专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种小微轻型深冷高压储装置-CN202121432386.5有效
  • 徐凯;邬克山;周亚群;李斌 - 江阴市富仁高科股份有限公司
  • 2021-06-27 - 2021-12-31 - F17C1/12
  • 本实用新型公开了一种小微轻型深冷高压储装置,具体涉及储存技术领域,其技术方案是:包括储、出管和进管,所述出管固定安装在所述储右端,所述进管固定安装在所述储右端,还包括:隔热装置,所述隔热装置设置在所述储外侧;所述隔热装置包括真空,所述真空设置在所述储外侧,所述真空外侧设置液氮,所述液氮外侧设置防护,所述防护上端固定安装支撑座,所述支撑座上端固定安装集水座,所述集水座上端固定安装支撑板,所述支撑板内壁插接转杆,本实用新型有益效果是:通过对深冷高压储罐设置隔热装置,对罐体进行监测隔热降温,使液稳定储存,延长液的储存时间。
  • 一种轻型高压装置
  • [发明专利]显示面板及其制备方法-CN202210226705.X在审
  • 汪亚民 - 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2022-03-09 - 2022-06-14 - H01L27/12
  • 本申请提供一种显示面板及其制备方法,显示面板包括衬底、氧化物有源、绝缘以及补,氧化物有源设置于衬底上,氧化物有源包括半导体部和设置于半导体部两侧的导体部,绝缘设置于氧化物有源上;补设置于绝缘上,补具有多层,其中,多层补包括至少一第一补,第一补中的原子百分比含量大于等于10%。通过在氧化物有源的上方设置第一补,且第一补中的原子百分比含量设置为大于等于10%,当对第一补进行热处理时,会使得与连接的连接键断裂,从而使得在膜之间来回运动,从而致使氧化物有源的导体部导体化
  • 显示面板及其制备方法
  • [发明专利]电容器及其制造方法-CN98125137.4有效
  • 前岛幸彦 - 日本电气株式会社;辛姆特瑞克斯公司
  • 1998-11-26 - 2004-05-05 - H01L27/10
  • 在集成电路电容器的制造中,在基片上形成基底壁垒,为非导电的或导电的。然后形成下部电极和铁电/电介质并选择地刻蚀。在电介质上形成一非导电壁垒并选择刻蚀。顺序淀积上部电极和导电壁垒并选择刻蚀。非导电壁垒覆盖除上部电极的一部分外的电容器,导电壁垒覆盖无非导电壁垒的部分。因此基底壁垒、非导电壁垒和导电壁垒一起整体覆盖电容器。电介质包括铁电或高介电系数的金属氧化物。
  • 电容器及其制造方法
  • [发明专利]阵列基板及显示面板-CN202210552866.8在审
  • 刘贺 - 广州华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2022-05-19 - 2022-08-30 - H01L27/12
  • 本申请实施例提供的阵列基板及显示面板中,包括有源、第一吸以及源漏极。其中,第一吸设置在有源上且与有源相连接,第一吸具有吸附氢气的特性,可以有效地吸收有源中的元素。通过在有源上设置与之相连接的第一吸,可以吸附有源沟道内的元素,从而降低有源沟道内的元素含量。由于有源沟道内的元素含量降低,因此有源沟道内的元素含量不会影响有源沟道内的氧元素含量,从而不会导致有源沟道内载流子浓度降低,有助于提高阵列基板的稳定性以及信赖性,进而有助于提高液晶显示器件的显示效果
  • 阵列显示面板
  • [实用新型]一种储罐及埋藏式储工事-CN202221794947.0有效
  • 林星;林金华 - 林金华
  • 2022-07-12 - 2022-11-25 - F17C1/04
  • 本实用新型公开了一种储罐,所述储罐具有壳体,所述壳体内具有用于容纳的腔体;所述壳体包括自内向外依次排布的防、抗压和加强。所述防能够防止所述储罐发生脆,从而提高所述储罐的安全性。所述抗压和所述加强使所述储罐具有较强的抗压强度,一方面能够提高储的安全性,另一方面能够储存大容量的氢气。
  • 一种储氢罐埋藏式储氢工事
  • [实用新型]一种镁基储合金-CN200920001006.5无效
  • 蔡乐勤 - 蔡乐勤
  • 2009-01-14 - 2009-12-09 - B32B15/01
  • 本实用新型公开了一种镁基储合金,为解决现有技术中活性不高等问题而发明。本实用新型的镁基储合金包括金属基体和设置在所述金属基体上的镁基储合金,所述的镁基储合金为多层镁基储合金片彼此覆盖构成,所述的镁基储合金片层面积与所述的金属基体表面积相当,所述的镁基储合金片厚度在上述的结构,针对现有技术的不足,镁基储合金采用多层镁基储合金片结构组成,并且镁基储合金片在厚度方向具有微米级或纳米级的结构,镁基储合金片厚度和镁含量可以通过中间过程控制,使镁基储合金活性得以大大提高
  • 一种镁基储氢合金

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