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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]杂质扩散成分的扩散方法及太阳能电池的制造方法-CN201310314026.9在审
发明人：神园乔;高桥元树;森田敏郎 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2013-07-24 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明的方式的杂质扩散成分的扩散方法，包括：在半导体基板的表面上形成包含第1导电型的杂质扩散成分的第1扩散剂层的工序；对第1扩散剂层进行烧成的工序；在除了形成有第1扩散剂层的区域以外的半导体基板的表面上，形成包含第2导电型的杂质扩散成分的第2扩散剂层的工序；和在高于烧成温度的温度下加热半导体基板，使第1导电型的杂质扩散成分和第2导电型的杂质扩散成分向半导体基板扩散的工序。
杂质扩散成分方法太阳能电池制造

[发明专利]光扩散膜用组合物和光扩散膜-CN201480019408.1有效
发明人：草间健太郎;片桐麦;大类知生;所司悟 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2014-02-04 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： G02B5/02 文献下载
摘要：本发明提供能将得到的光扩散膜的扩散光的开口角有效地扩大的光扩散膜用组合物以及由其得到的光扩散膜。一种光扩散膜用组合物，是用于得到在膜内部具有规定的内部结构且折射率相对高的多个区域在沿膜的膜厚方向的中间点发生弯曲的光扩散膜的光扩散膜用组合物，其中，包含作为(A)成分的规定的(甲基)丙烯酸酯、作为(B)成分的氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、作为(C)成分的光聚合引发剂、作为(D)成分的紫外线吸收剂，并且(A)成分的含量相对于(B)成分100重量份为规定的范围内的值，(C)成分的含量相对于(A)成分和(B)成分的总计量为规定的范围内的值，并且(D)成分的含量相对于(A)成分和(B)成分的总计量为规定的值。
扩散组合

[发明专利]一种高性能钕铁硼扩散基体与扩散源的匹配设计方法-CN202210778397.1在审
发明人：曹帅;贾智;谢宇恒;丁广飞;范晓东;郭帅;陈仁杰;闫阿儒 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G16C20/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种高性能钕铁硼扩散基体与扩散源的匹配设计方法，其将成分不同的钕铁硼合金速凝片分别与成分不同的重稀土合金扩散源薄带组成扩散偶，对不同扩散偶进行扩散热处理之后获得钕铁硼合金片材，进而评价重稀土的扩散效果，挑选出具有最佳扩散效果的钕铁硼磁体基体及扩散源，最终完成高性能钕铁硼扩散磁体的制备。本发明简化了磁体基体与扩散源成分设计及匹配过程，有利于降低高性能扩散磁体的研发成本，获得最优的扩散基体与扩散源成分匹配关系，制备出高性能钕铁硼扩散磁体，对烧结钕铁硼行业及稀土永磁材料领域具有重大意义。
一种性能钕铁硼扩散基体匹配设计方法

[发明专利]光扩散元件及光扩散元件的制造方法-CN201380075460.4在审
发明人：中村恒三;武本博之 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2013-04-10 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： G02B5/02 文献下载
摘要：本发明提供一种雾度值较高、具有较强的扩散性且表面平滑抑制后方散射的光扩散元件。本发明的光扩散元件具有包含树脂成分及超微粒子成分的基质、与分散在该基质中的光扩散性微粒，且该树脂成分的一部分渗透至光扩散性微粒中，该光扩散性微粒中的树脂成分的渗透范围相对于扩散元件中的光扩散性微粒的平均粒径为
扩散元件制造方法

[发明专利]光扩散膜用组合物和光扩散膜-CN201480018358.5有效
发明人：草间健太郎;片桐麦;大类知生 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2014-02-04 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： G02B5/02 文献下载
摘要：本发明提供光扩散膜用组合物和将其固化而成的光扩散膜，上述光扩散膜用组合物能够得到在光的透射和扩散中具有良好的入射角度依赖性、且长时间曝露于紫外线时也难以发生黄变、耐候性优异的光扩散膜。光扩散膜用组合物是包含作为(A)成分的含有多个芳香环的(甲基)丙烯酸酯、作为(B)成分的氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、作为(C)成分的光聚合引发剂和作为(D)成分的受阻胺系光稳定剂的光扩散膜用组合物等，(A)成分的含量相对于(B)成分100重量份为规定的范围内的值，且(C)成分的含量相对于(A)成分和(B)成分的总计量(100重量份)为规定的范围内的值，并且(D)成分的含量相对于(A)成分和(B)成分的总计量
扩散组合

[发明专利]扩散反射偏光膜、具有扩散反射偏光膜的显示装置及其制造方法-CN200510107977.4无效
发明人：崔震成;朴钟大;金东勋;朴辰赫;李正焕;郑镇美 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-09-30 - 公布日： 2006-04-12 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：一种具有光扩散功能的扩散反射偏光膜、具有该扩散反射偏光膜的显示装置及其制造方法。扩散反射偏光膜包括液晶薄膜和扩散层。液晶薄膜由胆甾型液晶组成的入射光中，扩散反射与胆甾型液晶的曲轴平行的第一成分，透射不同于第一成分的第二成分。扩散层附着于液晶薄膜上。扩散层扩散液晶薄膜射出的光，可以提高灰度均匀性，防止扩散反射偏光膜的失真现象。
扩散反射偏光具有显示装置及其制造方法

[发明专利]光源装置和投影仪-CN201910525930.1有效
发明人：内山正一 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： G03B21/20 文献下载
摘要：光源装置具有蓝色激光发光元件、红色激光发光元件、荧光体、具有针对蓝色光和红色光的偏振分离功能的偏振分离元件、扩散元件。从蓝色激光发光元件射出的蓝色光入射到偏振分离元件而被分离成第1蓝色偏振成分和第2蓝色偏振成分。第1蓝色偏振成分入射到扩散元件而成为蓝色扩散光，第2蓝色偏振成分入射到荧光体。荧光体被第2蓝色偏振成分激励而发出所述荧光，从红色激光发光元件射出的红色光入射到扩散元件进行扩散透射，由此成为红色扩散光。蓝色扩散光、红色扩散光和荧光入射到偏振分离元件，蓝色扩散光、红色扩散光和荧光的一部分被合成后从偏振分离元件射出。
光源装置投影仪

[发明专利]光扩散元件的制造方法及光扩散元件-CN201380075452.X有效
发明人：中村恒三;渊田岳仁;武本博之 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2013-04-10 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： G02B5/02 文献下载
摘要：本发明提供一种光扩散元件的制造方法，其能以低成本且高生产率(短时间)制造雾度值高、具有强的扩散性且表面平滑而抑制后方散射的光扩散元件。本发明的光扩散元件的制造方法包括：将光扩散性微粒与有机溶剂混合而制备混合液，并使该光扩散性微粒溶胀的工序A；将该混合液与包含树脂成分的前体及超微粒子成分的基质形成材料混合的工序B；使该树脂成分的前体聚合而形成包含树脂成分及超微粒子成分的基质的工序
扩散元件制造方法

[发明专利]光扩散元件-CN201380075446.4在审
发明人：中村恒三;渊田岳仁;武本博之;梅本清司 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2013-04-10 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： G02B5/02 文献下载
摘要：本发明提供一种雾度值较高、具有较强的扩散性且抑制后方散射的光扩散元件。本发明的光扩散元件具有包含树脂成分及超微粒子成分的基质、与分散于该基质中的光扩散性微粒，该超微粒子成分的平均一次粒径为100nm以下，实质上不含凝聚的超微粒子成分。在优选的实施方式中，上述光扩散性微粒的平均一次粒径为1μm～5μm，该光扩散性微粒之重均粒径分布的变动系数为20％以下，且该光扩散性微粒实质上不凝聚。
扩散元件

[发明专利]有机EL器件-CN201180045130.1有效
发明人：长濑纯一;西村明宪;武本博之 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2011-09-13 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H05B33/02 文献下载
摘要：本发明的有机EL器件具有：有机EL元件与配置于该有机EL元件的发光面侧的光扩散元件，该光扩散元件具有包含树脂成分及超微粒成分的基质与分散于该基质中的光扩散性微粒，该树脂成分、该超微粒成分及该光扩散性微粒，它们的折射率满足下述式(1)，上述有机EL器件具有浓度调制区域，该浓度调制区域形成于该光扩散性微粒的表面附近外部，且随着远离该光扩散性微粒，该树脂成分的重量浓度变低，该超微粒成分的重量浓度变高：|nP-nA|＜|nP-nB|…(1)式(1)中，nA表示基质的树脂成分的折射率，nB表示基质的超微粒成分的折射率，nP表示光扩散性微粒的折射率。
有机 el 器件

[发明专利]半导体衬底的制造方法-CN201610191515.3在审
发明人：泽田佳宏 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2016-03-30 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L21/225 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体衬底的制造方法，其是将包含杂质扩散成分的扩散剂组合物涂布在半导体衬底上，然后对形成的涂布膜进行加热从而使杂质扩散成分扩散至半导体衬底中，所述半导体衬底的制造方法通过扩散剂组合物的纳米级膜厚的涂布和短时间的热处理，能够使杂质扩散成分良好地扩散至半导体衬底中。本发明的解决手段为：在使用包含杂质扩散成分(A)、和具有异氰酸酯基的规定结构的Si化合物(B)的组合物作为扩散剂组合物的情况下，将扩散剂组合物以30nm以下的膜厚涂布在半导体衬底上，并且利用规定方法对扩散剂组合物的涂布膜进行短时间加热
半导体衬底制造方法

[发明专利]层叠体、层叠体的制造方法及半导体基板的制造方法-CN202180023315.6在审
发明人：久保慧辅 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/225 文献下载
摘要：本发明提供用于向半导体基板扩散杂质扩散成分的、能够通过具备良好的成膜性的方法制造且能够使杂质扩散成分良好地扩散的层叠体、该层叠体的制造方法及使用了该层叠体的半导体基板的制造方法。该层叠体是用于向半导体基板扩散杂质扩散成分(A)的层叠体，包含被扩散半导体基板、胺化合物层与杂质扩散成分层，且胺化合物层与被扩散半导体基板的一个主面相接，杂质扩散成分层与胺化合物层的不与被扩散半导体基板相接的主面相接
层叠制造方法半导体

[发明专利]光扩散元件的制造方法、光扩散元件、与带光扩散元件的偏振板及液晶显示装置的制造方法-CN201080012533.1有效
发明人：渊田岳仁;武本博之;首藤俊介;宫武稔 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2010-03-15 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： G02B5/02 文献下载
摘要：本发明提供一种光扩散元件的制造方法，其可低成本且高生产率地制造雾度值高、具有强扩散性且抑制反向散射的光扩散元件。本发明的光扩散元件的制造方法包括如下工序：使含有树脂成分的前体及超微粒成分的基质形成材料与光扩散性微粒相接触的工序；使该前体的至少一部分渗透至该光扩散性微粒的内部的工序；和使已渗透至该光扩散性微粒的内部的前体及未渗透至该光扩散性微粒的前体同时发生聚合而形成含有树脂成分及超微粒成分的基质，同时在该光扩散性微粒的表面附近内部形成浓度调节区的工序。
扩散元件制造方法偏振液晶显示装置

[发明专利]防止污染成分扩散用混合物及防止污染成分扩散的方法-CN200880115490.2无效
发明人：高桥康史 -专利权人：日本板硝子株式会社
申请日： 2008-09-19 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： B09C1/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供与现有防止污染成分扩散技术相比，对污染土壤中所含污染成分具有稳定且优异的净化能力的防止污染成分扩散用混合物及防止污染成分扩散方法。所述防止污染成分扩散用混合物的特征在于，由吸附污染土壤中所含污染成分的吸附剂和按照预定比例与上述吸附剂进行混合的用于调整透水系数及厚度的稀释材料构成，在所述混合物中，含有上述污染成分的水的空间速度为1(
防止污染成分扩散混合物方法

[发明专利]扩散剂组合物、杂质扩散层的形成方法、以及太阳能电池-CN201080036913.9有效
发明人：平井隆昭;室田敦史;谷津克也 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2010-08-18 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/225 文献下载
摘要：一种扩散剂组合物，含有：杂质扩散成分(A)、在低于所述杂质扩散成分(A)开始热扩散的温度的温度下热分解而消失的粘合剂树脂(B)、SiO2微粒(C)、和包含沸点为100℃以上的有机溶剂(D1)的有机溶剂(一种杂质扩散层的形成方法，包括：在半导体基板上印刷所述的扩散剂组合物而形成图案的图案形成工序，使所述扩散剂组合物的杂质扩散成分(A)向所述半导体基板扩散的扩散工序。以及一种太阳能电池，其具备利用所述的杂质扩散层的形成方法形成了杂质扩散层的半导体基板。
扩散组合杂质形成方法以及太阳能电池

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