专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种包覆改性纳米二氧化钛的制备方法-CN201410204673.9有效
  • 金鑫;黄亚楠 - 北京化工大学
  • 2014-05-15 - 2014-08-13 - C09C1/36
  • 本发明公开了一种有效减少纳米粉体团聚、提高分散性的表面包覆改性纳米二氧化钛的制备方法。该方法首先以水为溶剂、硫酸氧钛为钛源、氢氧化钠为沉淀剂,采用沉淀法得到纳米二氧化钛前驱体;然后将前驱体转移到高压反应釜中,水热反应后得到纳米二氧化钛的母液;过滤洗涤,不经过干燥,直接将滤饼重新分散在水中,加入水溶性丙烯酸酯,在一定条件下反应,使水溶性丙烯酸酯在二氧化钛表面聚合,即可得到聚丙烯酸酯包覆改性的纳米二氧化钛粉体。与未改性的样品相比,改性后的纳米二氧化钛分散性有很大程度的改善,颗粒粒径明显变小,性能也有明显的提高。这种改性方法使得纳米二氧化钛在涂料、喷漆、防晒霜及污水处理等方面都有很好地应用前景。
  • 一种改性纳米氧化制备方法
  • [发明专利]半导体氧化物纳米管/ZSM-5分子筛复合材料的制备方法-CN201410305073.1有效
  • 杨敏;裴林娟;张磊 - 哈尔滨工业大学
  • 2014-06-30 - 2014-09-03 - C01B13/14
  • 半导体氧化物纳米管/ZSM-5分子筛复合材料的制备方法,它涉及半导体氧化物纳米管/ZSM-5分子筛复合材料的制备方法。本发明是要解决现有方法以ZSM-5分子筛为载体负载半导体氧化物,导致分子筛孔道易堵,严重影响分子筛的吸附能力且在半导体氧化物/ZSM-5分子筛复合光催化剂体系中,半导体氧化物纳米颗粒中光生载流子分离效率不高的问题制备方法:一、清洗;二、纳米管生长电解液的制备;三、阳极氧化制备纳米管;四、纳米管的清洗;五、ZSM-5分子筛生长前驱体溶液的制备;六、浸泡搅拌;七、半导体氧化物纳米管/ZSM-5分子筛复合材料的制备。本发明用于半导体氧化物纳米管/ZSM-5分子筛复合材料的制备。
  • 半导体氧化物纳米zsm分子筛复合材料制备方法
  • [发明专利]铜互连大马士革工艺方法-CN201410217938.9有效
  • 王福喜;曾林华;任昱;吕煜坤 - 上海华力微电子有限公司
  • 2014-05-21 - 2017-01-18 - H01L21/768
  • 一种铜互连大马士革工艺方法,包括在下部铜层上沉积第一氮化硅层、顶层通孔氧化层、第二氮化硅层以及第一光刻胶;利用形成图案的第一光刻胶对第二氮化硅层进行刻蚀以形成第二氮化硅层沟槽;在第二氮化硅层上布置顶层沟槽氧化层和第二光刻胶,并形成第二光刻胶的图案;利用第二光刻胶对顶层沟槽氧化层、第二氮化硅层、顶层通孔氧化层和第一氮化硅层进行刻蚀,在顶层沟槽氧化层和第二氮化硅层中形成与第二光刻胶的图案相对应的沟槽,在顶层通孔氧化层和第一氮化硅层中形成与第二氮化硅层沟槽相对应的沟槽;利用铜对顶层沟槽氧化层、第二氮化硅层、顶层通孔氧化层和第一氮化硅层中的沟槽进行填充,执行化学机械研磨,以形成与下部铜层的电气连接。
  • 互连大马士革工艺方法
  • [发明专利]一种高纯度电熔氧化锆的制备方法-CN201410735449.2有效
  • 包晓刚;叶旦旺;胡天喜;叶成清;范志强 - 三祥新材股份有限公司
  • 2014-12-05 - 2015-03-25 - C01G25/02
  • 本发明涉及一种高纯度电熔氧化锆的制备方法,通过将锆英砂电熔脱硅及在熔融状态下倾倒出炉,将熔态氧化锆喷吹入配置好的碱性溶液中,利用熔融氧化锆自身热及电弧炉的烟气热量为反应动力进行去杂提纯,使脱硅后氧化锆中的硅、铝、铁、钛、钙等杂质转化成可溶性盐的化合物进入溶液,从而达到去杂提纯氧化锆的目的,制得的电熔氧化锆纯度可达到99.8%以上。此外,采用碱性溶液作为去杂提纯剂,以氧化锆自身熔态热及电弧炉的烟气余热为反应热动力,不仅原料易得,价格低廉,而且当溶液pH值在≥10.5条件下,可以一直重复循环利用,提高了原料利用率的同时有效利用了生产过程中的余热,进一步推动了电熔法制备高纯度二氧化锆的发展。
  • 一种纯度氧化锆制备方法
  • [发明专利]氢气发生器及其应用-CN200910175008.0有效
  • 雷敏宏;陈世忠;杨胜渊;陈毓麟;叶冠廷;洪嘉业;高玉玲 - 碧氢科技开发股份有限公司
  • 2009-09-16 - 2011-04-20 - C01B3/38
  • 本发明是一种氢气发生器及其应用,该氢气发生器是由一第一介质所构成,包含:一重组区、一氧化区及一预热区。该重组区容置一重组触媒,以进行一产氢原料的蒸气重组反应产生氢气;且该氧化区用以进行放热氧化反应以提供一热源,且该氧化区内存在一第一氧化触媒。其中,该氧化区所提供的热源供应热能给该预热区及该重组区,以使该产氢原料先于该预热区预热后,接着于该重组区进行蒸气重组反应;且各该重组区、氧化区以及预热区之间存在该第一介质,且相隔一至少约0.5毫米的最短距离本发明氢气发生器所制得的含氢气混合气体的一氧化碳含量相当少,能直接应用于一般燃料用途。
  • 氢气发生器及其应用
  • [发明专利]贵金属改性一维结构二氧化钛的脱汞催化剂的制备方法-CN201010527970.9有效
  • 王海强;吴忠标;周思瑶;刘越;莫建松 - 浙江大学
  • 2010-11-01 - 2011-02-02 - B01J23/38
  • 本发明公开了一种贵金属改性一维结构二氧化钛的脱汞催化剂的制备方法,以二氧化钛纳米管为活性主体、贵金属盐或非金属改性剂为改性剂,经水热、焙烧、光还原、烘干、研磨后制成贵金属单质改性二氧化钛纳米管光催化剂。所述的纳米二氧化钛为金红石型、锐钛矿型或者两者的混合晶型二氧化钛,所述的贵金属盐为硝酸银、氯化钯、硝酸钯、氯铂酸或氯金酸中的一种或几种的混合物,所述的光还原牺牲剂为甲醇、乙醇、乙二醇、丙醇、异丙醇或丙二醇的其中一种或几种的混合物本发明工艺简单,易掌握,制备的二氧化钛纳米管和贵金属单质改性二氧化钛纳米管光催化剂能高效催化氧化烟气中单质汞,且不易失活。
  • 贵金属改性结构氧化催化剂制备方法

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