专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体发光元件-CN200810000273.0有效
  • 佐野雅彦;坂本贵彦;榎村惠滋;家段胜好 - 日亚化学工业株式会社
  • 2008-01-30 - 2008-08-06 - H01L33/00
  • 本发明提供一种发光元件,其对设在发光构造外的电极使用透光性电极,以实现元件的低电阻化、高输出化、电能高效化、高量产性低成本化的目的。本发明的半导体发光元件具有:发光构造部;分别设在第1导电型半导体层、发光构造部的第2导电型半导体层上的第1电极、第2电极;及形成在第2导电型半导体层至少一部分上的透光性绝缘膜,第2电极具有:被覆第2导电型半导体层至少一部分的透光性导电膜的第
  • 半导体发光元件
  • [发明专利]液晶表示元件-CN201680025600.0有效
  • 保坂和義;三木德俊;大村浩之 - 日产化学工业株式会社
  • 2016-03-02 - 2020-11-06 - G02F1/1337
  • 提供液晶的垂直取向性高、光学特性良好、且液晶层与液晶取向膜的密合性高、进而长时间在高温高湿、光照射的环境下也能维持特性的液晶表示元件。该液晶表示元件在具备电极的一对基板之间具有液晶层且至少一个基板具备用于使液晶垂直取向的液晶取向膜,所述液晶层是对配置在所述一对基板之间的包含液晶和聚合性化合物的液晶组合物照射紫外线使其固化而得到的,前述液晶取向膜由含有下述
  • 液晶表示元件
  • [发明专利]半导体激光元件-CN201710915746.9有效
  • 谷坂真吾;小泉大树 - 日亚化学工业株式会社
  • 2012-11-30 - 2020-04-21 - H01S5/02
  • 本发明的目的在于提供一种光输出及FFP优异的半导体激光元件及其制造方法。本发明的半导体激光元件的制造方法具有:准备晶片的工序,该晶片包括多个从下面侧起依次具备衬底和具有光波导的半导体构造的半导体激光元件;在晶片的上面侧或下面侧的至少一方形成第一槽的工序,俯视观察,该第一槽向远离光波导且与光波导交叉的方向延伸在形成有第一槽的晶片的上面侧或下面侧的至少一方形成第二槽的工序,该第二槽以与使第一槽延长的直线交叉的方式延伸且具有比第一槽平滑的面;通过沿着第一槽分割所述晶片而得到激光棒的工序;在与第一槽延伸的方向交叉的方向分割激光棒而得到各个半导体激光元件的工序
  • 半导体激光元件
  • [发明专利]存储器元件-CN200710102077.X有效
  • 吴昭谊 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2007-05-14 - 2007-12-26 - H01L27/115
  • 本发明描述用于在具有多个存储单元的电荷陷入存储器中增大存储器操作裕度的方法和结构,前述多个存储单元中每一存储单元能够储存多个位元。在本发明的第一观点,描述在单一存储单元二位元的存储器中增大存储器操作裕度的第一方法,其通过施加正栅极电压+Vg将存储单元抹除为负电压准位来进行。或者,将负栅极电压-Vg施加到前述单一存储单元二位元的存储器以便将存储单元抹除为负电压准位。增大存储器操作裕度的第二方法是将存储单元抹除为低于初始临界电压准位的电压准位。这两种抹除方法可在程序化步骤之前(即,预程序化抹除操作)或在程序化步骤之后(即,后程序化抹除操作)实施。
  • 存储器元件
  • [发明专利]应变沟道MOS元件-CN200710138023.9有效
  • 陈豪育;杨富量 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2007-08-02 - 2008-02-06 - H01L29/78
  • 一种选择性应变MOS元件,其中该MOS元件可为由一组NMOS元件以及PMOS元件所组成的选择性应变PMOS元件,且其不影响NMOS元件上的应变。其形成方法包括提供半导体基材,其中半导体基材包括底半导体层、配置于该底半导体层上的绝缘层以及配置于该绝缘层上的顶半导体层;图案化该顶半导体层以及绝缘层用以形成MOS作用区;形成MOS元件于MOS作用区上,且MOS元件包括栅极结构以及沟道层;以及进行氧化工艺,将一部份的顶半导体层氧化用以在沟道层上产生应变。本发明不仅克服了现有技术的缺点以及不足,并提升了元件性能且改善其工艺。
  • 应变沟道mos元件
  • [发明专利]存储器元件-CN200710079915.6有效
  • 廖忠志 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2007-02-16 - 2007-08-29 - H01L27/11
  • 本发明提出一种存储器元件,特别涉及一种带有系带单元的存储器元件。此存储器元件包括一个第一存储器单元、一个第二存储器单元以及一个系带单元。本发明所提供的存储器元件,系带单元可形成多个晶体管,而在被连系的两存储器单元之间提供额外的绝缘,而使各个存储器单元产生较为一致的操作特性。
  • 存储器元件
  • [发明专利]主动元件阵列基板-CN200710103828.X有效
  • 张立勋;蔡淑芬;林毓文 - 友达光电股份有限公司
  • 2007-05-16 - 2007-10-24 - G09G3/36
  • 本发明提供了一种主动元件阵列基板包括一基板、多条扫描线、多条数据线、多个像素、一总线以及多个电压下拉电路。多个像素位于扫描线与数据线相交处,并以阵列形式排列于基板上,且电性连接至对应的扫描线与数据线。各电压下拉电路电性连接于对应的扫描线与总线之间,而各电压下拉电路包括一晶体管以及一静电防护元件,其中各晶体管具有一与后一级扫描线电性连接的栅极、一源极与一漏极。各栅极通过静电防护元件连接至对应的扫描线、源极、漏极以及总线。上述静电防护元件可以有效防止主动元件阵列基板遭受静电放电的破坏。
  • 主动元件阵列

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