专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种快速射电暴信号识别方法与系统-CN201910706020.3有效
  • 裴鑫;李健;陈卯蒸;马军;刘艳玲;段雪峰 - 中国科学院新疆天文台
  • 2019-07-31 - 2022-10-14 - G06K9/00
  • 本发明提供了一种快速射电暴的识别方法,包括:对快速射电暴的观测信号进行预处理,得到快速射电暴观测数据;对快速射电暴观测数据进行消色散计算,得到快速射电暴候选体文件,快速射电暴候选体文件包括快速射电暴候选体列表;对快速射电暴候选体文件中的干扰进行标记,根据快速射电暴候选体列表,提取包含快速射电暴候选体的数据;对包含快速射电暴候选体的数据进行处理,得到频率时间数据及色散时间数据;对频率时间数据及色散时间数据推理分类,识别快速射电暴信号。基于该识别方法,可快速、准确的检测快速射电暴信号。
  • 一种快速射电信号识别方法系统
  • [发明专利]像素电极结构及像素电极结构制作方法-CN201910358616.9有效
  • 史婷 - 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2019-04-30 - 2021-07-06 - H01L27/32
  • 一种像素电极结构包括像素反射电极、像素定义层、空穴注入层、空穴传输层、发光层以及半透明层。所述像素反射电极包括红像素反射电极、绿像素反射电极及蓝像素反射电极。所述像素定义层设置于所述像素反射电极之间。所述空穴注入层设置于所述像素反射电极上。所述空穴传输层设置于所述空穴注入层上。所述发光层设置于所述空穴传输层上。所述半透明层设置于所述发光层上。其中所述红像素反射电极与绿像素反射电极的间距小于绿像素反射电极与蓝像素反射电极之间的间距。通过本发明的所述的像素电极结构可以利用喷墨打印制作高分辨率的像素电极结构。
  • 像素电极结构制作方法
  • [发明专利]基于CNN-LSTM的太阳爆发实时监测方法及系统-CN202310309639.7在审
  • 苏艳蕊;徐晓峰;李舒琪;刘耕;严发宝;武昭;陈耀 - 山东大学
  • 2023-03-23 - 2023-07-25 - G06F30/27
  • 本发明提出了基于CNN‑LSTM的太阳爆发实时监测方法及系统,涉及太阳射电检测领域,具体方案包括:基于CNN‑LSTM,构建太阳射电流量预测模型,并用太阳射电历史观测数据对模型进行训练;实时观测太阳射电流量值,组成时域数据,输入到训练好的太阳射电流量预测模型中,生成并输出下一时刻的射电流量预测值;基于射电流量预测值,进行多重判断,得到太阳爆发监测结果;本发明基于CNN‑LSTM网络,构建太阳射电流量预测模型,实时预测下一时刻的射电流量值,并采用多重判断检测爆发,有效解决实时检测太阳射电爆发的问题,有效提高太阳爆发预警的准确度。
  • 基于cnnlstm太阳爆发实时监测方法系统

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