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- [实用新型]用于打光的蜡带结构-CN200720310490.0无效
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余宗镇
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余宗镇
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2007-12-10
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2008-10-22
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B24B57/04
- 本实用新型是一种用于打光的蜡带结构，是一长条片状固态蜡带体以圈绕形状卷收在一卷筒上，且所述的蜡带体的构造，是由一蜡料层的两个外表面各贴合有一保护表层及一戴料表层所构成，并至少使所述的戴料表层与所述的蜡料层间能由外力的介入形成剥离；据以外力连结所述的蜡带体的戴料表层一端出力，被拉动的戴料表层，即可与所述的蜡料层间的剥离动作，带动蜡料层朝预定方向前进，在抛光机或研磨机的工作轮上，利于达成长时间自动适量(省料)送蜡均匀打光使用。
- 用于打光结构
- [发明专利]层间介质层的形成方法-CN202210494077.3在审
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金立培;李宗旭;许隽;张严
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华虹半导体（无锡）有限公司
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2022-04-30
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2022-07-29
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H01L21/02
- 本申请公开了一种层间介质层的形成方法，包括：提供一晶圆，晶圆上形成的结构具有沟槽；通过预设的参数，通过HDP CVD工艺在晶圆上沉积第一介质层，该预设的参数包括补偿参数，该补偿参数是根据晶圆在清洁循环中的排序所设置的工艺参数，清洁循环是进行HDP CVD工艺的沉积设备在两次清洁工艺之间运行晶圆的作业过程；依次在第一介质层上形成第二介质层和第三介质层。本申请通过包含补偿参数的预设参数，采用HDP CVD工艺在晶圆上沉积第一介质层，补偿参数是基于作业中的晶圆在清洁循环中的排序确定的，因此能够补偿设备由于连续作业引起作业环境变化从而导致第一介质层填充后的形貌不利于第二介质层与第三介质层填充
- 介质形成方法
- [发明专利]层间介质层的形成方法-CN202210433789.4在审
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田守卫;姜国伟;孙洪福;王雷
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2022-04-24
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2022-11-29
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H01L21/768
- 本发明提供了层间介质层的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成若干个金属互联结构，若干个金属互联结构之间具有沟槽；在所有金属互联结构的表面形成第一层间介质层，第一层间介质层覆盖所有金属互联结构，同时填充沟槽，第一层间介质层具有尖端；对第一层间介质层进行离子溅射，降低尖端的高度或者消除尖端；在溅射后的第一层间介质层上形成第二层间介质层；研磨第二层间介质层的表面。本发明通过在形成第一层间介质层后，进行一道离子溅射，减小第一层间介质层的尖端的高度或者消除第一层间介质层的尖端，从而减少或消除了第二层间介质层的空洞，防止第二层间介质层在研磨后表面出现空洞。
- 介质形成方法
- [发明专利]层间介质层的制作方法-CN200810041366.8无效
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邓永平
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中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
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2008-08-04
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2010-02-10
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H01L21/768
- 本发明涉及一种层间介质层的制作方法，层间介质层制作在晶圆器件层表面上，结合化学机械抛光制作。本发明层间介质层的制作方法包括以下步骤：a.在器件层表面形成第一介质层；b.在第一介质层上形成与第一介质层材料相异的第二介质层；c.主抛光第二介质层，至第二介质层与第一介质层界面；d.过抛光第一介质层，形成厚度与预设接触孔深度相同的层间介质层。本发明通过制作两层相异材料的介质层，利用相异材料的界面实现主抛光去除第二介质层，可有效克服传统层间介质层的制作时利用较长抛光时间控制单一材料的介质层抛光量易导致的各晶圆上层间介质层厚度不等的弊端。
- 介质制作方法
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