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- [实用新型]一种温度保险丝-CN201020685600.3无效
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徐周
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徐周
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2010-12-29
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2011-08-31
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H01H37/76
- 本实用新型公开了一种温度保险丝,包括两平行排列的金属电极、易熔合金丝和密闭腔体,两金属电极一端深入密闭腔体内,深入密闭腔体内的金属电极通过易熔合金丝连接,易熔合金丝上包覆有特殊树脂,易熔合金丝及其与两金属电极的连接部封装于密闭腔体内,密闭腔体包括盒体和盖板,两金属电极引出盒体外与盒体壁接触处涂覆有封口树脂。本实用新型的有益效果:密闭腔体的密封性好,封口树脂使金属电极与盒体壁的接触处更为融合,结构简单,制造工艺简单,节约成本。
- 一种温度保险丝
- [实用新型]一种可开合式烟尘密闭罩-CN202022247677.9有效
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周磊
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湖北潜江江汉环保有限公司
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2020-10-12
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2021-06-11
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B08B15/00
- 本实用新型属于密闭罩技术领域,涉及一种可开合式烟尘密闭罩,包括地基、固定半密闭罩、移动半密闭罩和滑块,所述固定半密闭罩固定连接在地基,所述移动半密闭罩设置在地基上方。其有益效果是,该可开合式烟尘密闭罩,通过螺纹柱、第一连接杆、滑杆、滑套和第二连接杆的配合,当人们需要对密闭罩内部的工艺设备取放物料或工件时,人们只需要通过控制开关控制电机开始运作,带动第一转轴转动,在螺纹柱、第一连接杆和第二连接杆的配合下,得以带动顶盖移动,当顶盖移动至指定位置时,人们即可通过控制开关控制电机停止运作,然后人们使用天车对物料或工件进行取放,方便了人们对物料或工件进行取放,减少打开密闭罩的频率
- 一种合式烟尘密闭
- [发明专利]地下气化炉水封堵漏工艺-CN200310105402.X无效
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刘宝银;郑珂;邱波
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新汶矿业集团有限责任公司
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2003-10-08
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2005-04-13
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E21B43/295
- 一种地下气化炉水封堵漏工艺,在借助已有矿井巷道构筑地下气化炉的过程中,采取如下预备措施:①矿井与气化炉之间的联络巷掘成斜巷;联络巷中所设密闭上侧,预留一段巷道作布设水封位置;②当布设水封位置位于密闭炉内一侧时,要在密闭上设置排水管,并在密闭外侧设置水位检测仪表和排水控制阀;③当炉内无涌水或涌水不足时,要布设向炉内注水形成水封的注水管。当气化炉运行中漏气时,用水封堵漏;即利用一定高度的水将漏气的密闭或煤岩柱封住,使炉内气体不能泄漏;并通过水位检测仪表和排水控制阀,监控水封水位达到要求高度。本工艺可使炉内气体向矿井生产区的泄漏得到根治,消除对生产矿井安全的威胁,而且安全可靠、简单实用、效果良好。
- 地下气化水封堵漏工艺
- [发明专利]一种柿片快速去涩工艺-CN201110268036.4无效
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曲家惠
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曲家惠
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2011-09-13
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2013-03-27
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A23B7/152
- 本发明涉及一种柿片快速去涩工艺,属于一种食品加工方法。一种柿片快速去涩工艺,其特征在于取新鲜柿子或青柿,切成片状或条状,放入密闭容器,是容器内充入汽化或雾状的乙醇,恢复常压,然后调整容器内温度在35-50℃,保持温度,密闭存放。容器内乙醇含量为0.005-0.01%本发明的优点在于与传统工艺相比,具有可以优化生产,去涩时间段,所用物质少,成本低廉之优点,为大规模开发利用我国的柿资源提供了有力手段。
- 一种快速工艺
- [发明专利]一种硅基晶圆的表面处理装置及处理方法-CN202110234628.8在审
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黄鹤;杨霞
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昆山赛米瑟泊电子科技有限公司
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2021-03-03
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2021-05-18
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H01L21/67
- 本发明公开了一种硅基晶圆的表面处理装置及处理方法,包括密闭腔体和连通密闭腔体内部的第一管路以及第二管路,所述密闭腔体还连接有第三管路,所述密闭腔体内设有用于放置硅基晶圆的反应台,所述密闭腔体上设有对应所述反应台的高透光玻璃窗,所述密闭腔体的外部具有能量光源;所述第一管路连通氮气,所述第二管路连通惰性气体,所述第三管路外接真空泵,所述第一管路上设有第一控制阀,所述第二管路上设有第二控制阀,所述第三管路上设有第三控制阀;所述密闭腔体还外接有用于监测所述密闭腔体内部气压的压力计本发明通过设置密闭腔体并在密闭腔体内充入反应气体,为硅基晶圆表面处理提供反应环境,保证硅基晶圆的表面处理的稳定性,提高硅基晶圆表面处理工艺效果。
- 一种硅基晶圆表面处理装置方法
- [实用新型]一种硅基晶圆的表面处理装置-CN202120460640.6有效
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黄鹤;杨霞
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昆山赛米瑟泊电子科技有限公司
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2021-03-03
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2021-09-24
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H01L21/67
- 本实用新型公开了一种硅基晶圆的表面处理装置,包括密闭腔体和连通密闭腔体内部的第一管路以及第二管路,所述密闭腔体还连接有第三管路,所述密闭腔体内设有用于放置硅基晶圆的反应台,所述密闭腔体上设有对应所述反应台的高透光玻璃窗,所述密闭腔体的外部具有能量光源;所述第一管路连通氮气,所述第二管路连通惰性气体,所述第三管路外接真空泵,所述第一管路上设有第一控制阀,所述第二管路上设有第二控制阀,所述第三管路上设有第三控制阀;所述密闭腔体还外接有用于监测所述密闭腔体内部气压的压力计本实用新型通过设置密闭腔体并在密闭腔体内充入反应气体,为硅基晶圆表面处理提供反应环境,保证硅基晶圆的表面处理的稳定性,提高硅基晶圆表面处理工艺效果。
- 一种硅基晶圆表面处理装置
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