专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]光接收元件、成像元件和成像装置-CN202110824565.1在审
  • 佐野拓也 - 索尼半导体解决方案公司
  • 2018-01-05 - 2021-12-07 - H01L27/146
  • 本技术涉及特性改善的光接收元件、成像元件和成像装置。根据本发明的光接收元件包括片上透镜;配线层;和配置在所述片上透镜和所述配线层之间的半导体层。所述半导体层包括被施加第电压的第电压施加部,被施加不同于第电压的第二电压的第二电压施加部,配置在第电压施加部周围的第电荷检测部,和配置在第二电压施加部周围的第二电荷检测部。所述配线层包括具有构造成供给第电压的第电压施加配线、构造成供给第二电压的第二电压施加配线和反射构件的至少个层。在平面图中,所述反射构件被设置为与第电荷检测部或第二电荷检测部重叠。例如,本技术可以适用于构造成测量距离的光接收元件
  • 接收元件成像装置
  • [发明专利]光接收元件、成像元件和成像装置-CN202110824668.8在审
  • 佐野拓也 - 索尼半导体解决方案公司
  • 2018-01-05 - 2021-12-07 - H01L27/146
  • 本技术涉及特性改善的光接收元件、成像元件和成像装置。根据本发明的光接收元件包括片上透镜;配线层;和配置在所述片上透镜和所述配线层之间的半导体层。所述半导体层包括被施加第电压的第电压施加部,被施加不同于第电压的第二电压的第二电压施加部,配置在第电压施加部周围的第电荷检测部,和配置在第二电压施加部周围的第二电荷检测部。所述配线层包括具有构造成供给第电压的第电压施加配线、构造成供给第二电压的第二电压施加配线和反射构件的至少个层。在平面图中,所述反射构件被设置为与第电荷检测部或第二电荷检测部重叠。例如,本技术可以适用于构造成测量距离的光接收元件
  • 接收元件成像装置
  • [发明专利]光接收元件、成像元件和成像装置-CN202110824699.3在审
  • 佐野拓也 - 索尼半导体解决方案公司
  • 2018-01-05 - 2021-12-07 - H01L27/146
  • 本技术涉及特性改善的光接收元件、成像元件和成像装置。根据本发明的光接收元件包括片上透镜;配线层;和配置在所述片上透镜和所述配线层之间的半导体层。所述半导体层包括被施加第电压的第电压施加部,被施加不同于第电压的第二电压的第二电压施加部,配置在第电压施加部周围的第电荷检测部,和配置在第二电压施加部周围的第二电荷检测部。所述配线层包括具有构造成供给第电压的第电压施加配线、构造成供给第二电压的第二电压施加配线和反射构件的至少个层。在平面图中,所述反射构件被设置为与第电荷检测部或第二电荷检测部重叠。例如,本技术可以适用于构造成测量距离的光接收元件
  • 接收元件成像装置
  • [发明专利]发光元件和发光元件的制造方法-CN202080054210.2在审
  • 须贺贵子;内田武志;吉冈毅 - 佳能株式会社
  • 2020-07-28 - 2022-03-11 - H01L33/10
  • 提供了种发光元件,该发光元件具有:第有源层,通过注入电流来发射具有第波长的光;第二有源层,通过吸收具有第波长的光来发射具有不同于第波长的第二波长的光;以及第反射镜,在第反射镜处具有第波长的光的反射率大于具有第二波长的光的反射率,其中,第反射镜被部署在比第有源层和第二有源层靠近发射端的位置处,由第有源层或第二有源层发射的光从发射端投射到外部。
  • 发光元件制造方法

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