块和多个串联在一起的电池,所述ADC模块包括多个电压测量接口和至少一个温度测量接口;其中,第一级电池的电压输出端通过电压反向器和温度测量接口相连,所述电压测量接口的输入端从第二级电池开始依次和后一级电池的电压输出端相连,第二级电池的负极端设为标准的参考零电压V0。本发明提供的多路复用的电池包测压装置,通过复用温度测量接口实现电压测量接口扩展,成本低且能保证测量电压值一致性。
  • 多路复用电池包测压装置
  • [发明专利]光伏组件的最大功率测量装置、方法及发电量测量方法-CN201510090132.2有效
  • 张国驹;赵帅央;刘炳;张黎杰 - 北京天诚同创电气有限公司
  • 2015-02-27 - 2017-05-10 - H02S50/10
  • 本发明的实施例提供了一种光伏组件的最大功率测量装置、方法及发电量测量方法,其中,所述用于光伏组件的最大功率测量装置包括电压测量电路,所述电压测量电路一端与所述光伏组件的正极相连接,另一端与所述光伏组件的负极相连接,用于测量当前环境的所述光伏组件的开路电压和放电电压;控制器,与所述电压测量电路相连接,用于根据标准环境下的第一最大功率以及第一最大功率点对应的工作电压和工作电流、所述开路电压和放电电压,获取当前环境下的所述光伏组件的第二最大功率本发明的光伏组件的最大功率测量装置、方法及发电量测量方法能够测量光伏组件的最大功率和发电量,提高了测量的准确度,且结构简单、可靠性高、成本低廉。
  • 组件最大功率测量装置方法发电量测量方法
  • [实用新型]剩余电压高精度测量装置-CN200920300299.7有效
  • 程丽玲;蔡永华 - 浙江省检验检疫科学技术研究院
  • 2009-01-19 - 2009-11-11 - G01R19/00
  • 本实用新型公开了一种剩余电压高精度测量装置,设置了控制系统,控制系统连接相位监测模块和测量单元,相位监测模块和测量单元分别连接被测器件。利用相位监测模块监测测量回路的电压,通过电子的方式实现峰值电压判断,并在峰值时断开测试电源电压,并且根据测量标准,在测试前设定测量延时值,在延时之后测量单元读取电压值。采用本实用新型可以避开传统的测量方式所带来的阻抗问题,并且电子计时准确,电压值读取精准,实现对电器产品剩余电压的高精度测量
  • 剩余电压高精度测量装置
  • [发明专利]用于测量半导体外延晶片耐受电压的方法和半导体外延晶片-CN03800627.8有效
  • 秋田胜史;山下正史;木山诚 - 住友电气工业株式会社
  • 2003-01-23 - 2004-11-17 - H01L21/66
  • 一种方便测量半导体外延晶片击穿电压测量方法以及一种实现较高耐受电压的半导体外延晶片。在根据本发明的半导体外延晶片(10)的耐受电压测量方法中,仅仅使用肖特基触点来测量触点(12、12)之间的耐受电压,而不需要使用电阻触点。由于相应地省略了形成电阻触点的制造过程,从而半导体外延晶片可以方便地用于耐受电压测量的测试。因此,可以方便地测量晶片(10)的耐受电压。另外,因为在由晶片(10)制造成实际装置之前可以对电极之间的耐受电压进行测量,从而可以在不合格晶片(10)进入实际装置制造过程之间将其去除。因此,与在实际装置制作后测量触点间的击穿电压V2的传统测量方法相比,所产生的损失得以降低。
  • 用于测量半导体外延晶片耐受电压方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top