专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]灯具-CN200920353334.1无效
  • 林佳韵 - 林佳韵
  • 2009-12-31 - 2010-10-27 - F21V21/08
  • 一种灯具,是包括本体及结合件,本体的结合部是呈凸出状并于结合部穿设有穿孔,结合件的杆部是穿设于该穿孔;借此将结合件结合于结合部,让结合件能够夹固于手工具,借此在操作时能减少照明死角并让使用者能够用双手操作手工具
  • 灯具
  • [实用新型]侧导光纤结构-CN201020219107.2无效
  • 王丽珍 - 王丽珍
  • 2010-06-02 - 2011-01-19 - F21V8/00
  • 本实用新型提出一种侧导光纤结构,是于透明光纤主体外层包覆折射层,再于光纤主体侧边结合反光体,借此,当光线由光纤主体一端射入后,投射于折射层的光线,随即会折射而下,聚集于反光体上,再由反光体上将聚集的光线反射而出,借此将光线聚集,再反射而出的功效,以大幅提升光纤的亮度和光均匀性。
  • 光纤结构
  • [实用新型]轮体保护结构-CN200720099382.3无效
  • 谢超 - 谢超
  • 2007-12-26 - 2009-03-04 - B60B33/00
  • 一种轮体保护结构,其本体包括一车体以及多个轮体组装部,该轮体组装部是组设于车体上,供轮体组设,且至少一轮体组装部上设有一防夹部,该防夹部供减少轮体组装部与轮体组设处的外露间隙,借此达到本体防卡与防夹的功效;其中轮体组设部包括一枢设部,而该防夹部为一块体,该块体组设于该枢设部内轮体以外的空间,借此以减少枢设部与轮体间的外露间隙。本实用新型借此填补枢设部与轮体的外露间隙,以防止异物夹入或夹伤使用者。
  • 保护结构
  • [发明专利]食物接收容器以及家用制冷器具-CN202111346377.9在审
  • A·加特;C·莱格纳;D·卢克斯;F·海尔 - BSH家用电器有限公司
  • 2021-11-15 - 2022-05-17 - F25D11/00
  • 本发明涉及一种食物接收容器(6),具有:容器槽壳(7),具有底壁(8)和侧壁(10,11);前壁(13),可运动地布置在容器槽壳(7)上;耦合装置(14),借此使前壁(13)和容器槽壳(7)在耦合装置(14)的耦合状态中直接地相互耦合并借此使前壁(13)保持在容器槽壳(7)上的闭合的最终位置,耦合装置(14)具有能操纵的耦合元件(18),其在耦合状态中嵌入耦合装置(14)的耦合接收部(20)中,耦合元件(18)具有操纵面(19),其向外取向并露出,用于借助操纵元件触碰式地操纵,耦合元件(18)具有从操纵面(19)伸出的限界接条(21),借此构成用于在操纵面(19)上的操纵元件的定位辅助止挡件。
  • 食物接收容器以及家用制冷器具
  • [发明专利]电源连接器及电源连接器组件-CN202110483227.6在审
  • 萧心端;陈锡中 - 贸联国际股份有限公司
  • 2021-04-30 - 2022-11-01 - H01R4/02
  • 本申请可结合多条供电缆线以加大输出电流的电源连接器,其包含一壳体及两供电端子,各供电端子上设有面向壳体的入线口的多个通孔,供电缆线的缆芯可直接穿设焊接于通孔中以使供电缆线固定于供电端子上,借此大幅简化结合结构其中一供电端子位于另一供电端子与入线口之间并挡住该另一供电端子的部分,同时允许该另一供电端子向该入线口露出通孔,借此可使两供电端子的供电缆线错开而类似上下重叠,进而能在有限的空间内容纳更多供电缆线以加大整合后的输出电流本申请借此有效利用空间、加大输出电流、降低元件数量、简化构造及组装过程。
  • 电源连接器组件
  • [发明专利]半导体装置的制造方法-CN202210679226.3在审
  • 吴伯峰;尤志豪;林家彬 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2022-06-15 - 2022-11-11 - H01L29/06
  • 第一半导体层及第二半导体层具有不同的材料成分;在鳍片结构上形成牺牲栅极结构;在牺牲栅极结构的侧壁上形成栅极间隔物;蚀刻鳍片结构的源极/漏极(source/drain,S/D)区,且S/D区并未被牺牲栅极结构及栅极间隔物覆盖,借此形成S/D沟槽;通过S/D沟槽横向蚀刻第一半导体层,借此形成多个凹槽;在第一半导体层及第二半导体层的在凹槽及S/D沟槽中露出的表面上但不在栅极间隔物的侧壁上选择性沉积绝缘层;以及在S/D沟槽中成长S/D外延部件,借此将多个气隙封(trapping)在凹槽中。
  • 半导体装置制造方法

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