专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]隙基准电路-CN201910023695.8有效
  • 曾令刚;睢宏哲 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2019-01-10 - 2021-09-07 - G05F1/56
  • 一种隙基准电路,包括:第一电流镜;隙核心电路,所述隙核心电路包括:第一型晶体管、第二型晶体管和第三型晶体管,第一型晶体管和第二型晶体用于形成正温度系数电流,第三型晶体管用于形成负温度系数电流;负反馈单元,所述负反馈单元适于提供第一电流至第一型晶体管的基极和第二型晶体管的基极的连接点,所述负反馈单元还适于提供第二电流至第三型晶体管的集电极,第一电流等于第二电流的两倍。所述隙基准电路的性能得到提高。
  • 基准电路
  • [实用新型]一种一二驱动高精度扫描架-CN202222577243.4有效
  • 朱建伟;韩慧晨 - 嘉兴市和意自动化控制有限公司
  • 2022-09-28 - 2023-02-28 - G01B21/08
  • 本实用新型属于扫描架领域,尤其涉及一种一二驱动高精度扫描架,包括滑台模组、滑动连接在滑台模组上的接收探头和发射探头,所述滑台模组的一端设有一二驱动机构,所述接收探头和发射探头分别通过同步传动组件滑动连接在滑台模组的两个滑台上,两个同步传动组件通过一二驱动机构连接,一二驱动机构通过两个同步传动组件驱动接收探头和发射探头在两个滑台上同步滑动。本实用新型采用一二驱动机构配合两个同步传动组件,实现接收探头和发射探头在滑台模组的两个滑台上同步运行,从而保证了工作中的同步性,提高了扫描架的功能性,为扫描架的工作带来了极大准确性。
  • 一种一带驱动高精度扫描
  • [发明专利]NPN型隙基准电压电路-CN200910057948.X有效
  • 崔文兵;李兆桂 - 上海华虹NEC电子有限公司
  • 2009-09-24 - 2011-04-27 - G05F3/30
  • 本发明公开了一种NPN型隙基准电压电路,在传统NPN型隙基准电压源电路结构基础上,增加固定偏置电路和保护控制电路,利用标准NPN型隙基准源电压源输出基准电压约为1.2伏总是小于二倍BJT管基极发射电压约1.4伏的特性,在固定偏置电路中实现二倍BJT管基极发射电压约为1.4伏,再通过比较器实现二倍BJT管基极发射电压与隙基准源输出基准电压的比较控制,既能兼顾隙基准电压源启动又能起过压保护作用本发明的NPN型隙基准电压电路,当输出的基准电压过高时,能实现电路的自动保护,并且适合在各种型晶体管和金属氧化物场效应管兼容的工艺下制造。
  • 双极npn型带隙基准电压电路
  • [发明专利]隙基准电路、开关电源及电源管理芯片-CN202011621050.3在审
  • 陈俊吉;吴琪 - 晶晨半导体(上海)股份有限公司
  • 2020-12-30 - 2022-07-01 - G05F1/567
  • 隙基准电路、开关电源及电源管理芯片,所述隙基准电路包括隙电流产生单元、电流镜像单元和基准电压输出单元;其中,所述隙电流产生单元,适于输出隙电流,包括第一电流产生模块、第二电流产生模块和钳位模块,所述第一电流产生模块适于输出正比于绝对温度的第一电流,包括第一型晶体管和第二型晶体管,所述第一型晶体管和所述第二型晶体管均为NPN型晶体管,且所述第一型晶体管和所述第二型晶体管的集电极和基极均与所述电源端连接采用上述隙基准电路,可以输出不受衬底噪声干扰的基准电压。
  • 基准电路开关电源电源管理芯片
  • [发明专利]一种隙基准电路-CN202111505896.5有效
  • 殷宁淳 - 河南省科学院集成电路研究所
  • 2021-12-10 - 2023-10-20 - G05F1/567
  • 本公开的实施例提供了一种隙基准电路,该隙基准电路包括:基准单元,包括第一型晶体管和第二型晶体管,基准单元被配置为基于第一型晶体管的基极‑发射电压与第二型晶体管的基极‑发射电压之间的电压差来生成第一补偿电流;第一场效应晶体管,被配置为在其栅极和源之间施加随温度升高的电压以在其漏生成第二补偿电流;以及基准输出端,被配置为输出基准电位,基准电位基于一个型晶体管的基极‑发射电压、第一补偿电流和第二补偿电流而被确定本公开的方案可以使隙基准电压相对于温度变化更加稳定,从而提高隙基准电压的精度。
  • 一种基准电路
  • [实用新型]电凝器的吸引器-CN201921565539.6有效
  • 彭逸龙;李宇明;伍益 - 江门市中心医院
  • 2019-09-19 - 2020-09-22 - A61M1/00
  • 本实用新型公开了电凝器的吸引器,包括握把,握把内设置有吸引管道、冲水管道和功能切换阀,握把前端设置有冲水吸引头,握把内还设置有电凝器和电凝连接头,电凝器前端伸出握把并连接有电凝头。本方案的电凝器的吸引器通过功能切换阀,切换连接吸引管道或冲水管道,使冲水吸引头可在吸引功能和冲水功能之间进行切换;电凝器的设置还使产品同时具有电凝止血的功能,电凝器前端设置有电凝头,可对电凝范围进行调节
  • 带双极电凝器吸引
  • [实用新型]一种低温度系数低压CMOS隙基准-CN201520311921.X有效
  • 沈怿皓;于涛 - 上海中基国威电子有限公司
  • 2015-05-14 - 2015-08-26 - G05F1/565
  • 本实用新型公开了一种低温度系数低压CMOS隙基准,它涉及基准源技术领域。第三绝缘栅型晶体管、第四绝缘栅型晶体管的集电极均接第二绝缘栅型晶体管的门,第四绝缘栅型晶体管的门接第六绝缘栅型晶体管的门,第一三极管、第三三极管的发射分别接第七绝缘栅型晶体管、第九绝缘栅型晶体管的集电极,第七绝缘栅型晶体管、第八绝缘栅型晶体管的集电极分别接运算放大器电路的负极端、正极端,运算放大器电路的输出端接第一绝缘栅型晶体管的门。本实用新型减小隙基准源的温度系数,保证了高精度的使用要求,具有十分广阔的应用价值。
  • 一种温度系数低压cmos基准
  • [发明专利]过压检测电路、过流检测电路以及保护检测电路-CN202010676773.7在审
  • 王钊 - 无锡中感微电子股份有限公司
  • 2020-07-14 - 2020-10-30 - G01R19/165
  • 本发明提供一种过压检测电路、过流检测电路以及保护检测电路,其中,过压检测电路包括:隙基准电压产生电路,其用于产生隙基准电压BG,其包括运算放大器OP、第一型晶体管Q1和第二型晶体管Q2;分压电路,其用于基于受检输入电压产生第一检测电压;比较器Comp1,其第一输入端接收所述隙基准电压BG,其第二输入端接收所述第一检测电压;其中,所述第一型晶体管和第二型晶体管为PNP型晶体管。与现有技术相比,本发明中,用于实现电压检测和/或电流检测的型晶体管可以采用普通的CMOS工艺中寄生的PNP型型晶体管,从而减少光刻步骤,进而降低芯片的生产成本。
  • 检测电路以及保护
  • [实用新型]过压检测电路、过流检测电路以及保护检测电路-CN202021382796.9有效
  • 王钊 - 无锡中感微电子股份有限公司
  • 2020-07-14 - 2021-02-26 - G01R19/165
  • 本实用新型提供一种过压检测电路、过流检测电路以及保护检测电路,其中,过压检测电路包括:隙基准电压产生电路,其用于产生隙基准电压BG,其包括运算放大器OP、第一型晶体管Q1和第二型晶体管Q2;分压电路,其用于基于受检输入电压产生第一检测电压;比较器Comp1,其第一输入端接收所述隙基准电压BG,其第二输入端接收所述第一检测电压;其中,所述第一型晶体管和第二型晶体管为PNP型晶体管与现有技术相比,本实用新型中,用于实现电压检测和/或电流检测的型晶体管可以采用普通的CMOS工艺中寄生的PNP型型晶体管,从而减少光刻步骤,进而降低芯片的生产成本。
  • 检测电路以及保护

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