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[发明专利]三环癸烷单甲醇单羧酸衍生物的制造方法-CN201080047287.3无效
发明人：川上广幸;富永健一;佐藤一彦 -专利权人：日立化成工业株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2010-07-08 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： C07C67/347 文献下载
摘要：本发明提供一种制造能够成为高耐热脂环式聚酯等的原料的三环癸烷单甲醇单羧酸衍生物的方法。三环癸烷单甲醇单羧酸衍生物的制造方法，其特征在于：在含有钌化合物、钴化合物和卤化盐的催化剂体系的存在下，使由下述式(I)表示的二环戊二烯和甲酸化合物反应，制得由下述式(II)表示的三环癸烯单羧酸衍生物，然后，通过对该三环癸烯单羧酸衍生物进行加氢甲酰化，得到由下述式(III)表示的三环癸烷单甲醇单羧酸衍生物。式(II)和(III)中，R表示氢、碳原子数为1～5的烷基、乙烯基、苄基。
癸烷甲醇羧酸衍生物制造方法

[实用新型]一种单环三块式隧道衬砌旋转拼装台车-CN202222946971.8有效
发明人：王嵽显;李伟奇;熊晓晖;李翔;李鹏远;邓君;李睿骞;杨圆;吕虎;徐腾辉;何亮;陈晓飞;王源 -专利权人：中铁十一局集团有限公司;中铁十一局集团汉江重工有限公司;中铁十一局集团第五工程有限公司;中铁十一局集团有限公司勘察设计院
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： E21D11/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种单环三块式隧道衬砌旋转拼装台车，车架上安装有拱顶安装机构和边墙安装机构，边墙安装机构在车架的两侧对称设置有两套；边墙安装机构包括依次连接的回转单元、多自由度调整单元和边墙衬砌片连接单元回转单元和多自由度调整单元对边墙衬砌片连接单元进行回转和调整，使边墙衬砌片定位至边墙安装位置；拱顶安装机构包括纵移单元、横移单元、顶升单元和衬砌片支撑连接装置，拱顶衬砌片放置并连接于衬砌片支撑连接装置上，在三个平面上将拱顶衬砌片调整定位至拱顶安装位置；衬砌片支撑连接装置的中心点与边墙衬砌片连接单元的中心点的水平距离与一环隧道衬砌片的幅宽相匹配。
一种单环三块式隧道衬砌旋转拼装台车

[发明专利]三环癸烷单甲醇单羧酸及其衍生物-CN201080037937.6无效
发明人：川上广幸 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2010-07-09 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： C07C61/135 文献下载
摘要：本发明提供一种能够成为高耐热脂环式聚酯等的原料的新型三环癸烷单甲醇单羧酸及其衍生物。由下述通式(I)表示的三环癸烷单甲醇单羧酸及其衍生物。
癸烷甲醇羧酸及其衍生物

[实用新型]环式三相变压器-CN94244489.2无效
发明人：顾梦柯 -专利权人：顾梦柯
申请日： 1994-11-10 - 公布日： 1996-05-08 - 主分类号： H01F30/12 文献下载
摘要：一种环式三相变压器，由铁芯和线圈组成，铁芯是环状柱体，由三个单环卷铁芯组合而成，呈三棱环状柱体，三个初级和次级线圈分别绕在三个柱铁上，每个单环卷铁芯是用多级卷铁芯卷成的，环式三相变压器铁芯的每个柱铁都是由不同的单环卷铁芯的两个柱铁合成的
三相变压器

[发明专利]一种短行程双锥面锁环式同步器-CN201410479839.8无效
发明人：徐卫权;程森;傅冬羚;胡楚金;蔡义;黄轶明;李欣;周德龙 -专利权人：浙江万里扬变速器股份有限公司
申请日： 2014-09-19 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： F16D23/02 文献下载
摘要：本发明属于汽车变速器类，具体是一种短行程双锥面锁环式同步器，包括内环、外环、中间环、滑动齿套、同步推块、齿毂、齿轮接合齿，其特征是：齿毂上设有内环固定槽及同步推块的滑动槽，同步推块两端通过弹簧与外环连接；内环上的爪插在齿毂的固定槽内；中间环的爪插在齿轮接合齿的孔内，滑动齿套采用连齿限位，滑动齿套带有相应的同步推块的定位槽。本发明工作时，外环和内环分别与齿毂连接，减少了同步器三件套的轴向安装长度，同时外环、滑动齿套和齿毂可以用于单锥面锁环式同步器中，零部件通用性强，单双锥同步器之间实现互换；滑动齿套和齿毂采用紧凑型设计，外径小，同时可以用于单锥面锁环式同步器中，零部件通用性强。
一种行程锥面锁环式同步器

[实用新型]一种短行程双锥面锁环式同步器-CN201420539060.6有效
发明人：徐卫权;程森;傅冬羚;胡楚金;蔡义;黄轶明;李欣;周德龙 -专利权人：浙江万里扬变速器股份有限公司
申请日： 2014-09-19 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： F16D23/02 文献下载
摘要：本实用新型属于汽车变速器类，具体是一种短行程双锥面锁环式同步器，包括内环、外环、中间环、滑动齿套、同步推块、齿毂、齿轮接合齿，其特征是：齿毂上设有内环固定槽及同步推块的滑动槽，同步推块两端通过弹簧与外环连接；内环上的爪插在齿毂的固定槽内；中间环的爪插在齿轮接合齿的孔内，滑动齿套采用连齿限位，滑动齿套带有相应的同步推块的定位槽。本实用新型工作时，外环和内环分别与齿毂连接，减少了同步器三件套的轴向安装长度，同时外环、滑动齿套和齿毂可以用于单锥面锁环式同步器中，零部件通用性强，单双锥同步器之间实现互换；滑动齿套和齿毂采用紧凑型设计，外径小，同时可以用于单锥面锁环式同步器中，零部件通用性强。
一种行程锥面锁环式同步器

[发明专利]含三环己基膦的单膦单氮杂环卡宾镍(II)配合物及其应用-CN201410319514.3有效
发明人：孙宏枚;张杰;许槿;沈琪 -专利权人：苏州大学
申请日： 2014-07-07 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： C07F15/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种含三环己基膦的单膦单氮杂环卡宾镍(II)配合物及其应用，所述含三环己基膦的单膦单氮杂环卡宾镍(II)配合物的分子式为(PCy₃)Ni[(RNCHCHNR)C]X₂，式中，PCy₃为三环己基膦；R为叔丁基、2,6-二异丙基苯基或均三甲基苯基；X为氯或溴。本发明中的含三环己基膦的单膦单氮杂环卡宾镍(II)配合物，制备简单易操作，产物易提纯、得率高，且在空气中也可稳定存在。这类单膦单氮杂环卡宾镍(II)配合物可以在温和条件下高效催化芳甲醚和芳基格氏试剂的交叉偶联反应。
环己基单膦单氮杂环卡宾镍 ii 配合及其应用

[实用新型]一种新型三车翻车机端环-CN201520325239.6有效
发明人：鲍佩生;李艳成 -专利权人：大连三峰港口机械设备有限公司
申请日： 2015-05-20 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： B65G67/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型三车翻车机端环，适用于“单梁铰接式”三车翻车机。包括端环钢结构、端环齿块、端环环轨。端环钢结构由三段构成，分别是上端环体、左下端环体、右下端环体，三段结构通过高强螺栓法兰连接在一起，并通过锥销定位。端环齿块通过高强螺栓把合在端环外圆上。端环环轨由二段构成，二段环轨接缝处采用“Z”形接缝。端环钢结构与平台铰接点处的厚钢板采用扇形结构。本实用新型设计结构科学合理，端环钢结构采用三段式，既便于工厂制造又便于现场安装施工，与平台铰接处的独创结构使端环钢结构在铰接点处形成圆弧过渡，降低了应力集中，可有效避免端环钢结构开裂现象发生。
一种新型翻车机端环

[实用新型]一种多环的三燃烧器嵌入式灶具-CN202121534872.8有效
发明人：成建设;张红霞 -专利权人：中山百得厨卫有限公司
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： F24C3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多环的三燃烧器嵌入式灶具，涉及灶具技术领域。本实用新型包括底座，底座的顶部固定有操作平台，底座的内部设置有安装腔，安装腔的内部安装有炉头总成，炉头总成包括双环炉头、单环炉头和三环炉头，双环炉头、单环炉头和三环炉头均安装在安装腔内部，操作平台的顶部开设有三个通孔，用于为双环炉头、单环炉头和三环炉头分别装配控制器，单环炉头设置于双环炉头和三环炉头之间。本实用新型相比双燃烧器的结构更能充分利用灶具的设计空间，且通过双环炉头、单环炉头和三环炉头合理分布排列，能够充分利用散发的热量。
一种燃烧嵌入式灶具

[发明专利]组合物-CN201780056092.7在审
发明人：芹泽伸也;佐佐木麻希子;中岛刚介 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2017-10-04 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： C08F220/18 文献下载
摘要：一种组合物，其含有：(1)聚合性单体，该聚合性单体含有(1‑1)三环为脂环族的三环式单官能(甲基)丙烯酸酯、(1‑2)三环为脂环族的三环式二官能(甲基)丙烯酸酯、和(1‑3)具有双酚结构的二官能(甲基)丙烯酸酯；(2)聚合引发剂；(3)还原剂，其中，(1‑1)三环式单官能(甲基)丙烯酸酯在(1)聚合性单体中为40～75质量％，(1‑2)三环式二官能(甲基)丙烯酸酯在(1)聚合性单体中为10～40质量％
丙烯酸酯三环聚合性单体双酚结构单官能脂环族聚合引发剂还原剂

[实用新型]一种采用微单内置式HDR滤镜的摄影器材-CN201921936314.7有效
发明人：李辰熙 -专利权人：李辰熙
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H04N5/225 文献下载
摘要：本实用新型提供一种采用微单内置式HDR滤镜的摄影器材。所述采用微单内置式HDR滤镜的摄影器材包括：摄影器材本体和滤镜本体，所述滤镜本体设在摄影器材本体上，所述滤镜本体呈方型形状，长宽比3：2；盖板，所述盖板设置在摄影器材本体上；第一环形块，所述第一环形块设置在摄影器材本体内；第二环形块，所述第二环形块转动安装在第一环形块上；支撑块，所述支撑块固定安装在第二环形块上；第一圆杆，所述第一圆杆滑动安装在支撑块上。本实用新型提供的采用微单内置式HDR滤镜的摄影器材具有使用方便，满足不同光强下的摄影需求，能够根据需要简单快捷的对滤镜本体进行更换，操作起来简单便捷的优点。
一种采用内置 hdr 滤镜摄影器材

[发明专利]一种用于单环三块式隧道衬砌旋转拼装的台车-CN202211382177.3在审
发明人：李伟奇;唐达昆;周丹;张旭东;张开顺;王文胜;张光明;杜军良;李勇;王嵽显;熊晓晖;李继伟;吕虎;李翔;李鹏远;何亮;曹翠;邓君;李睿骞;杨圆;徐腾辉 -专利权人：中铁十一局集团有限公司;中铁十一局集团汉江重工有限公司;中铁十一局集团第五工程有限公司;中铁十一局集团有限公司勘察设计院
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： E21D11/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于单环三块式隧道衬砌旋转拼装的台车，车架上安装有拱顶安装机构和边墙安装机构，边墙安装机构设置有两套；边墙安装机构包括依次连接的回转单元、多自由度调整单元和边墙衬砌片连接单元，回转单元和多自由度调整单元对边墙衬砌片连接单元进行回转和调整，使边墙衬砌片定位至边墙安装位置；拱顶安装机构包括纵移单元、横移单元、顶升单元和衬砌片支撑连接装置，拱顶衬砌片放置并连接于衬砌片支撑连接装置上，在三个平面上将拱顶衬砌片调整定位至拱顶安装位置；衬砌片支撑连接装置的中心点与边墙衬砌片连接单元的中心点的水平距离与一环隧道衬砌片的幅宽相匹配
一种用于单环三块式隧道衬砌旋转拼装台车

[实用新型]一种具有外加套环的海上风机单桩基础结构-CN202223456452.X有效
发明人：周茂强;郑莉;周晓天;何杰;张芝明;方磊 -专利权人：中国电建集团华东勘测设计研究院有限公司;浙江华东工程咨询有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： E02D27/42 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种具有外加套环的海上风机单桩基础结构，包括钢管桩，所述海上风机单桩基础结构还包括外套环构件，外套环构件设置与钢管桩直径适配的中心孔，而能套在钢管桩外并处在钢管桩对应海底泥面的高度，外套环式构件的内部中空设置，且在底部与外部连通，外套环式构件上开设多个排水孔，外套环式构件上开设限位连接槽，所述钢管桩的外侧壁上设置有定位块，定位块被限制在限位连接槽内。本实用新型不仅能够在风机单桩下沉的过程中对单桩桩基进行定位引导，还能在风机运行时，将风机上部结构所受风浪等水平荷载传递到周围浅层土体，提高单桩基础的水平承载力、刚度与稳定性。
一种具有外加海上风机桩基础结构

[发明专利]一种功率沟槽式MOS场效应管及其制造方法-CN200810023626.9有效
发明人：朱袁正;张鲁 -专利权人：苏州硅能半导体科技股份有限公司
申请日： 2008-04-11 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种功率沟槽式MOS场效应管及其制造方法，其特征在于对MOS场效应管有源区外围的终端保护结构进行了以下几方面改进：1.将单胞阵列的边缘单胞外围的P^－阱直接作为场限环；2.将场板中的场氧化硅层作为P型杂质离子自对准注入的阻挡层直接形成场限环P^－区，截止环P^－区及单胞的P^－阱；3.在P型掺杂之后直接进行N型掺杂，使得场限环P^－区、截止环P^－区和单胞阵列的P^－阱三者上部均带N⁺区；4.在终端保护结构处，金属层连续或分段的覆盖所有场限环与场板区域上方本发明在保证产品性能的前提下，节省了场限环光刻版，多晶硅光刻版及源区注入光刻板，将原来的七块光刻板减少到四块光刻版，从而大大降低了制造成本，可适用于大批量低成本制造功率沟槽式MOS场效应管。
一种功率沟槽 mos 场效应及其制造方法

[实用新型]一种功率沟槽式MOS场效应管-CN200820035129.6无效
发明人：朱袁正;张鲁 -专利权人：苏州硅能半导体科技股份有限公司
申请日： 2008-04-11 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种功率沟槽式MOS场效应管，其特征在于对MOS场效应管有源区外围的终端保护结构进行了以下几方面改进：1.将单胞阵列的边缘单胞外围的P－阱直接作为场限环；2.将场板中的场氧化硅层作为P型杂质离子自对准注入的阻挡层直接形成场限环P－区，截止环P－区及单胞的P－阱；3.在P型掺杂之后直接进行N型掺杂，使得场限环P－区、截止环P－区和单胞阵列的P－阱三者上部均带N+区；4.在终端保护结构处，金属层连续或分段的覆盖所有场限环与场板区域上方本实用新型在保证产品性能的前提下，节省了场限环光刻版，多晶硅光刻版及源区注入光刻板，将原来的七块光刻板减少到四块光刻版，从而大大降低了制造成本，可适用于大批量低成本制造功率沟槽式MOS场效应管。
一种功率沟槽 mos 场效应

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