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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]稀释剂组合物和处理半导体衬底的表面的方法-CN202210105865.9在审
发明人：吴庆姬;李俊庆;熊谷智弥;高桥元树 -专利权人：爱思开海力士有限公司;东京应化工业株式会社
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本申请公开了稀释剂组合物和处理半导体衬底的表面的方法。本公开涉及用于去除抗蚀剂的稀释剂组合物和使用该稀释剂组合物的半导体衬底的处理方法。特别地，所述稀释剂组合物包括(a)丙二醇单烷基醚、(b)丙二醇单烷基醚乙酸酯、(c)环己酮和(d)环戊酮。此外，所述半导体衬底的处理方法包括在半导体衬底上施加光刻胶组合物；以及使用本发明的稀释剂组合物来去除所施加的光刻胶组合物。
稀释剂组合处理半导体衬底表面方法

[发明专利]扩散剂组合物及杂质扩散层的形成方法-CN201310159716.1有效
发明人：宫城忠;高桥元树 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2013-05-03 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： C09D133/00 文献下载
摘要：本发明提供扩散剂组合物及杂质扩散层的形成方法，本发明的一个方式为用于向半导体基板印刷杂质扩散成分的扩散剂组合物，其含有杂质扩散成分(A)和粘结剂树脂(B)，其中，杂质扩散成分(A)为下述通式(1)所示的磷酸酯。(1)式中，R³为碳数5以上的烃基，在存在多个R³时，其可以相同或不同。n为1或2。
扩散剂组合物杂质扩散杂质扩散层半导体基板粘结剂树脂磷酸酯式中碳数烃基印刷

[发明专利]抗蚀剂组合物和使用该抗蚀剂组合物的导电图案的制造方法-CN201510230646.3在审
发明人：阿部将;高桥元树;吉井靖博 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： C08L61/06 文献下载
摘要：提供一种抗蚀剂组合物和使用该抗蚀剂组合物的导电图案的制造方法，该抗蚀剂组合物用于形成镀覆造形物制造用铸模，其印刷至基板时的印刷性、对基板的密合性、耐镀敷性和利用剥离液的剥离性优异。本发明涉及的抗蚀剂组合物用于形成镀覆造形物制造用铸模，其含有：线性酚醛树脂(A)；SiO₂粒子(B)和/或由具有含有至少2个氮原子的五元芳环的杂环式化合物构成的密合剂(C)；以及溶剂(D)。本发明涉及的导电图案的制造方法包含：使用上述抗蚀剂组合物，通过印刷法在基板的表面上形成抗蚀剂图案的抗蚀剂图案形成工序；和以上述抗蚀剂图案作为铸模，通过镀覆在上述基板的表面上形成导电层的导电层形成工序。
抗蚀剂组合使用导电图案制造方法

[发明专利]碱蚀刻掩蔽剂组合物、及蚀刻方法-CN201510100385.3在审
发明人：神园乔;高桥元树 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2015-03-06 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： C23F1/02 文献下载
摘要：本发明提供可以形成具有优异的耐碱性的碱蚀刻掩模的碱蚀刻掩蔽剂组合物、及使用了该碱蚀刻掩蔽剂组合物的碱蚀刻方法。本发明的碱蚀刻掩蔽剂组合物含有具有下述通式(a1)所表示的结构单元的聚硅氧烷，相对于聚硅氧烷中的全部结构单元，下述通式(a1)所表示的结构单元的含量为15～100摩尔％。需要说明的是，式中，R¹是单键或碳数1～5的亚烷基，R²是可以具有烷基、烷氧基、卤素原子、卤代烷基、芳基、氰基、氨基作为取代基的碳数6～20的芳基。
蚀刻掩蔽组合方法

[发明专利]杂质扩散成分的扩散方法及太阳能电池的制造方法-CN201310314026.9在审
发明人：神园乔;高桥元树;森田敏郎 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2013-07-24 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明的方式的杂质扩散成分的扩散方法，包括：在半导体基板的表面上形成包含第1导电型的杂质扩散成分的第1扩散剂层的工序；对第1扩散剂层进行烧成的工序；在除了形成有第1扩散剂层的区域以外的半导体基板的表面上，形成包含第2导电型的杂质扩散成分的第2扩散剂层的工序；和在高于烧成温度的温度下加热半导体基板，使第1导电型的杂质扩散成分和第2导电型的杂质扩散成分向半导体基板扩散的工序。
杂质扩散成分方法太阳能电池制造

[发明专利]正型感光性组合物-CN200980118371.7有效
发明人： 高桥元树;绪方寿幸;久里州多佛·柯多尼尔;仲村亮正;志知哲也;植松照博 -专利权人：东京应化工业株式会社;东海旅客铁道株式会社
申请日： 2009-05-13 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明提供能够形成高析像度且有机物残渣影响小的金属化合物薄膜图案的正型感光性组合物。该正型感光性组合物含有通过涂布后的煅烧处理能够形成金属化合物薄膜的金属络合物成分(A)以及感光剂(B)，(A)成分的配体优选为以芳香族化合物为骨架的多齿配体。通过具有该组成，即使实质上不含有感光性树脂的组合物体系，也能够赋予感光性，能够容易地形成金属化合物薄膜图案。
感光性组合

[发明专利]片材形成用组合物、其制造方法、及显示屏制造用片材状未烧结体-CN200510080926.7无效
发明人：押尾公德;井上朋之;高桥元树;铃木茂 -专利权人：东京応化工业株式会社
申请日： 2005-06-24 - 公布日： 2006-01-18 - 主分类号： G03F7/032 文献下载
摘要：本发明目的是提供一种无机粉末的分散性高、能形成膜厚均匀的涂膜、且能抑制烧结后的收缩的片材形成用组合物、该片材形成用组合物的制造方法、以及显示屏制造用片材状未烧结体。本发明的片材形成用组合物含有(A)粘合剂树脂、(B)无机粉末、和(C)溶剂，所述粘合剂树脂是至少(i)有羟基的聚合性单体、(ii)用CH₂＝CR－COOC_mH_2m+1 (R表示氢原子或烷基，m表示6以上的整数)表示的聚合性单体和(iii)用 CH₂＝CR－COOC_nH_2n+1 (R表示氢原子或烷基，n表示4以下的整数)表示的聚合性单体的共聚物。
形成组合制造方法显示屏用片材状未烧结

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