专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]边缘场驱动模式液晶显示装置-CN200910247014.2无效
  • 李景夏;安致旭 - 京东方显示器科技公司
  • 2004-10-25 - 2010-05-26 - G02F1/1343
  • 一种边缘场驱动模式液晶显示装置,其为降低黑底的电阻使用导电性材料,形成像素电极和电场使周边部液晶动作,使楔部不产生倾倒线,在黑底区域施加共用电场形成像素电极和电场,使数据传输线和像素电极之间的液晶动作,其上部衬底和下部衬底相互间隔规定距离配置;在除去规定区域的上部衬底的上部形成导电性黑底;在下部衬底的上部形成共用电极;在共用电极的上部形成门绝缘膜;像素电极通过施加电压与上述导电性黑底以及上述共用电极一起形成具有规定方向的角度的电场穿过液晶,具有在与上述导电性黑底以及上述共用电极之间形成1-区域和2-区域中一个齿形的边缘部。
  • 边缘驱动模式液晶显示装置
  • [发明专利]边缘场驱动模式液晶显示装置-CN200410085917.2无效
  • 李景夏;安致旭 - 京东方显示器科技公司
  • 2004-10-25 - 2005-08-24 - G02F1/136
  • 一种边缘场驱动模式液晶显示装置,其为降低黑底的电阻使用导电性材料,形成像素电极和电场使周边部液晶动作,使楔部不产生倾倒线,在黑底区域施加共用电场形成像素电极和电场,使数据传输线和像素电极之间的液晶动作,其上部衬底和下部衬底相互间隔规定距离配置;在除去规定区域的上部衬底的上部形成导电性黑底;在下部衬底的上部形成共用电极;在共用电极的上部形成门绝缘膜;像素电极通过施加电压与上述导电性黑底以及上述共用电极一起形成具有规定方向的角度的电场穿过液晶,具有在与上述导电性黑底以及上述共用电极之间形成1-区域和2-区域中一个齿形的边缘部。
  • 边缘驱动模式液晶显示装置
  • [发明专利]记录媒体、再现装置和集成电路-CN201110350186.X无效
  • 佐佐木泰治;矢羽田洋;小川智辉 - 松下电器产业株式会社
  • 2009-09-10 - 2012-06-20 - H04N5/85
  • 在记录媒体中,立体视觉专用区域和平面视觉专用区域在立体视觉/平面视觉共用区域之后。立体视觉/平面视觉共用区域是交替配置有基视流文件和从属视流文件的各区段的连续区域,在立体视觉影像再现时与平面视觉影像再现时这两种情况下被访问。立体视觉专用区域是交替配置有在立体视觉/平面视觉共用区域中记录的两个流文件的各部分之后的区段的连续区域,在立体视觉影像再现中产生的长跳跃即将开始之前被访问。平面视觉专用区域是记录有立体视觉专用区域中记录的基视流文件的区段的拷贝的连续区域,在平面视觉影像再现中产生的长跳跃即将开始之前被访问。
  • 记录媒体再现装置集成电路
  • [发明专利]记录媒体、再现装置和集成电路-CN200980100341.3有效
  • 佐佐木泰治;矢羽田洋;小川智辉 - 松下电器产业株式会社
  • 2009-09-10 - 2010-08-11 - H04N13/04
  • 在记录媒体中,立体视觉专用区域和平面视觉专用区域接续立体视觉/平面视觉共用区域。立体视觉/平面视觉共用区域是交互配置基础视流文件与相关视流文件的各盘区的连续区域,在立体视觉影像再现时与平面视觉影像再现时这两种情况下被访问。立体视觉专用区域是交互配置与立体视觉/平面视觉共用区域中记录的两个流文件的各部分接续的盘区的连续区域,在立体视觉影像再现中产生的长跳跃即将开始之前被访问。平面视觉专用区域是记录有立体视觉专用区域中记录的基础视流文件的盘区的复制品的连续区域,在平面视觉影像再现中产生的长跳跃即将开始之前被访问。
  • 记录媒体再现装置集成电路
  • [发明专利]含有TMOF电解排放料的蒸馏加工-CN200410079442.6无效
  • G·海德里希;I·里希特;T·克鲁格 - 巴斯福股份公司
  • 2004-09-01 - 2005-04-27 - C07C67/54
  • 该电解排放料为在液体电解质中用甲醇电化学氧化1,1,2,2-四甲氧基乙烷(TME)生产原甲酸三甲基酯(TMOF)的电解排放料,其中蒸馏加工在具有30-150个理论塔板的间壁塔(TK)中进行,在该塔中隔离壁(T)设置在塔的纵向,从而形成上部共用区域(1),下部共用区域(6),具有精馏区(2)和汽提区(4)的进料区(2,4),以及具有汽提区(3)和精馏区(5)的出料区(3,5),将电解排放料加入到进料区(2,4)的中间区域,将TMOF作为侧出料从出料区(3,5)的中间区域回收,从上部共用区域(1)取出一种或多种低沸点馏分,从下部共用区域(6)取出一种或多种高沸点馏分。
  • 含有tmof电解排放蒸馏加工
  • [发明专利]显示装置-CN201910268339.2有效
  • 廖伟见;蔡孟杰 - 友达光电股份有限公司
  • 2019-04-03 - 2022-05-13 - G09G3/20
  • 显示装置包括显示面板以及多个共用电压产生器。显示面板具有多个像素区域。多个共用电压产生器分别耦接至多个像素区域,用以分别产生多个共用电压,其中在防窥模式下,各共用电压产生器使各共用电压在第一极性驱动时期,在多个第一时间区间分别维持为第一电压、第二电压以及第三电压,并在第二极性驱动时期
  • 显示装置
  • [发明专利]显示装置-CN200780024894.6无效
  • 西田贤治 - 夏普株式会社
  • 2007-02-21 - 2009-07-15 - G02F1/1343
  • 本发明提供一种显示装置,其能够不设置多间隙构造地以反射显示和透过显示两者进行明亮的显示,并且能够减少在反射区域和透过区域在响应时间上产生差异。本发明的显示装置包括一对基板和夹持在所述基板之间的显示介质,并且在像素内形成有进行反射显示的反射区域和进行透过显示的透过区域,所述显示装置在一个基板上具备像素电极和共用电极,通过所述像素电极和所述共用电极向显示介质施加电压,所述像素电极设置有狭缝,所述反射区域在像素电极与共用电极之间设置有屏蔽电极。
  • 显示装置
  • [发明专利]主动元件阵列基板-CN200910140810.6有效
  • 黄柏辅;林世雄;张俊德 - 友达光电股份有限公司
  • 2009-05-12 - 2009-09-30 - G02F1/13
  • 基板具有主动区域以及与主动区域连接的周边区域。像素阵列配置于主动区域上。周边线路则配置于周边区域上,且周边线路具有第一驱动电路接合区域以及第二驱动电路接合区域。周边线路包括多个第一专用接合垫、多个第二专用接合垫以及多个共用接合垫。第一专用接合垫位于第一驱动电路接合区域内,第二专用接合垫位于第二驱动电路接合区域内,而共用接合垫位于第一驱动电路接合区域与第二驱动电路接合区域的重迭区域内,且第二专用接合垫与对应的共用接合垫电连接。本发明通过在主动元件阵列基板的周边区域设计线路布局,使基板可以适用于芯片-玻璃接合工艺以及芯片-薄膜封装工艺。
  • 主动元件阵列
  • [发明专利]薄膜晶体管阵列-CN200510079394.5无效
  • 吴铭仁;张原豪 - 中华映管股份有限公司
  • 2005-07-04 - 2007-01-10 - H01L27/12
  • 一种薄膜晶体管阵列,包括基板、多个薄膜晶体管、多个像素电极、多条共用配线以及多个辅助电极。这些薄膜晶体管、像素电极及辅助电极分别设置于基板上的像素区域内。薄膜晶体管的漏极与栅极之间具有第一重叠区域,以使得漏极与栅极之间形成栅极-漏极寄生电容,且薄膜晶体管的漏极从通道层上沿一方向延伸至像素电极下方,并通过接触窗电连接至此像素电极。每一辅助电极均位于像素电极下方,并从共用配线上方沿上述之方向延伸至共用配线的一侧,而与共用配线具有第二重叠区域,以使各辅助电极与其所对应之共用配线间形成存储电容。
  • 薄膜晶体管阵列

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