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[发明专利]快闪记忆体-CN201710056143.8在审
发明人：曾德彰;永井享浩;白田理一郎;渡边浩志 -专利权人： 超闪科技股份有限公司;永井享浩;白田理一郎;渡边浩志
申请日： 2017-01-25 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明提供低价格且高性能的1.5电晶体型快闪记忆体，其与记忆体区域外部具有高相容性。本发明于基板上形成有牺牲膜，于该膜上设有U字形槽，于该槽内设置多层绝缘膜，该多层绝缘膜具有作为电荷蓄积层的氮化硅层。并且，于多层绝缘膜上设置低电阻材料作为控制闸极。且于控制闸极的侧面上的绝缘膜上自我对准形成选择闸极。相邻的控制闸极及选择闸极的两端分别设置与半导体基板为相反导电型的半导体区域，作为源极及汲极。借此形成1.5电晶体型快闪记忆体，包括源极、汲极且控制闸极及选择闸极于该源极、汲极之间相邻。具有控制闸极的MOS电晶体通过电荷蓄积层即氮化硅层被注入电荷或放出电荷而改变阈值电压，并作为非挥发性记忆体工作。
记忆体

[发明专利]数据写入方法与系统-CN200910151289.6无效
发明人：黄淑梅 -专利权人： 超闪科技股份有限公司
申请日： 2009-10-09 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种数据写入方法与系统，用以将原始数据写入内存。此方法首先将符合第一排列规则的原始数据转换为符合第二排列规则的中继数据，此第二排列规则对应于内存的种类。接着分析中继数据，以取得会导致写入干扰的至少一个干扰区域，并利用个别对应的调整代码来置换各干扰区域的内容。接下来，编码经过置换的中继数据，并产生对应的编码信息。在将经过编码的中继数据与编码信息一并转换为符合第一排列规则的抗干扰数据后，将抗干扰数据写入至内存。
数据写入方法系统