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[发明专利]一种有序多孔含能晶体材料的制备方法-CN201210519633.4有效
发明人：沈金朋;杨光成;谯志强;李瑞 -专利权人：中国工程物理研究院化工材料研究所;四川省新材料研究中心
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： C06B21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种有序多孔含能晶体材料的制备方法，包括以下步骤：将一定量的含能材料在室温下溶解于良性溶剂中；向上一步的溶液中加入一定量的晶体形貌控制剂，搅拌溶解；将上一步的溶液在磁力搅拌的条件下缓慢的加入到含能材料和晶体形貌控制剂的不良溶剂中；将上一步的溶液继续搅拌一定时间之后，过滤，得到含能材料与晶体形貌控制剂的复合物；将所得的复合物中加入到溶剂中，所述的溶剂为含能材料的不良溶剂，晶体形貌控制剂的良性溶剂；多次洗涤，除去晶体形貌控制剂；干燥，得到纯的有序多孔含能晶体材料。本发明的制备方法工艺流程简单，反应条件温和，反应条件易于控制，适用于多种含能材料，制备的有序多孔含能晶体材料的纯度大于99.5%。
一种有序多孔晶体材料制备方法

[发明专利]基于MgO调控原料晶体形貌的CMA材料的工业化制备方法-CN202111653704.5有效
发明人：侯新梅;刘云松;王恩会;赵飞;陈光耀;杨树峰;徐恩霞 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C04B35/101 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于MgO调控原料晶体形貌的CMA材料的工业化制备方法，步骤包括：根据CMA材料应用领域的不同，将氧化铝、氧化钙源和氧化镁按相应的质量百分比配备原料；将配备的原料混合采用湿法球磨得到的浆料本发明提供的一种基于MgO调控原料晶体形貌的CMA材料的工业化制备方法，通过优化原料中MgO的加入量调控CMA材料的晶体形貌，可以制得用作致密耐火材料的等轴状晶体形貌的CMA材料和用作隔热保温层多孔耐火材料的片状或板片状晶体形貌的
基于 mgo 调控原料晶体形貌 cma 材料工业化制备方法

[发明专利]一种大尺寸硼酸盐晶体生长所用的坩埚和所用的方法-CN201410455749.5有效
发明人：涂衡;胡章贵;赵营;岳银超 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2014-09-09 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： C30B29/10 文献下载
摘要：本发明公开一种用于大尺寸硼酸盐晶体生长的可调节晶体形貌的异形坩埚，所述异形坩埚在坩埚壁上设有用于调节坩埚内温场的缺口。本发明还公开了一种大尺寸硼酸盐晶体生长方法，采用所述异形坩埚进行晶体生长。使用本发明提供的用于大尺寸硼酸盐晶体生长的可调节晶体形貌的异形坩埚和大尺寸硼酸盐晶体生长方法可以有效调节生长出的晶体形貌，显著提高晶体利用率，有利于切割出更大尺寸的器件。
一种尺寸硼酸盐晶体生长所用坩埚方法

[发明专利]一种具有短棒状形貌的N,2,3-三甲基-2-异丙基丁酰胺晶体及其结晶工艺-CN201910174743.3有效
发明人：李亚军;梁磊 -专利权人：广东省生物工程研究所（广州甘蔗糖业研究所）
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C07C231/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有短棒状形貌的N,2,3‑三甲基‑2‑异丙基丁酰胺晶体及其结晶工艺。该工艺包括如下步骤：1)将长棒状形貌的N,2,3‑三甲基‑2‑异丙基丁酰胺溶解于溶剂中，得溶液A；2)将溶液A降温后加入晶种，进行第一次结晶，持续降温至第二次结晶结束，得目标晶体形貌的N,2,3‑三甲基‑2‑异丙基丁酰胺晶体。本发明通过优化N,2,3‑三甲基‑2‑异丙基丁酰胺晶体的结晶工艺，得到一种长径比明显减小的短棒状晶体形貌，该形貌较现有的结晶工艺得到的晶体具有更好的流动性，能有效减少颗粒间的接触面积，从而达到减少或防止本发明的结晶工艺操作简单、条件可控、得到的晶体形貌重现性好，易于实现工业化生产。
一种具有短棒状形貌甲基丙基丁酰胺晶体及其结晶工艺

[发明专利]用于减钠的晶体形貌-CN201880069883.8在审
发明人：梅塔普·费夫齐奥格鲁;西瓦拉·卡里亚潘;詹姆斯·斯塔尔德 -专利权人：福瑞托－雷北美有限公司
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： C01D3/06 文献下载
摘要：盐组合物由多个盐晶体形成，所述多个盐晶体的比表面积为至少0.19m2/g‑0.23m2/g，并且霍尔密度小于0.8g/在一些实施例中，盐组合物的至少一部分具有漏斗式立方体形貌。
用于晶体形貌

[发明专利]一种采用修饰剂系统调控晶体MOFs晶体尺寸和形貌的绿色方法-CN202210462939.4有效
发明人：李睿;刘佳诺;丁子晨;范佳凝;王一凡;李建荣 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C08G83/00 文献下载
摘要：一种采用修饰剂系统调控晶体MOFs晶体尺寸和形貌的绿色方法，属于MOFs材料领域。以稳定性相对较好、制备成本相对较低且性能优势较为明显的多种经典ZIF系列晶体为研究对象，借助晶体生长修饰剂，简单、温和地调控晶体形貌和尺寸(径厚比)、开发具有特殊形貌的新型晶体。
一种采用修饰系统调控晶体 mofs 尺寸形貌绿色方法

[发明专利]一种SSZ-13分子筛、调控其晶体形貌的方法及应用-CN202210388483.1有效
发明人：李超;赵长艳;查乐林;田炜 -专利权人：安徽纳蓝环保科技有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C01B39/48 文献下载
摘要：本发明属于分子筛制备技术领域，涉及一种SSZ‑13分子筛、调控其晶体形貌的方法及应用。针对现有技术中SSZ‑13分子筛的形貌调控工艺难以控制，导致SSZ‑13分子筛粒径大，粒度分布不均的技术问题，本发明提供一种调控SSZ‑13分子筛晶体形貌的方法，通过硅源、铝源、碱、结构导向剂加入纯水中混匀，再加入晶体形貌调控剂进一步处理，能有效控制SSZ‑13分子筛的晶体形貌和尺寸，可制备正立方体、多面体或球形晶体的SSZ‑13分子筛，且晶体粒径较小，在一定范围内可调，粒度分布均匀。
一种 ssz 13 分子筛调控晶体形貌方法应用

[发明专利]一种用于海盐晶体形貌调控的生产工艺-CN202111540504.9在审
发明人：王若乾;孙建民;王秀娟;乔山林;齐增江;姚银红 -专利权人：唐山市银海食盐有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C01D3/24 文献下载
摘要：本发明涉及调味品加工技术领域，具体涉及一种用于海盐晶体形貌调控的生产工艺，所述用于海盐晶体形貌调控的生产工艺在粗制盐溶解后，通过控制不同的陈化时间和结晶温度来改变粗海盐的晶体构型，从而实现海盐晶体形貌的调控
一种用于海盐晶体形貌调控生产工艺

[发明专利]一种利用表面活性剂调控锰钴类普鲁士蓝晶体形貌的方法-CN202010891110.7有效
发明人：钱金杰;王贤;董桉瑞;胡悦;李启彭 -专利权人：温州大学;昭通学院
申请日： 2020-08-30 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C01C3/11 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用表面活性剂调控锰钴类普鲁士蓝(MnCoPBA)晶体形貌的方法，属于多孔材料合成技术领域。本发明的主要特征在于通过加入一定量的表面活性剂，并控制反应时间，调控MnCoPBA晶体的形貌。利用本法制备的MnCoPBA晶体具有较好的结晶性，其四种形貌为截面球形、角刻蚀的立方、角刻蚀的立方核壳及空心面开放的立方结构；分别命名为PBA‑I，PBA‑II，PBA‑III，PBA‑IV。本发明为调控类普鲁士蓝晶体形貌提供了一种新方法。
一种利用表面活性剂调控锰钴类普鲁士晶体形貌方法

[发明专利]一种磷石膏基二水硫酸钙晶体形貌的调控方法-CN202211621346.4在审
发明人：何敏;雷阳;刘玉飞;于杰;张凯;秦舒浩;龙雪彬 -专利权人：贵州大学
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C01F11/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷石膏基二水硫酸钙晶体形貌的调控方法，通过调节反溶剂种类和反应温度实现对磷石膏基二水硫酸钙晶体形貌的调控，提高了产品附加值，具有显著的经济效益，拓宽了磷石膏的使用途径。
一种石膏基二水硫酸钙晶体形貌调控方法

[发明专利]主体形貌顶部圆角刻蚀方法-CN201811222257.6在审
发明人：周州 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明提供一种主体形貌顶部圆角刻蚀方法，其包括：主体形貌刻蚀步骤，利用掩膜对衬底刻蚀形成主体形貌；掩膜修饰步骤，对掩膜进行刻蚀，以增加掩膜的开口大小圆角刻蚀步骤，对主体形貌的顶部进行刻蚀，以形成圆角。本发明提供的主体形貌顶部圆角刻蚀方法，其可以获得期望的顶部圆角，同时能够应用在探测器、激光器、LED及绝缘栅双极晶体管等半导体工艺的顶部圆角形成。
主体形貌顶部刻蚀方法

[发明专利]一种结构稳定的半水-无水硫酸钙混合物及其制备方法-CN202111162038.5有效
发明人：窦焰;胡蒙;崔鹏;李正;马健;沈浩;郑之银;刘荣;彭克荣;朱英俊;陈明;孙诚 -专利权人：安徽六国化工股份有限公司;合肥工业大学
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C04B11/00 文献下载
摘要：一种结构稳定的半水‑无水硫酸钙混合物及其制备方法，所述结构稳定的半水‑无水硫酸钙混合物，在温度‑40℃～40℃、相对湿度小于40%的环境中自然存放，在180天内晶体形貌和晶型均保持稳定；在温度‑40℃～40℃、相对湿度40%～60%的环境中自然存放，在15～60天内晶体形貌和晶型均保持稳定；在温度‑40℃～40℃、相对湿度60%～100%的环境中自然存放，在5～32天内晶体形貌和晶型均保持稳定；放置在型α‑CaSO4与α‑CaSO4·0.5H2O的混合物，而且仍旧保持原有的晶体形貌
一种结构稳定无水硫酸钙混合物及其制备方法

[发明专利]一种形貌可控的硫酸钡晶体的制备方法-CN202011606298.2在审
发明人：谢傲杰;王小聪;王睢睢;张琳;张智武;武文洁 -专利权人：天津科技大学
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： C01F11/46 文献下载
摘要：本发明涉及制备硫酸钡晶体技术领域，提供了一种形貌可控的硫酸钡晶体的制备方法。本发明通过将得到的无定形硫酸钡悬浮液与碳量子点混合，通过调节碳量子点的用量控制对硫酸钡沉淀诱导作用的强弱，进而可实现调控硫酸钡晶体的形貌。实验结果表明，本发明提供的制备方法得到的硫酸钡晶体的形貌随着碳量子点在无定形硫酸钡悬浮液浓度的变化，硫酸钡晶体的形貌呈现出由矩形片状依次向椭圆状、多肉状、稠密的多肉状和无固定形状的大颗粒的变化，实现了对硫酸钡晶体形貌的控制
一种形貌可控硫酸钡晶体制备方法

[发明专利]一种使用低温等离子技术调节沸石分子筛晶体形貌与结构的方法-CN202010167067.X有效
发明人：喻学锋;李睿;江敏;黄逸凡 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C01B39/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用低温等离子技术调节沸石分子筛晶体形貌与结构的方法。本发明创新性地将低温常压等离子射流技术应用于处理不同阶段的沸石制备体系，以替代高成本高污染的晶体修饰剂，在不添加任何额外化学药品的条件下实现对沸石分子筛晶体形貌和晶体结构的系统高效调控。
一种使用低温等离子技术调节分子筛晶体形貌结构方法

[发明专利]一种基于Wulff构造的晶体形貌显示方法-CN202310249613.8在审
发明人：赖富明;童圣富 -专利权人：金华高等研究院
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G06T17/10 文献下载
摘要：本申请实施例提供的一种基于Wulff构造的晶体形貌显示方法，包括：在预设直角坐标系下，用法线方向为(h/a,k/b,l/c)的平面方程表示密勒指数为{hkl}的晶面，并定义空间中的任意一点到该平面的距离根据定义的带符号的点到平面的距离判断交点的有效性；计算每个平面上所有点围成的多边形的面积，对于任意多面体，将其分解为多个棱锥，计算各个棱锥的体积，将所有棱锥的体积相加得到多面体的体积；给定表面能，计算晶体中心到晶面的距离并显示相应的晶体形貌通过给定表面能，可以计算晶体体积、表面积、边长参数，并能提供库函数被调用，从而重现实验上观测到的晶体形貌。
一种基于 wulff 构造晶体形貌显示方法

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