“漂移电场”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果94890个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种电场传感器温度漂移及时间漂移实时差分补偿方法-CN201210479248.1有效
发明人：彭春荣;闻小龙;杨鹏飞;方东明;夏善红 -专利权人：北京中科飞龙传感技术有限责任公司
申请日： 2012-11-22 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： G01R29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种电场传感器温度漂移及时间漂移的实时差分补偿方法，包括(1)所述电场传感器包括至少一个电场测量单元和至少一个电场参比单元，所述参比单元用于对所述电场传感器的温度漂移和时间漂移进行补偿；(2)补偿主要是通过对所述电场测量单元的输出信号与所述电场参比单元的输出信号进行差分，计算所述电场传感器的差分输出；(3)根据所述电场传感器的差分输出及其校准参数，推算被测电场的大小。本发明的目的是为解决电场传感器实际应用中温度引起的温度漂移和时间漂移这一关键问题，提供一种有效的、使用方便的漂移实时补偿方法。
一种电场传感器温度漂移时间实时补偿方法

[发明专利]高速光探测器-CN201480029484.0有效
发明人： M.G.查辛斯基;N.P.奇蒂卡 -专利权人：迈络思科技有限公司
申请日： 2014-05-21 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明提供一种基于pin的高速光探测器，其包括其中所施加的电场较高的薄光吸收层(102)，该薄光吸收层(102)与暴露于低得多的电场的漂移层(104)组合。仅具有较高迁移率的电荷载流子将必须行进经过漂移层(104)，而具有较低迁移率的电荷载流子将仅行进在小于或至多等于光吸收层(102)的厚度的距离上。漂移层(104)的带隙能量(208)大于光吸收层(102)的带隙能量(206)。较高电场光吸收层到较低电场漂移层的过渡通过分级层(105)实施。漂移层(104)中的电场关于光吸收层(102)的电场的减小通过光吸收层(102)、漂移层(104)和分级层(105)中的掺杂浓度的分布实现。
高速探测器

[发明专利]一种IGBT器件-CN202211166946.6在审
发明人：祁金伟;刘倩;张耀辉 -专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种IGBT器件，包括集电极；形成在集电极之上的电场终止层；形成在电场终止层之上的电场过渡层；形成在电场过渡层之上的漂移区，以及形成在漂移区内的多个的柱区；形成在漂移区上方的阱区；其中，电场过渡层的掺杂浓度电场终止层的掺杂浓度，漂移区和电场过渡层分别能够发生电导调制效应积累少数载流子；IGBT器件关断，所述电场过渡层被完全耗尽，电场在所述电场过渡层降低且在所述电场终止层减小至0，电场在电场过渡层和电场终止层的交界位置自上而下平滑降低本申请实施例解决了传统的SJ‑IGBT器件在关断过程中关断损耗较大以及电场突变导致器件稳定性不足的技术问题。
一种 igbt 器件

[发明专利]一种IGBT器件及开关电路-CN202211167593.1在审
发明人：祁金伟;刘倩;张耀辉 -专利权人：深圳市千屹芯科技有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：IGBT器件包括集电极；形成在所述集电极之上的电场终止层；形成在电场终止层之上的电场过渡层；形成在电场过渡层之上的漂移区，以及形成在漂移区的柱区；形成在漂移区上方的阱区；其中，电场过渡层的掺杂浓度电场终止层的掺杂浓度，漂移区和电场过渡层分别能够发生电导调制效应积累少数载流子；IGBT器件在不同预设工作电压关断时，电场过渡层均被完全耗尽，电场在电场过渡层降低且在电场终止层减小至0，IGBT器件的预设工作电压为大于等于
一种 igbt 器件开关电路

[发明专利]一种IGBT器件-CN202211103659.0在审
发明人：祁金伟;刘倩;张耀辉 -专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种IGBT器件，包括集电极；形成在集电极之上的电场终止层；形成在电场终止层之上的电场过渡层；形成在电场过渡层之上的漂移区，以及形成在漂移区内的多个的柱区；形成在漂移区上方的阱区；其中，电场过渡层的掺杂浓度电场终止层的掺杂浓度，漂移区和电场过渡层分别能够发生电导调制效应积累少数载流子；电场过渡层的电荷总量Q总小于等于k％×Ec/εs使得IGBT器件关断，所述电场过渡层被完全耗尽，电场在所述电场过渡层降低且在所述电场终止层减小至0。k％为最小预设工作电压条件下电场强度占临界击穿电场强度的百分比。本申请实施例解决了传统的SJ‑IGBT器件关断能量损耗较大的技术问题。
一种 igbt 器件

[发明专利]一种具有变K介质折叠横向双扩散金属氧化物半导体场效应管-CN201610601988.6有效
发明人：曹震;段宝兴;吕建梅;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：利用器件漂移区与场板之间的变K介质层对器件漂移区表面的电场进行调制优化，由于在不同介质处介电常数存在差异产生新的电场峰，新的电场峰对器件漂移区表面的电场进行调制，使得漂移区表面的电场变得更加均匀，从而有效地提高了器件的击穿电压、优化了器件的整体电场。介质层材料的变化，使得在器件的漂移区积累的多数载流子浓度增加，从而可以进一步降低器件的比导通电阻，器件的整体性能得到提升。
一种有变介质折叠横向扩散金属氧化物半导体场效应

[发明专利]快恢复二极管-CN202210967302.0在审
发明人：吴小利;王海军 -专利权人：上海擎茂微电子科技有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种快恢复二极管，包括：第一导电类型重掺杂的第一电极区、第二导电类型重掺杂的第二电极区，位于第一和第二电极区之间的第二导电类型掺杂的漂移区。在漂移区中插入有第二导电类型掺杂的电场阻滞层并将漂移区分割成第一和第二漂移子层。电场阻滞层的掺杂浓度大于漂移区的掺杂浓度，漂移区耗尽时电场阻滞层内的电场强度的快速变化使第二漂移子层中的第二电场强度范围和第一漂移子层中的第一电场强度范围之间的差值增加，使快恢复二极管在反向恢复过程中电流随时间的变化速率减慢
恢复二极管

[发明专利]一种具有双电场调制的横向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管-CN201510267181.9有效
发明人：段宝兴;曹震;袁小宁;袁嵩;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有双电场调制效应的横向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管(Super junction LDMOS SJ‑LDMOS)。该器件中，超结漂移区的缓冲层与沟道之间以外延层突起的结构形成间隔，使得缓冲层边缘对靠近沟道的超结漂移区电场产生调制作用；超结漂移区中P柱的长度短于N柱，即P柱与漏区保持距离，避免P柱与漏区连接产生的高峰电场，并且使得P柱边缘对靠近漏区的超结漂移区电场产生调制作用。这样，利用超结漂移区下方的部分缓冲层和漂移区上部分P柱的结构对器件的漂移区进行两处电场调制，使得器件表面的电场分布趋于均匀，在保证器件低导通电阻的条件下，大幅度提高了器件的击穿电压。
一种具有电场调制横向超结双扩散金属氧化物半导体场效应

[发明专利]电场放射型电子源-CN200610004888.1无效
发明人：菰田卓哉;本多由明;相泽浩一;栎原勉;渡部祥文;幡井崇;马场彻 -专利权人：松下电工株式会社
申请日： 2001-10-26 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01J1/30 文献下载
摘要：一种电场放射型电子源(10)，在由玻璃衬底构成的绝缘性衬底(11)的上侧设置有：由导电性层构成的下部电极(8)；含有由氧化或氮化的多孔性半导体构成的漂移部(6a)的强电场漂移层(6)；由金薄膜构成的表面电极而且，外加电压使表面电极(7)相对于下部电极(8)成为正极，并使从下部电极(8)注入强电场漂移层(6)的电子在强电场漂移层(6)中漂移，通过表面电极(7)放射到外部。在下部电极(8)和强电场漂移层(6)之间设置有由n层(21)和p层(22)构成的pn结半导体层，据此，就能防止漏泄电流从下部电极(8)流向表面电极(7)，从而降低耗电量。
电场放射电子

[发明专利]电场放射型电子源-CN200610004886.2无效
发明人：菰田卓哉;本多由明;相泽浩一;栎原勉;渡部祥文;幡井崇;马场彻 -专利权人：松下电工株式会社
申请日： 2001-10-26 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01J1/30 文献下载
摘要：一种电场放射型电子源(10)，在由玻璃衬底构成的绝缘性衬底(11)的上侧设置有：由导电性层构成的下部电极(8)；含有由氧化或氮化的多孔性半导体构成的漂移部(6a)的强电场漂移层(6)；由金薄膜构成的表面电极而且，外加电压使表面电极(7)相对于下部电极(8)成为正极，并使从下部电极(8)注入强电场漂移层(6)的电子在强电场漂移层(6)中漂移，通过表面电极(7)放射到外部。在下部电极(8)和强电场漂移层(6)之间设置有由n层(21)和p层(22)构成的pn结半导体层，据此，就能防止漏泄电流从下部电极(8)流向表面电极(7)，从而降低耗电量。
电场放射电子

[发明专利]电场放射型电子源-CN200610004887.7无效
发明人：菰田卓哉;本多由明;相泽浩一;栎原勉;渡部祥文;幡井崇;马场彻 -专利权人：松下电工株式会社
申请日： 2001-10-26 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01J1/30 文献下载
摘要：一种电场放射型电子源(10)，在由玻璃衬底构成的绝缘性衬底(11)的上侧设置有：由导电性层构成的下部电极(8)；含有由氧化或氮化的多孔性半导体构成的漂移部(6a)的强电场漂移层(6)；由金薄膜构成的表面电极而且，外加电压使表面电极(7)相对于下部电极(8)成为正极，并使从下部电极(8)注入强电场漂移层(6)的电子在强电场漂移层(6)中漂移，通过表面电极(7)放射到外部。在下部电极(8)和强电场漂移层(6)之间设置有由n层(21)和p层(22)构成的pn结半导体层，据此，就能防止漏泄电流从下部电极(8)流向表面电极(7)，从而降低耗电量。
电场放射电子

[发明专利]电场放射型电子源-CN01801858.0无效
发明人：菰田卓哉;本多由明;相泽浩一;栎原勉;渡部祥文;幡井崇;马场彻 -专利权人：松下电工株式会社
申请日： 2001-10-26 - 公布日： 2002-12-04 - 主分类号： H01J1/30 文献下载
摘要：一种电场放射型电子源(10),在由玻璃衬底构成的绝缘性衬底(11)的上侧设置有由导电性层构成的下部电极(8);含有由氧化或氮化的多孔性半导体构成的漂移部(6a)的强电场漂移层(6);由金薄膜构成的表面电极而且,外加电压使表面电极(7)相对于下部电极(8)成为正极,并使从下部电极(8)注入强电场漂移层(6)的电子在强电场漂移层(6)中漂移,通过表面电极(7)放射到外部。在下部电极(8)和强电场漂移层(6)之间设置有由n层(21)和p层(22)构成的pn结半导体层,据此,就能防止漏泄电流从下部电极(8)流向表面电极(7),从而降低耗电量。
电场放射电子

[发明专利]一种半导体装置-CN201610628271.0在审
发明人：朱江 -专利权人：朱江
申请日： 2016-07-31 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置，包括不同导电材料交替排列形成的漂移层，在漂移层中设置沟槽，在沟槽内填充导电材料；与现有技术相比，改变漂移层中的电场分布，抑制器件上下峰值电场，增加器件中部电场波动，降低器件的导通电阻
一种半导体装置

[发明专利]一种IGBT器件-CN202211103640.6在审
发明人：祁金伟;刘倩;张耀辉 -专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种IGBT器件，包括第一掺杂类型的集电极；形成在集电极之上的第二掺杂类型的电场终止层；形成在电场终止层之上的第二掺杂类型的电场过渡层；形成在电场过渡层之上的第二掺杂类型的漂移区，以及形成在漂移区内的多个第一掺杂类型的柱区；形成在漂移区上方的第一掺杂类型的阱区；电场过渡层的掺杂浓度电场终止层的掺杂浓度，漂移区和电场过渡层分别能够发生电导调制效应积累少数载流子；IGBT器件关断，电场过渡层被完全耗尽，电场在电场过渡层降低且在所述电场终止层减小至
一种 igbt 器件

[发明专利]一种半导体器件-CN202211167575.3在审
发明人：祁金伟;刘倩;张耀辉 -专利权人：深圳市千屹芯科技有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体器件，包括第一半导体层；形成在第一半导体层之上的电场终止层；形成在电场终止层之上的电场过渡层；形成在电场过渡层之上的漂移区，形成在漂移区内的柱区；形成在漂移区上方的第二半导体层；电场过渡层的掺杂浓度电场终止层的掺杂浓度，漂移区和电场过渡层分别能够发生电导调制效应积累少数载流子；电场过渡层的电荷总量Q总满足预设条件使得半导体器件关断，电场过渡层被完全耗尽，电场在所述电场过渡层降低且在电场终止层减小至0，电场过渡层的电荷总量Q总满足的预设条件为小于等于k％×Ec/εs。
一种半导体器件

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 94890 条