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[发明专利]图谱的展示方法、装置、计算机装置和可读存储介质-CN202010671039.1在审
发明人：王雨萱;陶冶;李章誉;徐昀 -专利权人：第四范式（北京）技术有限公司
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： G06F16/901 文献下载
摘要：本公开实施例涉及一种图谱的展示方法、装置、计算机装置和可读存储介质，其中方法包括：获取待展示图谱中节点的属性信息，属性信息中包括节点的关系密度，关系密度用于指示节点所在的关系和/或事件的数量；基于节点的关系密度获取节点的展示尺寸；基于节点的展示尺寸，展示图谱，以使在展示的图谱中，展示尺寸大的节点的关系密度大于展示尺寸小的节点的关系密度。上述技术方案，不同节点的展示尺寸由节点的关系密度决定，进而可以基于不同节点的展示尺寸展示图谱，由于图谱中每个节点的尺寸即表达了节点的关系密度，因此实现了更多维度的图谱信息的展示，进而可以帮助用户更好地理解图谱
图谱展示方法装置计算机可读存储介质

[发明专利]半导体IC元器件尺寸测量方法、装置及终端设备-CN201811170663.2有效
发明人：张伟峰;黎前军 -专利权人：东莞市北井光控科技有限公司
申请日： 2018-10-09 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： G01B11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体IC元器件尺寸测量方法、装置及终端设备，其中，该半导体IC元器件尺寸测量方法包括：获取标定块的实际尺寸，以及通过视觉测量模块测量标定块的像素尺寸；根据所述标定块的实际尺寸、标定块的像素尺寸，确定像素尺寸与实际尺寸的转换关系；获取元器件的像素尺寸，结合所述转换关系，计算得到所述元器件的实际尺寸。由此，通过标定块的实际尺寸、标定块的像素尺寸，以确定像素尺寸与实际尺寸的转换关系，再通过元器件的像素尺寸与转换关系的结合，便可简单准确计算得到元器件的实际尺寸。
半导体 ic 元器件尺寸测量方法装置终端设备

[发明专利]二次电池用正极活性材料和包含所述材料的锂二次电池-CN202080003990.8在审
发明人：白韶螺;卢恩帅;郑王谟;李尚昱;赵恩 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2020-01-31 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01M4/525 文献下载
摘要：本发明提供一种二次电池用正极活性材料，该正极活性材料包含含镍(Ni)的镍基锂复合过渡金属氧化物，其中所述锂复合过渡金属氧化物满足以下关系式1和关系式2。[关系式1]80nm≤微晶尺寸FWHM≤150nm；[关系式2]Δ尺寸(|微晶尺寸IB–微晶尺寸FWHM|)≤20；其中，在关系式1和关系式2中，微晶尺寸FWHM是使用半峰全宽(FWHM)方法由X射线衍射(XRD)数据计算得到的微晶尺寸，微晶尺寸IB是使用积分宽度(IB)方法由XRD数据计算得到的微晶尺寸。
二次电池正极活性材料包含

[发明专利]一种预埋件中性轴确定方法及装置-CN201910899217.3在审
发明人：白云秀;陈广森;薛卫;王俊峰;张映玲;胡钟;李宇琛 -专利权人：华龙国际核电技术有限公司
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：预埋件中包括多个锚筋，预埋件中性轴确定方法包括以下步骤：获取预埋件的尺寸数据和荷载，所述预埋件的尺寸数据包括所述预埋件的几何尺寸、所述锚筋的尺寸和所述锚筋的空间位置，所述预埋件的荷载包括所述预埋件的受到的力和弯矩；通过所述尺寸数据和荷载确定所述预埋件的形变协调关系和平衡关系；基于所确定的形变协调关系和平衡关系计算所述预埋件的中性轴。本发明实施例通过根据预埋件的尺寸数据和荷载建立相应的形变协调关系和平衡关系以计算预埋件的中性轴，能够得到相对准确的中性轴的位置。
一种预埋件中性确定方法装置

[发明专利]基于机器视觉的隧道检测车尺寸映射关系计算方法-CN202010206703.5有效
发明人：谢雄耀;王皓正;周彪 -专利权人：同济大学
申请日： 2020-03-23 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于机器视觉的隧道检测车尺寸映射关系计算方法，利用双目视觉原理，在检测后对检测车上两相邻相机进行标定，从对应相机获取图像的公共区域选取衬砌上的任一第一特征点，计算第一特征点相对相机的位置关系以推算检测车与衬砌的位置关系，进而计算各相机相对衬砌的距离，标定图像尺寸与实际尺寸的映射参数与相机相对衬砌距离的关系，从而直接依据病害图像尺寸计算出实际的大小。本发明的一种基于机器视觉的隧道检测车尺寸映射关系计算方法，利用双目视觉原理，可直接依据病害图像尺寸计算出实际尺寸的大小。
基于机器视觉隧道检测尺寸映射关系计算方法

[发明专利]道路病害尺寸检测方法及载具-CN202211691735.4在审
发明人：张学森;徐长江;史文龙;李家军 -专利权人：北京道仪数慧科技有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G06T7/60 文献下载
摘要：本申请公开了一种道路病害尺寸检测方法及载具，用以解决道路病害尺寸检测效率较低的技术问题。其中，一种道路病害尺寸检测方案，根据预设标识的像素尺寸、预设标识的现实尺寸，构建画面与现实的尺寸映射关系；根据画面与现实的尺寸映射关系、道路病害的像素尺寸，生成道路病害的现实尺寸，提高了道路病害尺寸检测效率且通过对画面与现实的尺寸映射关系进行反馈优化、迭代训练，提高了计算道路病害现实尺寸的精度。
道路病害尺寸检测方法

[发明专利]一种基于特征尺寸约束的三维服装变形方法及其系统-CN201610805534.0在审
发明人：周炳光;王若梅 -专利权人：中山大学
申请日： 2016-09-05 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种基于特征尺寸约束的三维服装变形方法及其系统，其中，该方法包括建立服装的特征尺寸约束关系模型；根据所述特征尺寸约束关系模型对所述服装进行基于截面环的三维虚拟服装变形；对所述服装进行基于均值坐标的服装部位约束变形在本发明实施例中，建立了服装的特征尺寸约束关系模型，对影响服装外形的关键尺寸进行分类，并建立服装细部尺寸和关键尺寸的约束关系，进而对三维虚拟服装进行基于截面环的三维虚拟服装变形，能够直接对已有的三维虚拟服装进行变形，来适应不同尺寸的人体模型的需要，可对不同的人尺寸体模型生成个性化服装。
一种基于特征尺寸约束三维服装变形方法及其系统

[发明专利]一种装配尺寸链生成的方法及装置-CN201610556112.4有效
发明人：刘检华;丁晓宇;鲍强伟;曲强;应小昆;刘少丽;张志强 -专利权人：北京理工大学;中国兵器工业新技术推广研究所
申请日： 2016-07-14 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种装配尺寸链生成的方法及装置，其中，方法包括：获取一预先构建的三维装配体模型的尺寸及公差信息以及装配约束信息；根据尺寸及公差信息，获取尺寸及公差信息表，尺寸及公差信息表包括具有第一关联关系的尺寸及公差类型、尺寸及公差数据和尺寸及公差数据对应的两个第一关联几何特征的信息；根据装配约束信息，获取装配约束信息表，装配约束信息表包括具有第二关联关系的装配约束类型、装配约束数据和装配约束数据对应的两个第二关联几何特征的信息；根据尺寸及公差信息表和装配约束信息表，得到装配关系传递图；根据装配关系传递图，生成三维装配体模型的装配尺寸链。本发明提高了装配尺寸链生成的效率和成功率。
一种装配尺寸生成方法装置

[发明专利]确定二维样板尺寸的方法、装置、计算机设备和存储介质-CN202010076452.3有效
发明人：常鹏;伍宝华;黄艺静 -专利权人：广东溢达纺织有限公司
申请日： 2020-01-23 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： A41H1/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种确定二维样板尺寸的方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：确定目标客户的服装版型类别，获取与所述服装版型类别对应的舒适尺寸差值范围；根据所述舒适尺寸差值范围，确定所述目标客户的舒适成衣尺寸范围；获取所述目标客户的预期成衣尺寸范围，从所述舒适成衣尺寸范围和所述预期成衣尺寸范围的共有成衣尺寸范围中，选取目标成衣尺寸；根据预先建立的映射关系，确定与所述目标成衣尺寸对应的二维样板尺寸；其中，所述映射关系中包含有成衣尺寸与二维样板尺寸的对应关系。
确定二维样板尺寸方法装置计算机设备存储介质

[发明专利]图片生成方法、装置、电子设备及可读存储介质-CN202011030360.8在审
发明人：陈宇 -专利权人：大方众智创意广告（珠海）有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： G06T11/60 文献下载
摘要：方法包括：获取预生成的广告图片的目标尺寸、多个图片元素及多个图片元素的第一相对位置关系，图片元素包括图像元素、文本元素中的至少一种，目标尺寸在预设尺寸范围内；根据目标尺寸及第一相对位置关系，确定多个图片元素的第二相对位置关系及多个图片元素在目标尺寸的背景画布中的框架位置，多个图片元素在背景画布的相对位置关系与第二相对位置关系相同；将每个图片元素贴设至背景画布中对应的框架位置；通过延展算法对贴设在背景画布中的每个图片元素进行延展，得到目标尺寸的目标广告图片，能够提高广告图片生成的效率，提高调整广告图片尺寸的灵活性。
图片生成方法装置电子设备可读存储介质

[发明专利]基于增材制造的钛合金晶粒尺寸与疲劳强度关系分析方法-CN201510849569.X在审
发明人：顾宇轩;卜英格;宋恩鹏;李伟 -专利权人：中国航空工业集团公司沈阳飞机设计研究所
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： G01N3/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于增材制造的钛合金晶粒尺寸与疲劳强度关系分析方法。所述基于增材制造的钛合金晶粒尺寸与疲劳强度关系分析方法包括如下步骤：步骤1：制造多组晶粒尺寸不同的增材钛合金；步骤2：测量每个待测钛合金件的晶粒尺寸；步骤3：进行轴向等幅循环疲劳试验，从而得到每组待测钛合金组的应力寿命曲线；步骤4：通过应力寿命曲线，求出预定循环周次所对应的各个待测钛合金组中的待测钛合金件的疲劳强度σ_Ri；步骤5：拟合出增材制造钛合金晶粒尺寸与疲劳强度的关系曲线。本发明的基于增材制造的钛合金晶粒尺寸与疲劳强度关系分析方法通过增材制造方法制造出不同晶粒尺寸的增材钛合金建立显微组织尺寸与疲劳强度之间的关系。
基于制造钛合金晶粒尺寸疲劳强度关系分析方法

[发明专利]接触孔形成方法-CN201910986189.9有效
发明人：董献国 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及接触孔形成方法，涉及半导体集成电路制造技术，通过多次试验获得光刻后接触孔形貌关键尺寸变化ΔD1与刻蚀后接触孔关键尺寸变化ΔD2的关系式及层间介质层厚度HILD与刻蚀后接触孔关键尺寸D2的关系式，进而获得光刻后接触孔形貌关键尺寸D1与层间介质层厚度HILD的关系，再根据光刻机光刻后接触孔形貌关键尺寸D1与曝光强度的关系，得到曝光强度与层间介质层厚度HILD之间的补偿关系，进而对晶圆上一曝光单元的曝光强度进行补偿，也即对不同的层间介质层厚度区域曝不同光刻后接触孔形貌关键尺寸D1的接触孔，最终使得该曝光单元内刻蚀后形成的接触孔的关键尺寸接近接触孔的目标关键尺寸
接触形成方法

[发明专利]一种喷丸工艺诱导金属表面晶粒细化尺寸梯度分布的方法-CN202210546956.6在审
发明人：王成雨;蒋建军;王勇超;杨武飞 -专利权人：成都飞机工业（集团）有限责任公司
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C21D7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种喷丸工艺诱导金属表面晶粒细化尺寸梯度分布的方法，利用有限元仿真建立喷丸工艺参数与金属零件的等效塑性应变的关系；利用XRD衍射法检测金属零件表层的表层晶粒尺寸，通过光学显微镜检测金属零件的原始晶粒尺寸，通过表层晶粒尺寸与原始晶粒尺寸之间的差异建立晶粒尺寸分布与金属零件发生等效塑性应变厚度的线性分布关系；利用等效塑性应变与晶粒尺寸分布的反比关系，建立喷丸工艺参数与晶粒尺寸分布的分布模型；本发明能够反映喷丸工艺参数与晶粒尺寸分布之间的关系，不需要进行反复的剥层，解决了传统剥层法的逐点的利用XRD去测量厚度上个点的晶粒尺寸，试验周期长，测量效果差，对晶粒尺寸有要求且无法测量大尺寸晶粒的问题。
一种工艺诱导金属表面晶粒细化尺寸梯度分布方法

[发明专利]晶粒尺寸的测量方法-CN202111276187.4在审
发明人：孙洪福;丁同国;罗锟 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶粒尺寸的测量方法，包括：提供多个参考薄膜，获取所有所述参考薄膜的反射率及晶粒尺寸；利用所有所述参考薄膜的反射率及对应的晶粒尺寸，建立所述参考薄膜的反射率与晶粒尺寸的映射关系；以及，提供待测薄膜，获取所述待测薄膜的反射率，并根据所述映射关系得到所述待测薄膜的晶粒尺寸；本发明通过所述参考薄膜的反射率及晶粒尺寸的映射关系，能够快速便捷得到待测薄膜的晶粒尺寸。
晶粒尺寸测量方法

[发明专利]一种用于制造谐振器的小尺寸石英晶体基板的加工方法-CN201010244250.1有效
发明人：王骥;阳丽君;赵岷江;潘俏俏 -专利权人：宁波大学;台晶(宁波)电子有限公司
申请日： 2010-07-30 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于制造谐振器的小尺寸石英晶体基板的加工方法，优点是由于本方法设定了石英晶体基板的振动频率Ω与其尺寸之间的关系式，通过该关系式可得出晶体基板的振动频率与其尺寸之间的关系，可以根据预先的设计频率确定小尺寸石英晶体基板的尺寸，并进一步确定待加工的大尺寸石英晶体基板的尺寸和振动频率，使切割得到的小尺寸石英晶体基板的振动频率满足设计频率要求，保证最终得到的小尺寸石英晶体基板即为合格晶片；该方法提高了加工效率，同时也降低了小尺寸石英晶体基板的加工难度
一种用于制造谐振器尺寸石英晶体加工方法

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