专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种去除石膏中杂质的方法-CN202210883706.1在审
  • 张婧;孟醒;刘丽娟;唐永波;万建东 - 一夫科技股份有限公司
  • 2022-07-26 - 2022-09-23 - C01F11/46
  • 本发明提供了一种去除石膏中杂质的方法,所述方法包括如下步骤:(1)去除可溶性:混合石膏与水,搅拌状态下浸洗后进行固液分离得到样本A;(2)去除:混合缓冲溶液以及步骤(1)所得样本A,搅拌状态下反应后进行离心处理,得到样本B;(3)去除难溶:混合酸液以及步骤(2)所得样本B,搅拌状态下反应后依次进行离心处理和干燥后,得到不含杂质的石膏。本发明提供的去除石膏中杂质的方法采用分步法依次去除石膏中的可溶以及难溶,实现了杂质的深度除杂,最终获得不含杂质的高附加值石膏;且方法简单易操作,工艺条件易控制,处理石膏的处理量大
  • 一种去除石膏中含磷杂质方法
  • [发明专利]珠光体灰口铸铁的二元及三元功能剂-CN200510095124.3无效
  • 邹志尚;邹菲;陈嘉农 - 邹志尚
  • 2005-11-01 - 2006-04-12 - C22C33/08
  • 珠光体灰口铸铁的二元及三元功能剂,该功能剂的组成成分为:活性游离态石墨粉、硅酸钙粉、二氧化锰粉、硅酸镍粉、氧化钒粉、氧化铬粉、磷酸镁粉、磷酸铜粉、氧化钼粉;磷酸镁粉中的镁具有改善铸造工件的硬度的作用,镁还具有控制珠光体灰口铸铁的二元及三元的过程的效果,镁还具有提高铸造工件的延伸率的效果,还具有提高二元及三元率的效果,二元及三元具有改善铸造工件的硬度及耐磨性的作用;磷酸铜粉中的铜具有促进珠光体灰口铸铁的二元及三元的过程的效果,还具有提高二元及三元率的效果;该功能剂的含水量应低于5%。
  • 珠光体铸铁二元磷共晶三元功能
  • [发明专利]一种过铝硅合金的显微组织细化工艺方法-CN200710099824.9无效
  • 张俊红;任智森;赵群 - 中国铝业股份有限公司
  • 2007-05-31 - 2007-10-24 - C22C1/02
  • 一种过铝硅合金的显微组织细化工艺方法,涉及一种金属材料的显微组织细化的工艺方法。其特征在于其细化工艺步骤包括:(1)向熔融的过铝硅合金中加入为熔体质量0.1%的钛晶粒细化剂,搅拌至完全熔化;(2)然后向熔液中加入类变质剂搅拌均匀,细化初硅,铸锭;(3)对步骤2的铸锭在500本发明的方法,采用变质初硅结合热处理和热挤压细化硅,所得的组织更为细小和均匀,初硅平均晶粒尺寸约为13μm,硅全部粒化,所得组织具有更高的抗拉强度、硬度和尺寸稳定性,可以作为汽车发动机活塞和压缩机斜盘的锻造用坯料
  • 一种共晶铝硅合金显微组织细化工艺方法
  • [发明专利]无片状硅的过铝硅合金的制备方法-CN202010243568.1在审
  • 陈淑英;岳旭东;李青春;常国威 - 辽宁工业大学
  • 2020-03-31 - 2020-06-26 - C22C21/04
  • 一种无片状硅的过铝硅合金的制备方法,用铜合金对精炼后的过铝硅合金熔体进行变质处理;铜合金加入过铝硅合金熔体后,在变质处理温度下,用200转/分钟~300转/分钟搅拌速度,对熔体进行强烈搅拌进行变质处理;将变质处理后的过铝硅合金熔体浇注到冷却速度为10℃/s~17℃/s速度进行冷却,得到无片状硅的过铝硅合金。以铜合金的方式加入变质剂,通过P变质和强搅拌相结合使硅消失,制备出的无片状硅的过铝硅合金,其凝固组织为初生α相+细小的初生硅,为提高过铝硅合金塑性提供理想的凝固组织。
  • 片状共晶硅共晶铝硅合金制备方法
  • [发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法-CN201510571895.9有效
  • 陈卓 - 信利(惠州)智能显示有限公司
  • 2015-09-08 - 2018-01-02 - H01L21/336
  • 一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法,方法包括对缓冲层的部分进行刻蚀形成第一刻蚀槽和第二刻蚀槽,在第一刻蚀槽和第二刻蚀槽分别形成第一层和第二层;在缓冲层、第一层和第二层上形成非硅层;对非硅层进行激光镭射,分别将第一层上对应的非硅层转变为第一重掺杂层,将第二层上对应的非硅层转变为第二重掺杂层,将第一层和第二层之间的部分非硅层转变为沟道有源层,将第一层与沟道有源层之间的非硅层转变为第一低掺杂漏极端,将第二层与沟道有源层之间的非硅层转变为第二低掺杂漏极端。
  • 低温多晶薄膜晶体管及其制备方法
  • [发明专利]一种石膏中共的分离处理方法-CN202110857534.6有效
  • 任利;张军兴;陈颜龙;刘福峰;谢东;安延营;李杨;张合军;郭超 - 泰山石膏有限公司
  • 2021-07-28 - 2022-12-02 - C04B11/036
  • 本发明提供了一种石膏中共的分离处理方法,包括以下步骤:a)将待处理的石膏煅烧成半水石膏;b)将步骤a)得到的半水石膏加入微沸状态的硫酸溶液中搅拌,得到混合浆液;c)将步骤b)得到的混合浆液加水稀释,再经抽滤,得到滤饼;d)将步骤c)得到的滤饼依次经洗涤、干燥,得到分离后的石膏。与现有技术相比,本发明提供的分离处理方法采用特定工艺步骤,利用二水石膏在转变成半水石膏过程中留下的水分子通道,将热的硫酸溶液通过水分子通道进入石膏晶格,溶解晶格中的,再通过稀释后的稀硫酸溶液萃取溶解下来的,最后将半水石膏再水化生成二水石膏,实现石膏中共的有效萃取及分离。
  • 一种石膏中共分离处理方法

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