专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]同步曝光的红/绿像素及改进的调制传递函数-CN200410079428.6无效
  • 塔纳·多斯洛格鲁;迈克尔·H·布里尔 - 戴洛格半导体公司
  • 2004-04-14 - 2005-10-19 - H01L27/146
  • 该像素包括一形成在一P外延硅基片上的深N。许多P形成在深N中。这些P的使用改进了调制传递函数。该深N的深度大约等于由红光产生在硅片中的空穴电子对的深度。而P的深度大约等于由绿光产生在硅片中的空穴电子对的深度。通过确定在P和深N被隔离时一个电荷积累循环后每个P和深N之间的电位在每个P中确定红/绿信号。通过确定在P被隔离且深N保持在固定的正电压时一个电荷积累循环后每个P和深N之间的电位在每个P中确定绿信号。每个P中的红信号通过从每个P中的红/绿信号中减去该P中的绿信号被确定。
  • 同步曝光像素改进调制传递函数
  • [发明专利]三重工作电压元件-CN200510125862.8有效
  • 洪梓晏;邱明正;吴展良 - 奇景光电股份有限公司
  • 2005-11-30 - 2007-06-13 - H01L21/822
  • 本发明提供一种三重工作电压元件,其包括一第一基底、一高压(HV)第一、一第二、一低压(LV)元件、和一中压(MV)元件。所述HV第一安置在所述第一基底内部。所述第二安置在所述第一基底内部,以使所述HV第一与所述第一基底相分离。所述LV元件与所述MV元件藉由分离所述HV第一,而分离地安置在所述HV第一内部。所述三重工作电压元件有助于减小所述LV元件与所述MV元件之间的间隔,并可增进集成电路的集成度。
  • 三重工作电压元件
  • [发明专利]瞬时电压抑制装置-CN202310129624.2在审
  • 陈致维;林冠宇;范美莲;林昆贤 - 晶焱科技股份有限公司
  • 2023-02-17 - 2023-05-23 - H01L27/02
  • 本发明公开一种瞬时电压抑制装置,其包括至少一个N轻掺杂结构、一第一P区、一第二P区、一第一N重掺杂区与一第二N重掺杂区。第一P区与第二P区设于N轻掺杂结构中,第一N重掺杂区与第二N重掺杂区分别设于第一P区与第二P区中,第一P区的掺杂浓度高于第二P区的掺杂浓度。第一P区与第二P区可以P轻掺杂区来取代,其中P轻掺杂区分别具有位于N重掺杂区的下方的P重掺杂区。
  • 瞬时电压抑制装置
  • [发明专利]一种多分支水平系统及其施工方法-CN201410601738.3有效
  • 杨锐;杨陆武;崔玉环;郭卫东;刘利德 - 北京奥瑞安能源技术开发有限公司
  • 2014-10-30 - 2018-04-06 - E21B43/30
  • 本发明提供了一种多分支水平系统及其施工方法,此多分支水平系统设置在上倾地层中,多分支水平系统包括至少一组水平单元,水平单元包括至少两口U,各U包括直段和配合直,直段所处地势高于配合直所处地势;至少一口多分支水平,每口多分支水平对应地设置在相邻两口U之间,每口多分支水平包括直段、与直段相连的主井眼以及与主井眼相连且向下延伸的分支井眼,每口多分支水平的分支井眼分别向与其相邻的U延伸,并与相应的U直接连通或渗透连通。本发明提供的水平系统可以有效的解决上倾底层中煤层水排采降压的问题。
  • 一种分支水平系统及其施工方法
  • [发明专利]单光子雪崩二极管-CN202210051051.1在审
  • 谢晋安 - 神盾股份有限公司
  • 2022-01-17 - 2022-04-26 - H01L31/107
  • 本发明提供一种单光子雪崩二极管,包括N半导体层、P半导体层以及P侧掺杂层。P半导体层配置于N半导体层上。P侧掺杂层配置于N半导体层与P半导体层之间。P侧掺杂层的深度小于P半导体层的深度。P侧掺杂层的P掺杂浓度大于P半导体层的P掺杂浓度。
  • 光子雪崩二极管
  • [实用新型]单光子雪崩二极管-CN202220146398.X有效
  • 谢晋安 - 神盾股份有限公司
  • 2022-01-17 - 2022-06-14 - H01L31/107
  • 本实用新型提供一种单光子雪崩二极管,包括N半导体层、P半导体层以及P侧掺杂层。P半导体层配置于N半导体层上。P侧掺杂层配置于N半导体层与P半导体层之间。P侧掺杂层的深度小于P半导体层的深度。P侧掺杂层的P掺杂浓度大于P半导体层的P掺杂浓度。
  • 光子雪崩二极管
  • [发明专利]一种气藏开发的选择方法-CN201810886736.1有效
  • 邓惠;杨洪志;刘义成;徐伟;姚宏宇;陶夏妍;鲁杰;罗文军;苏世为 - 中国石油天然气股份有限公司
  • 2018-08-06 - 2022-08-05 - G06Q10/04
  • 本发明公开了一种气藏开发的选择方法,属于气藏开发领域。通过确定目标气藏的待选,并对包括直、水平、斜井和分支中至少一种的待选进行产能预测分析,并将所述待选投入实际生产进行开发效果测试,得到测试结果;进一步根据分析结果和测试结果确定优选。根据得到的优选对其经济效益是否符合要求进行判断,最终从符合要求的优选中选择实际气藏开发。以上步骤通过对待选进行产能预测、实际开发效果及经济效益预测等手段,综合了多种因素,一步步最终确定最适合目标气藏的开发,采用以上步骤能够较为准确地得到适合目标气藏的经济效益最好的开发,提高气藏开发效率
  • 一种开发选择方法

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